【S71GL016A基于MCP的堆叠式多芯片产品（ MCP ）快闪存储器和RAM16兆位（ 1M ×1】,IC型号S71GL016A40BAW3J0,S71GL016A40BAW3J0 PDF资料,S71GL016A40BAW3J0经销商,ic,电子元器件-51电子网

S71GL016A基于MCP的

堆叠式多芯片产品（ MCP ）

快闪存储器和RAM

16兆位（ 1M ×16位） CMOS 3.0伏只

页模式闪存

4兆位（ 256K ×16位） PSRAM

数据表

（高级信息）

S71GL016A基于MCP的封面

请注意，以读者：

这份文件指出关于Spansion公司目前的技术规格

本文描述的产品（S）。本文描述的每一个产品可以被指定为超前信息，

初步或全面投产。看

请注意在数据表牌号

对于定义。

公开号

S71GL016A_00

调整

修订

发行日期

2006年6月20日

数据

片

（A dvan CE

我NFO R上MA TI ）

请注意在数据表牌号

Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步的名称，提醒读者

产品信息或意图规范整个产品生命周期，包括研发，

资质，初始生产，并全面投入生产。在所有的情况下，但是，我们鼓励读者以验证

他们有他们的定稿之前的设计的最新信息。 Spansion公司的数据下面的说明

表名称使用这里介绍要突出自己的存在和定义。

超前信息

事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或多个特定

产品，但并没有承诺任何设计到生产。呈现在文档中使用这些信息

指定有可能发生改变，并且在某些情况下，开发的产品可中止。 Spansion公司

因此， LLC则以在生产数据内容如下条件：

“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。

该信息旨在帮助您评估该产品。本产品无不要设计

联系工厂。 Spansion公司保留随时更改或终止对这个作品的权利

恕不另行通知提出的产品“ 。

初步

预指定表示该产品的开发已取得进展，使得一个承诺

生产已经发生。该标识包含几个方面的产品生命周期，包括

产品合格，最初的生产，并且在发生的制造过程中的后续阶段

之前满负荷生产的实现。更改技术规格的初步介绍

文件应同时保持生产这些方面正在考虑的期望。 Spansion公司

放置后，初步含量满足以下条件：

“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范（ S）

本文中所描述。本文件的初步情况显示，产品合格已

完成，而且最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那

需要维护的效率和质量，这个文件可以通过后续版本或修订

修改由于改变了技术规范。 “

组合

有些数据表包含的产品具有不同的名称的组合（超前信息，

初步或全部生产）。这种类型的文件区分这些产品和它们的名称

在必要时，通常第一个页面时，订购信息页面，页面与DC

特性表和AC擦除和编程表（表中的说明）。第一个免责声明

页面是指读者在此页上的通知。

满负荷生产（在文件没有指定）

当产品已经生产了一段时间，使得不改变或仅标称变化

预计，初步指定从数据表中删除。标称变化可能包括

那些影响订货可用的部件号，诸如速度的增加或删除的数量

选项，使用温度范围，封装类型，或V

范围内。变化也可能包括那些需要澄清

说明或者纠正拼写错误或不正确的规范。 Spansion公司采用以下

条件，这一类材料：

“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范（ S）

本文中所描述。 Spansion公司认为该产品已足够生产量

例如，本文件的后续版本预计不会改变。然而，排印

或规范更正或修改提供可能发生的有效组合。 “

有关这些文件名称的问题，可向当地的AMD或富士通销售办事处。

S71GL016A基于MCP的

2006年S71GL016A_00_A1 6月20日，

S71GL016A基于MCP的

堆叠式多芯片产品（ MCP ）闪存和

内存

16兆位（ 1M ×16位） CMOS 3.0伏只页面模式闪存

内存

4兆位（ 256K ×16位） PSRAM

数据表

（高级信息）

特点

2.7 V至3.1 V电源电压

高性能

- 为100 ns （纳秒100闪存， 70 ns的PSRAM / SRAM ）

套餐

- 7 ×9× 1.2毫米56球FBGA

工作温度

- -25 ° C至+ 85°C

概述

该S71GL系列是堆叠式多芯片产品（ MCP ）封装产品线，包括：

一S29GL016A闪存存储器芯片

PSRAM

包括在本文档中的产品列于下表：

闪存密度

16Mb

PSRAM的密度

4Mb

S71GL016A40

有关详细规格，请参阅单独的数据表。

文件

S29GL-A

PSRAM类型4

出版物识别码（ PID）的

S29GL-A_00

psram_18

公开号

S71GL016A_00

调整

修订

发行日期

2006年6月20日

本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。不设计

本产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。

数据

片

（A dvan CE

我NFO R上MA TI ）

产品选择指南

设备型号＃

S71GL016A40-1J

100

S71GL016A40-3J

4米PSRAM

类型4

TLC056

闪存存取时间（纳秒）

PSRAM的密度

PSRAM的访问时间（纳秒）

PSRAM类型

包

2. MCP框图

CE＃

WP ＃ / ACC

RESET＃

仅闪烁地址

共享地址

OE ＃

WE＃

RY / BY ＃

FL灰

CCS

到DQ

PSRAM / SRAM

0-10

CE＃ s

UB ＃ s

LB ＃ s

CE2

CE＃

UB ＃

磅＃

CE2

S71GL016A基于MCP的

2006年S71GL016A_00_A1 6月20日，

DA TA

秒H EE吨

（广告VA NCE

我n对于米处离子）

接线图

图3.1

56球细间距球栅阵列（顶视图，球朝下）

CE1#f

CE1#s

VSS

OE ＃

DQ0

DQ8

磅＃

UB ＃

A18

A17

DQ1

DQ9

DQ10

DQ2

WP / ACC

RST ＃楼

RY / BY ＃

WE＃

CE2s

俄罗斯足协

A19

A10

DQ6

A11

A12

A13

A14

俄罗斯足协

DQ15

DQ7

DQ14

传说

SHARED

A15

俄罗斯足协

仅限于Flash

RAM ONLY

A16

俄罗斯足协

VSS

DQ3

VCCF

DQ11

DQ4

VCCS

俄罗斯足协

DQ13

DQ12

DQ5

预留的

未来使用

2006年6月20日S71GL016A_00_A1

S71GL016A基于MCP的

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