Si1016X
Vishay Siliconix公司
互补N和P沟道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
0.70在V
GS
= 4.5 V
N沟道
20
0.85在V
GS
= 2.5 V
1.25在V
GS
= 1.8 V
1.2在V
GS
= - 4.5 V
P沟道
- 20
1.6在V
GS
= - 2.5 V
2.7在V
GS
= - 1.8 V
I
D
（MA ）
600
500
350
- 400
- 300
- 150
特点
无卤素选项可用
TrenchFET
功率MOSFET
2000 V ESD保护
非常小的足迹
高侧开关
低导通电阻：
N沟道， 0.7
Ω
P沟道， 1.2
Ω
低阈值： ± 0.8 V（典型值）。
开关速度快： 14纳秒
1.8 V操作
RoHS指令
柔顺
好处
SOT-563
SC-89
S1
1
6
D1
标记代号：一
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
G1
2
5
G2
S2
应用
更换数字晶体管，电平转换器
电池供电系统
电源转换器电路
负载/电源开关手机，寻呼机
D2
3
4
TOP V IEW
订货信息：
Si1016X -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si1016X -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
b
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
450
280
145
515
370
650
380
250
130
2000
- 450
280
145
- 55 150
485
350
5s
稳定状态
20
±6
- 390
- 280
- 650
- 380
250
130
mW
°C
V
- 370
- 265
mA
5s
P沟道
稳定状态
- 20
V
单位
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
注意事项：
一。表面安装在FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温。
文档编号： 71168
S- 80427 -REV 。 D， 03 -MAR -08
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1
Si1016X
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特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS ，
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
零栅压漏
当前
I
DSS
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
在国家漏极电流
a
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 600毫安
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 350毫安
漏极 - 源极导通状态
阻力
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 500毫安
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 300毫安
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 350毫安
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 150毫安
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开启时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
ON
N沟道
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 250毫安
P沟道
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 250毫安
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 47
Ω
I
D
200毫安，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 10
Ω
P沟道
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 47
Ω
I
D
- 200毫安，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 10
Ω
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
750
1500
75
150
225
450
5
5
25
35
ns
pC
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 400毫安
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 250毫安
I
S
= 150毫安， V
GS
= 0 V
I
S
= - 150毫安， V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
700
- 700
0.41
0.80
0.53
1.20
0.70
1.80
1.0
0.4
0.8
- 0.8
1.2
- 1.2
V
S
0.70
1.2
0.85
1.6
1.25
2.7
Ω
mA
0.45
- 0.45
± 0.5
± 1.0
0.3
- 0.3
1
-1
± 1.0
± 2.0
100
- 100
5
-5
A
nA
V
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
打开-O FF时间
t
关闭
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 71168
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N沟道典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
1.0
1200
T
C
= - 55 °C
25 °C
800
125 °C
600
0.8
I
D
- 漏电流（ A）
1000
V
GS
= 5通1.8 V
I
D
- 漏电流（mA ）
0.6
0.4
400
0.2
1V
0.0
0.0
200
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0.5
1.0
1.5
2.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2.5
输出特性
4.0
100
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
3.2
80
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
- 电容（pF ）
2.4
60
1.6
V
GS
= 1.8 V
0.8
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0
200
400
600
800
1000
40
C
OSS
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
20
0.0
I
D
- 漏电流（mA ）
导通电阻与漏电流
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 250毫安
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
电容
1.60
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
1.40
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 350毫安
（归一化）
3
1.20
V
GS
= 1.8 V
I
D
= 150毫安
1.00
2
1
0.80
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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N沟道典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
1000
T
J
= 125 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
4
I
D
= 350毫安
3
I
D
= 200毫安
2
5
I
S
- 源电流（mA ）
100
T
J
= 25 °C
10
T
J
= 50 °C
1
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.3
3.0
导通电阻与栅极至源极电压
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
2.5
I
D
= 0.25毫安
0.1
I
GSS
- (
μA)
2.0
0.0
1.5
- 0.1
1.0
V
GS
= 4.5 V
- 0.2
0.5
- 0.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
T
J
- T的emperature （ ° C）
T
J
- T的emperature （ ° C）
阈值电压变化与温度的关系
BV
GSS
- 栅极 - 源极击穿电压（ V）
I
GSS
与温度的关系
7
6
5
4
3
2
1
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
T
J
- T的emperature （ ° C）
BV
GSS
与温度的关系
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P- CHANNEL典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
1.0
V
GS
= 5通3 V
0.8
2.5 V
800
1000
T
J
= - 55 °C
25 °C
0.6
2V
0.4
1.8 V
0.2
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（ A）
600
125 °C
400
200
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
4.0
V
GS
= 1.8 V
传输特性
120
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
100
- 电容（pF ）
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
3.2
80
C
国际空间站
2.4
V
GS
= 2.5 V
1.6
V
GS
= 4.5 V
0.8
60
40
C
OSS
20
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0.0
0
200
400
600
800
1000
I
D
- 漏电流（mA ）
0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 250毫安
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
（归一化）
1.4
1.6
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 350毫安
1.2
V
GS
= 1.8 V
I
D
= 150毫安
3
2
1.0
1
0.8
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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S- 80427 -REV 。 D， 03 -MAR -08
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