SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4759 ， REV 。一
SHD115523
SHD115523A
SHD115523B
HERMETIC肖特基整流器
极低的正向电压降
产品特点：
软反向恢复低温和高温
极低的正向电压降
低功耗，高效率
高浪涌能力
保护环，增强耐用性和长期可靠性
保证反向雪崩特性
最大额定值
特征
峰值反向电压
马克斯。平均正向电流
马克斯。平均正向电流
马克斯。峰值一个周期非
重复浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
最大热阻
最大。结温
马克斯。储存温度
符号
V
RWM
I
F（ AV ）
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
AR
R
θJC
T
J
T
英镑
条件
-
50％的占空比，矩形
波形（单人）
50％的占空比，矩形
波形（共阴极）
8.3毫秒，半正弦波
（每站）
T
J
= 25
°C,
I
AS
= 3.0 A,
L = 4.4毫亨（每站）
I
AS
线性地衰减到0 1
s
限制T
J
MAX V
A
=1.5V
R
直流操作
-
-
马克斯。
60
60
60
860
20
3.0
0.35
-65到+175
-65到+175
单位
V
A
A
A
mJ
A
° C / W
°C
°C
电气特性
特征
马克斯。正向电压降
（每站）
马克斯。反向电流
（每站）
马克斯。结电容
（每站）
符号
V
F1
V
F2
I
R1
I
R2
C
T
条件
@ 60A ，脉冲，T
J
= 25
°C
@ 60A ，脉冲，T
J
= 125
°C
@V
R
= 60V ，脉冲，
T
J
= 25
°C
@V
R
= 60V ，脉冲，
T
J
= 125
°C
@V
R
= 5V ，T
C
= 25
°C
f
SIG
= 1MHz时，
V
SIG
= 50mV的（ π-π ）
马克斯。
0.66
0.59
1.2
90
2600
单位
V
V
mA
mA
pF
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
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电子邮件 - sales@sensitron.com
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半导体
技术参数
数据表4759 ， REV 。一
SHD115523
SHD115523A
SHD115523B
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.315?010
(8.00?254)
.465?020
(11.8?508)
.315?010
(8.00?254)
.315?010
(8.00?254)
.465?020
(11.8?508)
.150?010
(3.81?254)
.315?010
(8.00?254)
.315?010
(8.00?254)
.170?010
(4.32 ?254)
.315?010
(8.00?254)
.015?005
(.381?127)
铜阳极
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼盖
.020?005 R
(.508?127 )
氧化铝环
0.090 （ 2.29 ）最大
.020?005 R
(.508?127 )
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼基
钼盖
钼基
（阴极）
钼阳极
.020?002
(.508?051)
.060?010
(1.52?254)
钼基
（阴极）
.015?002
(.381?051)
.060?010
(1.52?254)
SHD-2
SHD-2A
SHD-2B
注意：
在V
f
所示曲线的SD200SB60只包装的死亡。
典型的正向特性
10
2
10
3
典型的反向特性
175 °C
150 °C
125 °C
10
1
瞬时反向电流 - I
R
（MA ）
10
2
175 °C
100 °C
75 °C
50 °C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
0
10
-1
25 °C
10
-2
125 °C
10
-3
0
10
20
30
40
反向电压 - V
R
(V)
50
60
10
1
25 °C
结电容 - C
T
（PF ）
2500
2000
1500
1000
500
0
典型结电容
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
正向电压下降 - V
F
(V)
0.8
10
20
30
40
反向电压 - V
R
(V)
50
60
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