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gktl
半导体
SG3317 / SG3317 (B )
LED灯
特点
无色透明镜片类型
φ3mm的(T -1)的
所有塑料模具类型
可在磁带
外形尺寸
直筒型
2.80~3.20
单位:
mm
TYPE : ( B)
2.80~3.20
5 . 1 0 ~ 5 . 5 0
2 . 7 0 ~ 3 . 1 0
5 . 1 0 ~ 5 . 5 0
2 . 7 0 ~ 3 . 1 0
1 . 2 0
M | N 。
4 . 7 0 ~ 5 . 7 0
0 . 7 0
M A X 。
1 。 2 7牛逼页。
2 3 . 0 0
M | N 。
0 . 7 0
2 3 . 0 0
M A X 。
M | N 。
1 . 0 0
M | N 。
1 . 0 0
M | N 。
2 。 5 4牛逼页。
2 。 5 4牛逼页。
3 . 5 0 ~ 3 . 9 0
M A X 。
3 . 5 0 ~ 3 . 9 0
M A X 。
1 2
3 . 6 0 ~ 4 . 0 0
1 2
3 . 6 0 ~ 4 . 0 0
引脚连接
1.阳极
2.阴极
0 . 4 5
KSD-O2B009-000
0 . 4 5
1
SG3317 / SG3317 (B )
绝对最大额定值
特征
功耗
正向电流
*
1
最大正向电流
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
*
2
焊接温度
(Ta=25
o
C)
符号
P
D
I
F
I
FP
V
R
T
OPR
T
英镑
T
SOL
等级
75
30
50
4
-25
85
-30
100
260
10
单位
mW
mA
mA
V
* 1.Duty比= 1/16 ,脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2.Keep到LED封装件的底部的距离大于2.0毫米从印刷电路板
电/光特性
特征
正向电压
*
4
发光强度
峰值波长
频谱带宽
反向电流
*
3
半角
(Ta=25
o
C)
符号
V
F
I
V
测试条件
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
V
R
=4V
I
F
= 20mA下
-
35
-
-
-
-
典型值
2.2
-
557
30
-
±22
最大
2.5
100
-
-
10
-
单位
V
MCD
nm
nm
uA
λ
P
λ
I
R
θ1/2
*3.
θ1/2
是离轴角,其中所述发光强度为1/2的峰强度
* 4 。发光强度最大容差为每个等级划分界限是
±18%
* 4 。发光强度分类
I
35~43
J
43~68
K
68~100
KSD-O2B009-000
2
SG3317 / SG3317 (B )
特性图
图。 1 I
F
- V
F
图。 2我
V
- I
F
正向电压V
F
[V]
发光强度I
v
[ MCD ]
前锋
电流I
F
[马]
前锋
电流I
F
[马]
图。 3我
F
- TA
图4频谱分布
电流I
F
[马]
前锋
相对强度[%]
环境温度TA [ ℃ ]
波长
λ
[牛顿米]
图。 5-1辐射图
相对发光强度㈣ [ % ]
KSD-O2B009-000
3
SG3317 / SG3317 (B )
该AUK公司产品用于使用在一般的电子元件
设备(办公室和通信设备,测量设备,家用
设备等)。
请确保您与我们协商,然后再使用这些AUK公司产品前
在需要较高的质量和/或可靠性,设备和在设备,而
可能主要影响到人类生活的福利(原子能控制,飞机,
飞船,运输,燃烧控制,所有类型的安全装置,等等)。 AUK
公司不承担责任,以可能发生的情况下,这些AUK公司的任何损害
产品使用在上述设备不与AUK事先协商
公司..
本出版物中提到的规格如有变更,恕不另行通知。
KSD-O2B009-000
4
gktl
半导体
SG3317 / SG3317 (B )
LED灯
特点
无色透明镜片类型
φ3mm的(T -1)的
所有塑料模具类型
可在磁带
外形尺寸
直筒型
挡块型
±
单位:
mm
5.3±
0.2
2.9±
0.2
5.3±
0.2
2.9±
0.2
5.2±
0.5
0.4
23.0MIN
0.4
23.0MIN
1.0MIN
2.54喃
2.54喃
1.0MIN
1 2
3.8±
0.2
3.6
0.2
1 2
3.8±
0.2
3.6
0.2
引脚连接
1.Anode
2.Cathode
KLG-9002-001
1
SG3317 / SG3317 (B )
绝对最大额定值
特征
功耗
正向电流
*
1
最大正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
*
2
焊接温度
符号
P
D
I
F
I
FP
V
R
T
OPR
T
英镑
T
SOL
评级
85
30
50
4
-2585
-30100
260 ℃ ,持续5秒
单位
mW
mA
mA
V
* 1.Duty比= 1/16 ,脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2.Keep到LED封装件的底部的距离大于2.0毫米从印刷电路板
电气特性
特征
正向电压
* 4Luminous强度
峰值波长
频谱带宽
反向电流
*
3
半角
符号
V
F
I
V
λ
P
Δ
λ
I
R
θ1/2
测试条件
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
V
R
=4V
I
F
= 20mA下
-
17
-
-
-
-
典型值
2.1
43
557
30
-
±22
最大
2.8
100
-
-
10
-
单位
V
MCD
nm
nm
uA
*3.
θ1/2
是离轴角,其中所述发光强度为1/2的峰强度
* 4 。发光强度最大容差为每个等级划分界限是
±18%
* 4 。发光强度分类
H
17~27
I
27~43
J
K
43~68 68~100
KLG-9002-001
2
SG3317 / SG3317 (B )
特性图
图。 1 I
F
- V
F
图。 2我
V
- I
F
正向电压V
F
[V]
发光强度I
v
[ MCD ]
前锋
电流I
F
[马]
前锋
电流I
F
[马]
图。 3我
F
- TA
图4频谱分布
电流I
F
[马]
前锋
环境温度TA [ ℃ ]
相对强度[%]
波长
λ
[牛顿米]
图。 5-1辐射图
相对发光强度㈣ [ % ]
KLG-9002-001
3
gktl
半导体
SG3317 / SG3317 (B )
LED灯
特点
无色透明镜片类型
φ3mm的(T -1)的
所有塑料模具类型
可在磁带
外形尺寸
直筒型
挡块型
±
单位:
mm
5.3±
0.2
2.9±
0.2
5.3±
0.2
2.9±
0.2
5.2±
0.5
0.4
23.0MIN
0.4
23.0MIN
1.0MIN
2.54喃
2.54喃
1.0MIN
1 2
3.8±
0.2
3.6
0.2
1 2
3.8±
0.2
3.6
0.2
引脚连接
1.Anode
2.Cathode
KLG-9002-001
1
SG3317 / SG3317 (B )
绝对最大额定值
特征
功耗
正向电流
*
1
最大正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
*
2
焊接温度
符号
P
D
I
F
I
FP
V
R
T
OPR
T
英镑
T
SOL
评级
85
30
50
4
-2585
-30100
260 ℃ ,持续5秒
单位
mW
mA
mA
V
* 1.Duty比= 1/16 ,脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2.Keep到LED封装件的底部的距离大于2.0毫米从印刷电路板
电气特性
特征
正向电压
* 4Luminous强度
峰值波长
频谱带宽
反向电流
*
3
半角
符号
V
F
I
V
λ
P
Δ
λ
I
R
θ1/2
测试条件
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
V
R
=4V
I
F
= 20mA下
-
17
-
-
-
-
典型值
2.1
43
557
30
-
±22
最大
2.8
100
-
-
10
-
单位
V
MCD
nm
nm
uA
*3.
θ1/2
是离轴角,其中所述发光强度为1/2的峰强度
* 4 。发光强度最大容差为每个等级划分界限是
±18%
* 4 。发光强度分类
H
17~27
I
27~43
J
K
43~68 68~100
KLG-9002-001
2
SG3317 / SG3317 (B )
特性图
图。 1 I
F
- V
F
图。 2我
V
- I
F
正向电压V
F
[V]
发光强度I
v
[ MCD ]
前锋
电流I
F
[马]
前锋
电流I
F
[马]
图。 3我
F
- TA
图4频谱分布
电流I
F
[马]
前锋
环境温度TA [ ℃ ]
相对强度[%]
波长
λ
[牛顿米]
图。 5-1辐射图
相对发光强度㈣ [ % ]
KLG-9002-001
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SG3317B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
SG3317B
√ 欧美㊣品
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