SGA-4163
产品说明
在SGA - 4163是一款高性能的SiGe HBT MMIC放大器。一
达林顿配置具有1微米发射器提供了高
FT和优异的热性能比较。异质结IN-
折痕击穿电压和最小漏电流BE-
吐温路口。的发射结的非线性取消
导致更高的抑制互调产物。只
2隔直流电容，偏压电阻器和一个可选的RF扼流圈
所需的操作。
SGA-4163Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC -5000兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了后
退火处理，以减轻锡须的形成和符合RoHS
产品特点
每个符合欧盟指令2002/95 。这个包也是制造
factured与不含锑的绿色塑封料
现在，在无铅，符合RoHS可用
兼容， &绿色包装
三氧化二砷，也没有卤化阻燃剂。
宽带运营： DC -5000 MHz的
获得&回波损耗与频率的关系
16
12
增益（dB ）
8
4
0
0
1
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
可级联50欧姆
0
-10
-20
回波损耗（分贝）
工作在单电源
低热阻封装
收益
ORL
IRL
应用
PA驱动放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
IF放大器
无线数据，卫星
-30
T
L
=+25C
-40
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
符号
G
参数
小信号增益
单位
dB
频率
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
分钟。
9.5
典型值。
10.5
9.7
9.6
13.0
12.1
29.7
25.4
5000
马克斯。
11.5
P
1dB
OIP
3
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
DBM
DBM
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
Bandw ID
通过回波损耗确定（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
,
J-升
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 110欧姆
1950年兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
2.9
41
28.0
20.1
5.0
3.2
45
255
3.5
49
测试条件：
I
D
= 45毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
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303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO ， 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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SGA - 4163 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
初步
在重点工作频率典型RF性能
符号
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 8 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 110欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
10.3
10.2
30.2
12.9
10.5
29.7
13.0
23.7
24.3
16.3
4.8
9.7
25.4
12.1
28.0
20.1
17.2
5.0
9.6
23.0
11.1
36.7
18.7
17.6
5.3
9.4
29.1
19.7
15.5
26.7
20.8
16.0
4.6
16.6
17.6
18.4
测试条件：
= 45毫安典型。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
噪声系数与频率的关系
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
7
6
5
4
3
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
绝对限制
90
mA
5V
+18 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
噪声系数（dB ）
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
马克斯。
储存温度
.
T
L
=+25C
2
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
OIP
3
与频率的关系
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
35
30
OIP
3
（ dBm的）
P
1dB
（ dBm的）
18
15
12
9
P
1dB
与频率的关系
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
25
20
T
L
=+25C
15
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
6
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
T
L
=+25C
2.5
3
303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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初步
典型的射频性能过热（
偏置： V
D
= 3.2 V,
I
D
= 45 mA（典型值）
)
|
S
|
与频率的关系
16
12
S
21
（ dB）的
8
4
21
|
S
|
与频率的关系
0
-10
S
11
（ dB）的
-20
-30
11
T
L
0
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
6
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
|
S
|
与频率的关系
-10
-15
S
12
（ dB）的
S
22
（ dB）的
12
|
S
|
与频率的关系
0
-10
22
-20
-25
-20
-30
T
L
-30
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
+25°C
-40°C
+85°C
6
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
注：可在完整的S参数数据
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初步
基本应用电路
R
BIAS
应用电路元件值
频率（MHz）
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
1 uF的
1000
pF
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
1,2
3
SGA-4163
6
4,5
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=45mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
62
8V
110
10 V
150
12 V
200
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
C
D
L
C
A41
安装说明
1.使用大接地焊盘面积接近器件引脚1 ， 2 ，
C
B
C
B
4和5有许多通孔镀敷，如图所示。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
针＃
3
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。为了达到最佳的RF
性能，通路孔尽量接近用
接地引线尽可能减少铅
电感。
一部分标识标记
6 5 4
6 5 4
1, 2, 4, 5
GND
A41
1 2 3
A41Z
1 2 3
6
RF输出和偏置引脚。直流电压是
RF OUT /目前该引脚上，因此DC
偏压阻断电容是必需的
正确的操作。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
产品型号订购信息
产品型号
带尺寸
设备/卷
SGA-4163
SGA-4163Z
7"
7"
3000
3000
303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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SGA - 4163 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
SOT- 363的PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
初步
RF
OUT
RF
IN
注意事项：
1.提供根据设备的大接地焊盘面积
引脚1 ， 2，4， & 5有许多通孔的镀
如图所示。
2.给定的尺寸为50欧姆RF I / O线是
31密耳厚GETEK 。相应规模的不同
板的厚度和介电contants 。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
ments此数据表中的31万做
厚GETEK与两侧1盎司铜。
SOT- 363封装标称尺寸
尺寸以英寸[毫米]
链接到SOT -363封装外形全尺寸和图纸
公差可以在www.sirenza.com产品网页上找到。
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