固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com *
www.ssdi-power.com
SFT6800S.5
2 A / 500伏
NPN开关晶体管
产品特点：
开关晶体管
小尺寸表面贴装器件具有优异的
热性能
TX ， TXV ，S级屏蔽可用
PNP可免费提供配件（ SFT1192
系列）
设计师的数据表
SMD.5
最大额定值
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功率耗散@ T
C
= 25C
功率耗散@ T
A
= 25C
工作&储存温度
最大热阻
结到外壳和周围环境
注1 ：
降额333毫瓦/ ° C以上牛逼
C
= 105°C
注2 ：
降额13.33毫瓦/ ° C以上牛逼
A
= 75°C
注1
注2
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
热门& TSTG
R
θJC
R
θJA
价值
400
500
10
2
15
1
-65到+200
3 （典型值2 ）
75
单位
伏
伏
伏
安培
W
C
摄氏度/ W
PIN 1 =集热器; PIN 2 =辐射源; PIN 3 = BASE
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TR0088B
DOC
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com *
www.ssdi-power.com
SFT6800S.5
符号
I
C
= 20毫安
I
C
= 100微安
I
E
= 20微安
V
CB
= 400 V
V
CE
= 450 V, V
BE
= 1.5 V
V
EB
= 6.0 V
V
CE
= 5 V，I
C
= 50毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 500毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 1 A
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 50mA时F = 20
兆赫
V
CB
= 30V ， F = 1 ... 2 MHz的
V
CC
= 330V ，我
C
= 500毫安，
I
B1
=I
B2
= 100毫安;
R
B1
=R
B2
= 330
Ω
V
CC
= 330V ，我
C
= 500毫安，
I
B1
=I
B2
= 100毫安
(R
B1
=R
B2
= 100
,
PW = 2μs）内
电气特性
4/
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流正向电流传输比
*
民
400
500
10
––
––
––
35
40
15
––
––
25
––
––
典型值
––
800
11.5
0.05
0.01
0.01
85
95
50
0.25
0.8
35
30
115
最大
––
––
––
0.2
0.2
0.2
––
––
––
0.5
1.0
––
40
700
单位
伏
伏
伏
μA
μA
μA
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
CEV
I
EBO
H
FE1
H
FE2
H
FE4
V
CE(sat)1
V
BE(sat)1
f
T
C
敖包
t
on
集电极到发射极饱和电压
基极到发射极
饱和电压
频率转换（小信号
电流增益） @ F = 20MHz的
输出电容
开启时间
伏
伏
兆赫
pF
ns
打开-O FF时间
t
关闭
––
1700
2000
ns
注意事项：
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μsec ，占空比= 2 ％
1 /有关订购信息，价格，供货工厂联系。
每MIL -PRF - 19500 2 /筛选
3 /对于包装纲要工厂联系。
4 /除非另有说明，所有电气特性@ 25C 。
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TR0088B
DOC
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com *
www.ssdi-power.com
SFT6800S.5
2 A / 500伏
NPN开关晶体管
产品特点：
开关晶体管
小尺寸表面贴装器件具有优异的
热性能
TX ， TXV ，S级屏蔽可用
PNP可免费提供配件（ SFT1192
系列）
设计师的数据表
SMD.5
最大额定值
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功率耗散@ T
C
= 25C
功率耗散@ T
A
= 25C
工作&储存温度
最大热阻
结到外壳和周围环境
注1 ：
降额333毫瓦/ ° C以上牛逼
C
= 105°C
注2 ：
降额13.33毫瓦/ ° C以上牛逼
A
= 75°C
注1
注2
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
热门& TSTG
R
θJC
R
θJA
价值
400
500
10
2
15
1
-65到+200
3 （典型值2 ）
75
单位
伏
伏
伏
安培
W
C
摄氏度/ W
PIN 1 =集热器; PIN 2 =辐射源; PIN 3 = BASE
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TR0088A
DOC
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com *
www.ssdi-power.com
SFT6800S.5
符号
I
C
= 20毫安
I
C
= 100微安
I
E
= 20微安
V
CB
= 400 V
V
CE
= 450 V, V
BE
= 1.5 V
V
EB
= 6.0 V
V
CE
= 5 V，I
C
= 50毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 500毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 1 A
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 50mA时F = 20
兆赫
V
CB
= 30V ， F = 1 ... 2 MHz的
V
CC
= 330V ，我
C
= 500毫安，
I
B1
=I
B2
= 100毫安;
R
B1
=R
B2
= 330
V
CC
= 330V ，我
C
= 500毫安，
I
B1
=I
B2
= 100毫安
(R
B1
=R
B2
= 100 O,
PW = 2μs）内
电气特性
4/
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流正向电流传输比
*
民
400
500
10
––
––
––
50
40
15
––
––
25
––
––
典型值
––
800
11.5
0.05
0.01
0.01
85
95
50
0.25
0.8
35
30
115
最大
––
––
––
0.2
0.2
0.2
––
––
––
0.5
1.0
––
40
700
单位
伏
伏
伏
A
A
A
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
CEV
I
EBO
H
FE1
H
FE2
H
FE4
V
CE(sat)1
V
BE(sat)1
f
T
C
敖包
t
on
集电极到发射极饱和电压
基极到发射极
饱和电压
频率转换（小信号
电流增益） @ F = 20MHz的
输出电容
开启时间
伏
伏
兆赫
pF
ns
打开-O FF时间
t
关闭
––
1700
2000
ns
注意事项：
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μsec ，占空比= 2 ％
1 /有关订购信息，价格，供货工厂联系。
每MIL -PRF - 19500 2 /筛选
3 /对于包装纲要工厂联系。
4 /除非另有说明，所有电气特性@ 25C 。
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TR0088A
DOC
QQ：2881677436 复制
