SENSITRON_________
半导体
技术参数
数据表4338 ， B版
SHB636053E
高压碳化硅单相全
波桥
描述：
2500伏， 5安培功率碳化硅单相全波桥
产品特点：
无恢复时间或反向恢复损耗
没有温度影响的开关行为
15000伏的HI -POT能力的
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大电流输出（附T
C
= 65
O
c）如果作为
一桥
最大可重复正向浪涌电流
（T = 8.3ms的正弦）每腿，T
C
= 25
O
C
最大非重复正向浪涌电流
（T = 10微秒，脉冲）每腿，T
C
= 25
O
C
最大功耗，T
C
= 25
O
C
最大热阻，结到外壳
最大工作和存储温度范围*
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
FRM
I
FSM
P
d
R
θJC
顶， TSTG
马克斯。
2500
5
30
100
100
0.5
-55
+200
单位
伏
安培
安培
安培
W
° C / W
°C
*
注：碳化硅半导体将处理达到或超过该操作和储存温度。然而，扩展业务使用的封装装置的
175℃以上会降低其未来表现。所有资格测试和筛选符合MIL -PRF- 19500只进行到175℃ 。
电气特性
特征
最大正向电压降（我
f
= 5 A每支架）V
f
T
J
=25
°C
T
J
=150
°C
最大反向电流（ 2500V PIV每支架）I
r
结电容（ V
r
= 5V ）每腿
T
J
= 25
°C
T
J
= 150
°C
C
T
典型值
5
7.5
0.05
0.10
240
28
不适用
马克斯。
5.50
9.00
0.40
2.00
mA
pF
nC
伏
单位
总电容充电（V
R
= 2500V ，我
F
= 5A ，的di / dt = 500A / μs到
T
J
= 25 ° C） Q
C
每腿
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
万维网 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
技术参数
数据表4338 ， B版
SHB636053E
外形尺寸（英寸）
DC +
AC1
AC2
DC-
应用说明：客户应该知道，在碳化硅技术目前的发展阶段，反向雪崩
该装置的能力是有限的。客户的设计将需要适应这些限制和避免的曝光
设备到这一点，并在他们的应用程序的其他潜在的破坏性条件。
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品的特点。前
订购，购买者可联络该Sensitron半导体销售部门的数据表（S ）的最新版本。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备，医疗设备的使用情况，并
安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全的半导体器件，或借助于用户的“故障 - 安全防范措施或其他保证
安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因的用户单位工作期间负责
根据数据表（S ） 。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何其他问题可能导致的任何责任
的信息，产品或在数据表中所述的电路应用。
4-在任何情况下Sensitron半导体是用于在半导体器件中的任何故障或因使用而造成的任何二次损伤处的值超过责任
绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron半导体的明确书面许可。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序将妨碍维修
国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。在出口这些产品（技术） ，
必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
221西工业苑
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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4338 ，版本A
SHB636053E
高压碳化硅单相全
波桥
描述：
2500伏， 5安培功率碳化硅单相全波桥
产品特点：
无恢复时间或反向恢复损耗
没有温度影响的开关行为
15000伏的HI -POT能力的
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大电流输出（附T
C
= 65
O
c）如果作为
一桥
最大可重复正向浪涌电流
（T = 8.3ms的正弦）每腿，T
C
= 25
O
C
最大非重复正向浪涌电流
（T = 10微秒，脉冲）每腿，T
C
= 25
O
C
最大结电容（ V
r
= 5V ）每腿
最大功耗，T
C
= 25
O
C
最大热阻，结到外壳
最大工作和存储温度范围
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
FRM
I
FSM
C
T
P
d
R
θJC
顶， TSTG
马克斯。
2500
5
30
100
240
100
0.5
-55
+150
单位
伏
安培
安培
安培
pF
W
° C / W
°C
电气特性
特征
最大正向电压降（我
f
= 5 A每支架）V
f
T
J
=25
°C
T
J
=150
°C
最大反向电流（ 2500V PIV每支架）I
r
T
J
= 25
°C
T
J
= 150
°C
总电容充电（V
R
= 2500V ，我
F
= 5A ，的di / dt = 500A / μs到
T
J
= 25 ° C） Q
C
每腿
典型值
5
7.5
0.05
0.10
28
马克斯。
5.50
9.00
0.40
2.00
不适用
mA
nC
伏
单位
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
万维网 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHB636053E
SENSITRON
技术参数
数据表4338 ，版本A
外形尺寸（英寸）
DC +
AC1
AC2
DC-
应用说明：客户应该知道，在碳化硅技术目前的发展阶段，反向雪崩
该装置的能力是有限的。客户的设计将需要适应这些限制和避免的曝光
设备到这一点，并在他们的应用程序的其他潜在的破坏性条件。
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品的特点。前
订购，购买者可联络该Sensitron半导体销售部门的数据表（S ）的最新版本。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备，医疗设备的使用情况，并
安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全的半导体器件，或借助于用户的“故障 - 安全防范措施或其他保证
安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因的用户单位工作期间负责
根据数据表（S ） 。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何其他问题可能导致的任何责任
的信息，产品或在数据表中所述的电路应用。
4-在任何情况下Sensitron半导体是用于在半导体器件中的任何故障或因使用而造成的任何二次损伤处的值超过责任
绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron半导体的明确书面许可。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序将妨碍维修
国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。在出口这些产品（技术） ，
必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
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