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紫外线选择性的SiC基UV传感器
SG 01S
特点
宽带UVA -UVB - UVC光电二极管
最适合用于UVC高辐射控制
碳化硅陶瓷基片上的极端辐射硬度
征可见失明由于宽禁带半导体材料
TO- 18金属封装0.054毫米
2
有源芯片面积
该芯片是由Cree公司Research公司,美国制造
最大额定值
参数
符号
价值
单位
工作温度范围
反向电压
T
选择
V
RMAX
-25 ... +70
20
°
C
V
修订版1.4
对于价格,交货,并下订单,请联系Scitec在英格兰
Scitec仪器有限公司, Bartles工业村,北街,雷卓斯,康沃尔, TR15 HR
电话: +44 1209 314608传真+44 1209 314609
或访问我们的网站: www.scitec.uk.com
页面1 [4]
紫外线选择性的SiC基UV传感器
SG 01S
一般特性
(T
a
= 25 °C)
参数
符号
价值
单位
活动区域
在暗电流
1 V反向偏压
电容
短路电流
在灿烂的阳光
A
I
d
C
0.054
1
21
mm
fA
pF
2
I
0
约70
nA
光谱特性
(T
a
= 25 °C)
参数
符号
价值
单位
马克斯。光谱灵敏度
波长最大的。光谱灵敏度
光谱灵敏度范围
(S=0.1*S
最大
)
S
最大
λ
SMAX
-
0,13
285
210 - 380
AW
-1
nm
nm
修订版1.4
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紫外线选择性的SiC基UV传感器
SG 01S
线性光谱响应
对数光谱响应
修订版1.4
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SG 01S
应用实例
引脚布局
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特点
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最适合用于UVC高辐射控制
碳化硅陶瓷基片上的极端辐射硬度
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2
有源芯片面积
该芯片是由Cree公司Research公司,美国制造
最大额定值
参数
符号
价值
单位
工作温度范围
反向电压
T
选择
V
RMAX
-25 ... +70
20
°
C
V
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a
= 25 °C)
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活动区域
在暗电流
1 V反向偏压
电容
短路电流
在灿烂的阳光
A
I
d
C
0.054
1
21
mm
fA
pF
2
I
0
约70
nA
光谱特性
(T
a
= 25 °C)
参数
符号
价值
单位
马克斯。光谱灵敏度
波长最大的。光谱灵敏度
光谱灵敏度范围
(S=0.1*S
最大
)
S
最大
λ
SMAX
-
0,13
285
210 - 380
AW
-1
nm
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SG01S
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
SG01S
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