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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1325页 > SGM2013
SGM2013
概述
300mA，低功耗，低压差，
3 -Terminal ，线性稳压器
特点
-
超低压差电压：
-
-
-
-
-
-
该SGM2013低功耗，低压差， CMOS线性
稳压器在2.5V至5.5V的输入和
提供高达300mA的电流。它们是低电压完美的选择，
低功耗的应用。超低接地电流（ 200
A
在300毫安输出），使其成为电池吸引力
供电的系统。该SGM2013系列还提供
超低压降（ 300mV的在300毫安输出）到
延长电池寿命的便携式电子产品
输出电压被预设为电压在1.8V的范围内
到3.3V 。其他功能还包括
折返式限流
和
热关断保护。
SGM2013进来的3引脚SOT23和3引脚SOT89封装。
300mV的在300毫安输出
低77μA的无负载电源电流
低200μA工作电流
在300毫安输出
高PSRR
热过载保护
输出电流限制
输出电压：
可提供固定输出1.8V ， 2.5V ， 2.7V ， 2.8V ，
2.9V ， 3.0V和3.3V
应用
移动电话
数码相机
MP3、MP4
USB 2.0
调制解调器
PC摄像头
手持式仪表
电子Dictionarys
便携式/电池供电设备
销刀豆网络gurations
（ TOP
VIEW ）
GND
1
3
IN
输出2
SOT23-3
GND
IN
典型工作电路
输入
IN
C
IN
1μF
GND
OUT
C
OUT
1μF
产量
1
OUT
2
GND
3
IN
1
GND
2
IN
3
OUT
SOT89-3
SOT89-3(L-Type)
SG微电子有限公司
联系电话： 86/451/84348461
www.sg-micro.com
版本C
订购信息
模型
V
OUT
(V)
PIN的
包
SOT23-3
SGM2013-1.8 1.8V
SOT89-3
SOT89-3(L-Type)
SOT23-3
SGM2013-2.5 2.5V
SOT89-3
SOT89-3(L-Type)
SOT23-3
SGM2013-2.7 2. 7V
SOT89-3
SOT89-3(L-Type)
SOT23-3
SGM2013-2.8 2.8V
SOT89-3
SOT89-3(L-Type)
SOT23-3
SGM2013-2.9 2.9V
SOT89-3
SOT89-3(L-Type)
SOT23-3
SGM2013-3.0 3.0V
SOT89-3
SOT89-3(L-Type)
SOT23-3
SGM2013-3.3 3.3V
SOT89-3
SOT89-3(L-Type)
- 40 ° C至+ 125°C
- 40 ° C至+ 125°C
- 40 ° C至+ 125°C
- 40 ° C至+ 125°C
- 40 ° C至+ 125°C
- 40 ° C至+ 125°C
- 40 ° C至+ 125°C
特定网络版
温度
范围
订购
数
SGM2013-1.8XN3/TR
SGM2013-1.8XK3/TR
SGM2013-1.8XK3L/TR
SGM2013-2.5XN3/TR
SGM2013-2.5XK3/TR
SGM2013-2.5XK3L/TR
SGM2013-2 。 7XN3 / TR
SGM2013-2 。 7XK3 / TR
SGM2013-2.8XN3/TR
SGM2013-2.8XK3/TR
SGM2013-2.8XK3L/TR
SGM2013-2.9XN3/TR
SGM2013-2.9XK3/TR
SGM2013-2.9XK3L/TR
SGM2013-3.0XN3/TR
SGM2013-3.0XK3/TR
SGM2013-3.0XK3L/TR
SGM2013-3.3XN3/TR
SGM2013-3.3XK3/TR
SGM2013-3.3XK3L/TR
包
记号
XD18
SGM2013-1.8XK3
XD25
SGM2013-2.5XK3
XD27
SGM2013-2 。 7XK3
XD28
SGM2013-2.8XK3
XD29
SGM2013-2.9XK3
XD30
SGM2013-3.0XK3
XD33
SGM2013-3.3XK3
包
选项
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴1000
SGM2013-1.8XK3L磁带和卷轴， 1000
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴1000
SGM2013-2.5XK3L磁带和卷轴1000
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴1000
SGM2013-2 。 7XK3L / TR SGM2013-2 。 7XK3L磁带和卷轴， 1000
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴1000
SGM2013-2.8XK3L磁带和卷轴， 1000
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴1000
SGM2013-2.9XK3L磁带和卷轴， 1000
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴1000
SGM2013-3.0XK3L磁带和卷轴， 1000
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴1000
SGM2013-3.3XK3L磁带和卷轴， 1000
绝对最大额定值
至GND ............................................... ......................- 0.3V至+ 6V
输出短路持续时间............................................无限
OUT到GND ............................................... ....- 0.3V至（V
IN
+ 0.3V)
功耗，P
D
@ T
A
= 25℃
SOT23-3 ............................................... ...................................... 0.4W
SOT89-3 ............................................... ................................. 0.571W
封装热阻
SOT23-3,
θ
JA
....................................................................... 250
℃
/W
SOT89-3,
θ
JA
.........................................................................175°C/W
工作温度范围................. ..........- 40 ° C至+ 125°C
结温................................................ ........... + 150°C
储存温度.............................................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ....................................... 260℃
ESD敏感性
HBM..........................................................................................4000V
MM..............................................................................................400V
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是强调
只有收视率，以及该设备的这些功能操作或超出在操作指示的任何其他条件
规格部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
引脚说明
名字
IN
GND
OUT
功能
稳压器的输入。电源电压范围为2.5V至5.5V 。
地面上。
稳压器的输出。
２
SGM2013
电气特性
参数
输入电压
输出电压精度
(1)
最大输出电流
电流限制
接地引脚电流
输入输出电压差
(2)
线路调整
(1)
负载调整率
电源抑制率
热保护
热关断温度
热关断迟滞
T
SHDN
ΔT
SHDN
ΔV
LNR
ΔV
LDR
PSRR
I
LIM
I
Q
无负载，
I
OUT
= 300毫安，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 300毫安
符号
V
IN
(V
IN
= V
OUT （标称）
+ 0.5V
(1)
, T
A
= - 40 ° C至+ 125°C ，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C.)
条件
I
OUT
= 1mA至300毫安，T
A
= +25°C
V
OUT
+ 0.5V≤V
IN
≤
5.5V
民
2.5
-3
300
310
750
77
200
0.8
300
0.03
0.0008
75
53
160
15
380
0.15
0.002
145
典型值
最大
5.5
+3
单位
V
%
mA
mA
A
mV
%/V
％ / mA的
dB
dB
℃
℃
V
IN
= 2.5V或（Ⅴ
OUT
+ 0.5V ）至5.5V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 0.1毫安300mA的电流，C
OUT
= 1F
I
负载
= 50毫安，C
OUT
= 1F
F = 100Hz的，
F = 1kHz时，
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
注1 ：
V
IN
= V
OUT （标称）
+ 0.5V或2.5V ，取较大值。
注2 ：
该电压差定义为V
IN
- V
OUT
当V
OUT
为100mV低于V的值
OUT
对于V
IN
= V
OUT
+ 0.5V 。 （仅适用于
V
OUT
= + 2.5V至+ 5.0V ）。
３
SGM2013
典型工作特性
V
IN
= V
OUT （标称）
+ 0.5V或2.5V （以较高者为准） ，C
IN
= 1μF ，C
OUT
= 1μF ，T
A
= + 25 ℃ ，除非另有说明。
输出电压电流vs.Load
2.9
3.4
输出电压电流vs.Load
输出电压（V）的
输出电压（V）的
V
OUT
= 2.8V
2.85
3.35
2.8
3.3
2.75
3.25
V
OUT
= 3.3V
3.2
2.7
0
100
200
负载电流（mA ）
300
0
100
200
负载电流（mA ）
300
接地引脚电流vs.Load电流
200
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
0
接地引脚电流vs.Input电压
200
V
OUT
= 2.8V
接地引脚电流（ μA ）
160
120
80
空载
40
0
I
负载
= 50毫安
接地引脚电流（ μA ）
V
OUT
= 3.3V
V
OUT
= 2.8V
100
200
负载电流（mA ）
300
0
1
2
3
4
输入电压（ V）
5
6
接地引脚电流vs.Input电压
200
V
OUT
= 3.3V
接地引脚电流（ μA ）
160
120
80
40
0
0
1
2
3
4
输入电压（ V）
5
6
I
负载
= 50毫安
输出电压vs.Input电压
6
空载
5
输出电压（V）的
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
输入电压（ V）
5
6
V
OUT
= 2.8V
V
OUT
= 3.3V
空载
４
SGM2013
典型工作特性
V
IN
= V
OUT （标称）
+ 0.5V或2.5V （以较高者为准） ，C
IN
= 1μF ，C
OUT
= 1μF ，T
A
= + 25 ℃ ，除非另有说明。
电源抑制比
vs.Frequency
90
80
70
60
PSRR （分贝）
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
C
OUT
= 1μF
1
10
频率（KHz ）
100
1000
C
OUT
= 10μF
I
负载
= 50毫安
V
IN
= V
OUT
+1V
电流限制vs.Temperature
1000
900
电流限制（毫安）
800
700
600
500
400
300
200
100
-40 -20
0
20 40 60 80
温度（ ℃ ）
100 120 140
V
OUT
= 2.8V
V
OUT
= 3.3V
５
SGM2013
SGM2013N
砷化镓N沟道双栅场效应管MES
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
描述
该SGM2013N是N沟道双栅砷化镓
MES FET，用于UHF频段的低噪声放大。这
场效应管是适合于广泛的应用范围
包括蜂窝/无绳电话。
特点
超小型封装
低电压操作
低噪声NF = 1.4分贝（典型值），在900MHz ， NF = 1.7分贝（典型值）为1.5GHz
高增益Ga = 18分贝（典型值），在900MHz ，嘎= 16分贝（典型值）为1.5GHz
高稳定性
内置栅极保护二极管
应用
超高频频带的高频放大器和混频器
结构
砷化镓， N沟道，双栅极金属半导体场效应晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
漏源极电压
V
DSX
1号门至源极电压
V
G1S
2号门至源极电压
V
G2S
漏电流
I
D
允许功耗
P
D
通道温度
储存温度
总胆固醇
TSTG
M-281
6
–4
–4
18
100
125
-55到+150
V
V
V
mA
mW
°C
°C
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E97144-PS
SGM2013N
电气特性
项
1号门至源极电流
符号
I
G1SS
条件
V
G1S
= –3V
V
G2S
= 0V
V
DS
= 0V
V
G2S
= –3V
V
G1S
= 0V
V
DS
= 0V
V
DS
= 2V
V
G1S
= 0V
V
G2S
= 0V
V
DS
= 2V
I
D
= 100A
V
G2S
= 0V
V
DS
= 2V
I
D
= 100A
V
G1S
= 0V
V
DS
= 2V
I
D
= 2毫安
V
G2S
= 0.5V
F = 1kHz时
V
DS
= 2V
I
D
= 2毫安
V
G2S
= 0.5V
F = 1MHz的
V
DS
= 2V
I
D
= 2毫安
V
G2S
= 0.5V
F = 900MHz的
8
11
0.55
15
1.4
15
18
分钟。
典型值。
（ TA = 25°C ）
马克斯。
–4
单位
A
2门源电流
I
G2SS
–4
A
饱和漏电流
1号门源截止
电压
2门源截止
电压
I
DSS
V
G1S
（关闭）
V
G2S
（关闭）
4
16
mA
–1.5
V
–1.5
V
正向转移导纳
输入电容
反馈电容
噪声系数
NF相关的增益
gm
西塞
CRSS
NF
Ga
ms
1
30
2.5
pF
fF
dB
dB
典型特征
（ TA = 25°C ）
I
D
与V
DS
20
(V
G2S
= 0.5V)
16
16
20
(V
DS
= 2V)
I
D
与V
G1S
I
D
- 漏极电流[mA ]
12
–0.2V
8
–0.4V
4
–0.6V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压[ V]
6
–0.8V
–1.0V
I
D
- 漏极电流[mA ]
V
G1S
= 0V
V
G2S
= 0.5V
12
0.25V
8
0V
–0.25V
4
–0.5V
–0.75V
–1.0V
–1.5
–1.0
–0.5
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0
0
–2.0
–2–
SGM2013N
I
D
与V
G2S
10
(V
DS
= 2V)
8
25
V
G1S
= 0V
–0.2V
6
–0.4V
4
–0.6V
2
–0.8V
–1.0V
–1.5
–1.0
–0.5
V
G2S
- 门2至源极电压[V]
0
(V
DS
= 2V)
通用汽车与V
G1S
GM - 正向转移导纳[毫秒]
20
V
G2S
= 0.5V
15
I
D
- 漏极电流[mA ]
10
0.25V
5
0V
–0.25V
–0.5V
–0.75V
–1.5
–1.0
–0.5
V
G1S
- 1号门源电压[ V]
0
0
–2.0
0
–2.0
NF ，嘎与V
G1S
5
(V
DS
= 2V, V
G2S
= 0.5V ， F = 900MHz的）
4
20
4
25
5
NF ，嘎与V
DS
25
20
Ga
NF - 噪声系数（分贝）
3
15
NF - 噪声系数（分贝）
Ga
嘎 - 相关增益（分贝）
3
15
2
NF
1
10
2
NF
1
10
5
5
0
–1.0
0
–0.6
–0.2
–0.8
–0.4
0
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0.2
0
0
2
4
1
3
V
DS
- 漏极至源极电压[ V]
5
0
NF ，嘎与我
D
5
(V
DS
= 2V, V
G2S
= 0.5V ， F = 900MHz的）
25
3.0
NF ，嘎与F
30
(V
DS
= 2V, V
G2S
= 0.5V ，我
D
= 2毫安）
NF分钟 - 最小噪声系数（分贝）
4
嘎 - 相关增益（分贝）
NF - 噪声系数（分贝）
Ga
2.0
20
3
15
1.5
15
2
NF
1
10
1.0
NFmin
0.5
10
5
5
0
0
1
2
3 4 5 6 7 8
I
D
- 漏极电流[mA ]
9
10 11
0
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
的F - 频率[ GHz的]
0
–3–
嘎 - 相关增益（分贝）
Ga
20
2.5
25
嘎 - 相关增益（分贝）
SGM2013N
S参数与频率特性
(V
DS
= 2V, V
G2S
= 0.5V ，我
D
= 2毫安）
f
（兆赫）
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
S11
MAG
0.99
0.99
0.99
0.99
0.98
0.98
0.97
0.96
0.96
0.95
0.94
0.93
0.92
0.91
0.90
0.89
0.88
0.86
0.85
昂
–4.3
–6.4
–8.5
–10.7
–12.8
–15.0
–17.2
–19.3
–21.5
–23.7
–26.0
–28.1
–30.3
–32.6
–34.9
–37.0
–39.0
–41.4
–43.6
MAG
1.01
1.01
1.01
1.01
1.01
1.01
1.01
1.01
1.01
1.00
1.00
1.00
0.99
0.99
0.99
0.98
0.98
0.97
0.97
S21
昂
172.8
169.3
165.9
162.2
158.7
155.1
151.5
147.8
144.3
140.6
137.2
133.6
130.0
126.5
122.8
119.4
115.7
112.1
108.8
MAG
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
S12
昂
87.0
85.4
84.7
83.0
81.9
80.3
78.9
77.8
76.9
75.8
75.0
73.8
72.9
72.8
72.5
71.5
70.9
69.7
68.6
MAG
0.98
0.98
0.98
0.98
0.98
0.98
0.98
0.98
0.97
0.97
0.96
0.96
0.96
0.96
0.96
0.96
0.95
0.95
0.95
S22
昂
–2.0
–3.1
–4.0
–5.2
–6.1
–7.2
–8.3
–9.7
–10.5
–11.7
–12.7
–13.8
–14.8
–15.9
–16.9
–18.0
–19.0
–20.0
–20.6
噪声系数特性
(V
DS
= 2V, V
G2S
= 0.5V ，我
D
= 2毫安）
f
（兆赫）
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
NFmin
（ dB）的
0.76
0.80
0.85
0.90
0.96
1.01
1.06
1.11
1.16
1.21
1.26
1.31
1.36
1.41
1.45
1.51
1.56
1.61
1.67
伽玛优化
昂
0.99
0.99
0.99
0.98
0.96
0.95
0.93
0.91
0.89
0.87
0.85
0.84
0.82
0.81
0.80
0.80
0.80
0.80
0.80
MAG
4.2
6.1
8.0
9.8
11.5
13.2
14.8
16.4
18.0
19.6
21.1
22.6
24.2
25.8
27.4
29.1
30.8
32.5
34.4
Rn
()
85.0
83.9
82.9
81.9
80.9
79.9
79.0
78.1
77.2
76.3
75.5
74.7
74.0
73.3
72.6
71.9
71.3
70.7
70.1
–4–
SGM2013N
包装外形
单位：mm
M-281
2.0 ± 0.2
1.3
3
2
1.25 ± 0.1
0.425
(0.65)
(0.65)
0.9 ± 0.1
4
1
2.1 ± 0.2
0 ± 0.1
+ 0.1
0.3 – 0.05
(0.65)
(0.6)
+ 0.1
0.4 – 0.05
+ 0.1
0.1 – 0.01
1.25
1 ：源
2 ： 1门
3 ： 2门
4 ：漏
包装材料
SONY CODE
EIAJ代码
JEDEC代码
M-281
铅治疗
铅材料
包装重量
环氧树脂
镀锡
铜
0.1g
–5–
SGM2013N
砷化镓N沟道双栅场效应管MES
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
描述
该SGM2013N是N沟道双栅砷化镓
MES FET，用于UHF频段的低噪声放大。这
场效应管是适合于广泛的应用范围
包括蜂窝/无绳电话。
特点
超小型封装
低电压操作
低噪声NF = 1.4分贝（典型值），在900MHz ， NF = 1.7分贝（典型值）为1.5GHz
高增益Ga = 18分贝（典型值），在900MHz ，嘎= 16分贝（典型值）为1.5GHz
高稳定性
内置栅极保护二极管
应用
超高频频带的高频放大器和混频器
结构
砷化镓， N沟道，双栅极金属半导体场效应晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
漏源极电压
V
DSX
1号门至源极电压
V
G1S
2号门至源极电压
V
G2S
漏电流
I
D
允许功耗
P
D
通道温度
储存温度
总胆固醇
TSTG
M-281
6
–4
–4
18
100
125
-55到+150
V
V
V
mA
mW
°C
°C
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E97144-PS
SGM2013N
电气特性
项
1号门至源极电流
符号
I
G1SS
条件
V
G1S
= –3V
V
G2S
= 0V
V
DS
= 0V
V
G2S
= –3V
V
G1S
= 0V
V
DS
= 0V
V
DS
= 2V
V
G1S
= 0V
V
G2S
= 0V
V
DS
= 2V
I
D
= 100A
V
G2S
= 0V
V
DS
= 2V
I
D
= 100A
V
G1S
= 0V
V
DS
= 2V
I
D
= 2毫安
V
G2S
= 0.5V
F = 1kHz时
V
DS
= 2V
I
D
= 2毫安
V
G2S
= 0.5V
F = 1MHz的
V
DS
= 2V
I
D
= 2毫安
V
G2S
= 0.5V
F = 900MHz的
8
11
0.55
15
1.4
15
18
分钟。
典型值。
（ TA = 25°C ）
马克斯。
–4
单位
A
2门源电流
I
G2SS
–4
A
饱和漏电流
1号门源截止
电压
2门源截止
电压
I
DSS
V
G1S
（关闭）
V
G2S
（关闭）
4
16
mA
–1.5
V
–1.5
V
正向转移导纳
输入电容
反馈电容
噪声系数
NF相关的增益
gm
西塞
CRSS
NF
Ga
ms
1
30
2.5
pF
fF
dB
dB
典型特征
（ TA = 25°C ）
I
D
与V
DS
20
(V
G2S
= 0.5V)
16
16
20
(V
DS
= 2V)
I
D
与V
G1S
I
D
- 漏极电流[mA ]
12
–0.2V
8
–0.4V
4
–0.6V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压[ V]
6
–0.8V
–1.0V
I
D
- 漏极电流[mA ]
V
G1S
= 0V
V
G2S
= 0.5V
12
0.25V
8
0V
–0.25V
4
–0.5V
–0.75V
–1.0V
–1.5
–1.0
–0.5
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0
0
–2.0
–2–
SGM2013N
I
D
与V
G2S
10
(V
DS
= 2V)
8
25
V
G1S
= 0V
–0.2V
6
–0.4V
4
–0.6V
2
–0.8V
–1.0V
–1.5
–1.0
–0.5
V
G2S
- 门2至源极电压[V]
0
(V
DS
= 2V)
通用汽车与V
G1S
GM - 正向转移导纳[毫秒]
20
V
G2S
= 0.5V
15
I
D
- 漏极电流[mA ]
10
0.25V
5
0V
–0.25V
–0.5V
–0.75V
–1.5
–1.0
–0.5
V
G1S
- 1号门源电压[ V]
0
0
–2.0
0
–2.0
NF ，嘎与V
G1S
5
(V
DS
= 2V, V
G2S
= 0.5V ， F = 900MHz的）
4
20
4
25
5
NF ，嘎与V
DS
25
20
Ga
NF - 噪声系数（分贝）
3
15
NF - 噪声系数（分贝）
Ga
嘎 - 相关增益（分贝）
3
15
2
NF
1
10
2
NF
1
10
5
5
0
–1.0
0
–0.6
–0.2
–0.8
–0.4
0
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0.2
0
0
2
4
1
3
V
DS
- 漏极至源极电压[ V]
5
0
NF ，嘎与我
D
5
(V
DS
= 2V, V
G2S
= 0.5V ， F = 900MHz的）
25
3.0
NF ，嘎与F
30
(V
DS
= 2V, V
G2S
= 0.5V ，我
D
= 2毫安）
NF分钟 - 最小噪声系数（分贝）
4
嘎 - 相关增益（分贝）
NF - 噪声系数（分贝）
Ga
2.0
20
3
15
1.5
15
2
NF
1
10
1.0
NFmin
0.5
10
5
5
0
0
1
2
3 4 5 6 7 8
I
D
- 漏极电流[mA ]
9
10 11
0
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
的F - 频率[ GHz的]
0
–3–
嘎 - 相关增益（分贝）
Ga
20
2.5
25
嘎 - 相关增益（分贝）
SGM2013N
S参数与频率特性
(V
DS
= 2V, V
G2S
= 0.5V ，我
D
= 2毫安）
f
（兆赫）
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
S11
MAG
0.99
0.99
0.99
0.99
0.98
0.98
0.97
0.96
0.96
0.95
0.94
0.93
0.92
0.91
0.90
0.89
0.88
0.86
0.85
昂
–4.3
–6.4
–8.5
–10.7
–12.8
–15.0
–17.2
–19.3
–21.5
–23.7
–26.0
–28.1
–30.3
–32.6
–34.9
–37.0
–39.0
–41.4
–43.6
MAG
1.01
1.01
1.01
1.01
1.01
1.01
1.01
1.01
1.01
1.00
1.00
1.00
0.99
0.99
0.99
0.98
0.98
0.97
0.97
S21
昂
172.8
169.3
165.9
162.2
158.7
155.1
151.5
147.8
144.3
140.6
137.2
133.6
130.0
126.5
122.8
119.4
115.7
112.1
108.8
MAG
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
S12
昂
87.0
85.4
84.7
83.0
81.9
80.3
78.9
77.8
76.9
75.8
75.0
73.8
72.9
72.8
72.5
71.5
70.9
69.7
68.6
MAG
0.98
0.98
0.98
0.98
0.98
0.98
0.98
0.98
0.97
0.97
0.96
0.96
0.96
0.96
0.96
0.96
0.95
0.95
0.95
S22
昂
–2.0
–3.1
–4.0
–5.2
–6.1
–7.2
–8.3
–9.7
–10.5
–11.7
–12.7
–13.8
–14.8
–15.9
–16.9
–18.0
–19.0
–20.0
–20.6
噪声系数特性
(V
DS
= 2V, V
G2S
= 0.5V ，我
D
= 2毫安）
f
（兆赫）
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
NFmin
（ dB）的
0.76
0.80
0.85
0.90
0.96
1.01
1.06
1.11
1.16
1.21
1.26
1.31
1.36
1.41
1.45
1.51
1.56
1.61
1.67
伽玛优化
昂
0.99
0.99
0.99
0.98
0.96
0.95
0.93
0.91
0.89
0.87
0.85
0.84
0.82
0.81
0.80
0.80
0.80
0.80
0.80
MAG
4.2
6.1
8.0
9.8
11.5
13.2
14.8
16.4
18.0
19.6
21.1
22.6
24.2
25.8
27.4
29.1
30.8
32.5
34.4
Rn
()
85.0
83.9
82.9
81.9
80.9
79.9
79.0
78.1
77.2
76.3
75.5
74.7
74.0
73.3
72.6
71.9
71.3
70.7
70.1
–4–
SGM2013N
包装外形
单位：mm
M-281
2.0 ± 0.2
1.3
3
2
1.25 ± 0.1
0.425
(0.65)
(0.65)
0.9 ± 0.1
4
1
2.1 ± 0.2
0 ± 0.1
+ 0.1
0.3 – 0.05
(0.65)
(0.6)
+ 0.1
0.4 – 0.05
+ 0.1
0.1 – 0.01
1.25
1 ：源
2 ： 1门
3 ： 2门
4 ：漏
包装材料
SONY CODE
EIAJ代码
JEDEC代码
M-281
铅治疗
铅材料
包装重量
环氧树脂
镀锡
铜
0.1g
–5–
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S48SA12010PTFA
SN74LS375D
SN74LVC373AMDBREP
STM706TDS6F
SI5338Q-A-GM
SMBJ5924D
SR3050
SM6T200A
S-80880CLMC-B8Z-T2
S506-5A
S-80958CLNB-G7UT2G
SST89E564RD-40-C-TQJ
ST92F250JCV1TC
SG1501A
SC3BH6
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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    联系人：杨小姐
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    SGM2013
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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23000
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联系人：陈佳隆
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24+
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