STS7PF30L
P沟道30V - 0.16Ω - 7A - SO- 8
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STS7PF30L
■
V
DSS
30V
R
DS ( ON)
<0.021Ω
I
D
7A
标准大纲EASY
自动化表面贴装
装配
低阈值DRIVE
SO-8
■
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的
晶体管显示了极高的包装densisty
对于低导通电阻,崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施,
因此
a
卓越
制造业
重现。
内部原理图
应用
■
电池管理游牧
设备。
电池管理游牧
设备
■
订购代码
销售类型
STS7PF30L
记号
S7PF30L
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2005年11月
第5版
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www.st.com
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2电气特性
STS7PF30L
表6 。
符号
I
SD
源极 - 漏极二极管
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
7
28
I
SD
= 7A ,V
GS
= 0
I
SD
= 7A ,的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 15V ,T
j
= 150°C
(参见图15)
40
46
2.3
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
源极 - 漏极电流
I
SDM
记
1源 - 漏电流(脉冲)
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
( 1 )脉冲受限于安全工作区
(2)当安装在1inch FR-4板(叔
≤
10s)
( 3 )脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
注意:
对于P沟道MOSFET的电压与电流的极性已被反转
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