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STPS40SM60C
功率肖特基整流器
特点
A1
K
A2
高电流能力
额定雪崩
低正向压降
高频率运行
K
K
A2
A2
A1
K
描述
该STPS40SM60C是一款双肖特基二极管
整流器,适合于高频开关模式
电源。
封装采用TO- 220AB ,我PAK和D PAK ,这
装置适用于笔记本,游戏机被使用
站和台式机适配器,提供这些
应用是非常好的效率低和
高负荷。
表1中。
设备简介
符号
I
F( AV )
V
RRM
V
F
(典型值)
T
j
(最大)
价值
2× 20 A
60 V
0.405 V
150 °C
2
2
A1
D
2
PAK
STPS40SM60CG-TR
I
2
PAK
STPS40SM60CR
K
A2
A1
K
TO-220AB
STPS40SM60CT
图1 。
V
I
电气特性
(a)
I
"Forward"
2 ×1
O
I
F
X
V
RRM
V
R
V
AR
I
O
X
V
I
R
VTO V
F( IO)
V
F
V
F(2xIo)
"Reverse"
I
AR
A. V
ARM
ARM
必须尊重反向安全
在工作区中定义
图12 。
V
AR
AR
脉冲测量(T
p
< 1微秒) 。 V
R
, I
R
, V
RRM
和V
F
,
是静态的特征
2011年11月
文档编号022031版本1
1/10
www.st.com
10
特征
STPS40SM60C
1
特征
表2中。
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
绝对额定值(限制值,每二极管,在T
AMB
= 25°C ,除非
另有规定)
参数
反向重复峰值电压
正向电流有效值
平均正向电流,
δ
= 0.5
浪涌不重复正向电流
T
c
= 130 ℃,每二极管
T
c
= 125 ℃,每设备
t
p
= 10毫秒的正弦波
T
j
= 25 ° C,T
p
= 1 s
价值
60
60
20
A
40
400
18800
80
80
-65到+175
150
A
W
V
V
°C
°C
单位
V
A
P
ARM(1)
重复峰值雪崩功率
V
ARM(2)
V
ARM(2)
T
英镑
T
j
最大重复峰值
雪崩电压
最大单脉冲
峰值雪崩电压
存储温度范围
最大工作结温
(3)
t
p
< 1微秒,T
j
< 150℃,我
AR
< 70.5一
t
p
< 1微秒,T
j
< 150℃,我
AR
< 70.5一
1.对于温度或脉冲持续时间降额请参阅
图4
5.
有关更多详细信息
雪崩能量测量和验证二极管的雪崩是在应用程序中提供
笔记AN1768和AN2025 。
2.见
图12
3.
1
dPtot <
条件,以避免热失控的自身散热片的二极管
Rth的第(j-一)
DTJ
表3中。
符号
R
日(J -C )
R
TH( C)
热学参数
参数
结到外壳
耦合
每二极管
价值
1.3
0.73
0.15
单位
° C / W
° C / W
当两个二极管1和2同时使用:
ΔT
j
(二极管1) = P(二极管1)个R
日(J -C )
(每二极管) + P(二极管2 )个R
TH( C)
2/10
文档编号022031版本1
STPS40SM60C
表4 。
符号
I
R(1)
特征
静态电气特性(每二极管)
参数
反向漏电流
测试条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
R
= V
RRM
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
20
15
0.495
0.405
0.565
0.510
马克斯。
90
50
0.535
0.460
0.625
0.575
V
单位
A
mA
V
F(2)
正向电压降
1.脉冲测试:吨
p
= 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
2.脉冲测试:吨
p
= 380 s,
δ
& LT ; 2 %
为了评估损失使用下面的方程的导通:
P = 0.415 ×1
F( AV )
+ 0.008 ×1
F
2
( RMS)
图2中。
正向平均功耗如图3所示。
与平均正向电流
(每二极管)
24
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
平均正向电流随
环境温度
( δ = 0.5,每二极管)
18
16
14
12
10
P
F( AV )
(W)
δ
=1
I
F( AV )
(A)
RTH ( J- A)=的Rth (J -C )
20
16
12
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
T
δ
= t
p
/ T
8
4
t
p
I
F( AV )
(A)
24
26
0
0
25
50
T
AMB
(°C)
75
100
125
150
图4中。
归一化的雪崩功率
降额与脉冲持续时间
图5中。
归一化的雪崩功率
降额与结
温度
1
P
ARM
( TP)的
P
ARM
(1s)
1.2
1
P
ARM
(T
j
)
P
ARM
(25 °C)
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
t
p
(s)
0.1
1
10
100
1000
0
25
T
j
(°C)
50
75
100
125
150
文档编号022031版本1
3/10
特征
STPS40SM60C
图6 。
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
(最大值,每个二极管)
图7 。
相对热阻抗
结到外壳与脉冲
长短
280
240
200
160
120
80
40
I
M
(A)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
T
c
= 25 °C
T
c
= 75 °C
T
c
= 125 °C
t
δ
= 0.5
1.E-02
1.E-01
0.5
0.4
0.3
Z
日(J -C )
/R
日(J -C )
I
M
0.2
0.1
单脉冲
0
1.E-03
T( S)
1.E+00
0.0
1.E-04
t
p
(s)
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
网络连接gure 8 。
反向漏电流对
反向电压应用
(典型值,每二极管)
T
j
= 150 °C
图9 。
结电容与
反向电压应用
(典型值,每二极管)
F = 1 MHz的
V
OSC
= 30毫伏
RMS
T
j
= 25 °C
1.E+02
I
R
(MA )
10000
C( pF)的
1.E+01
T
j
= 125 °C
T
j
= 100 °C
T
j
= 75 °C
1000
1.E+00
1.E-01
T
j
= 50 °C
T
j
= 25 °C
1.E-02
1.E-03
0
10
20
30
40
50
V
R
(V)
60
100
1
10
V
R
(V)
100
图10.正向压降与
正向电流(每二极管)
I(A )
1000.0
FM
图11.热阻结到
环境与铜表面
根据标签
80
70
R
号(j -a)的
( ° C / W)
环氧树脂印刷电路板铜箔厚度= 35微米
100.0
T
j
= 125 °C
(最大值)
T
j
= 125 °C
(典型值)
60
50
PAK
2
10.0
T
j
= 25 °C
(最大值)
40
30
1.0
20
10
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
FM
(V)
1.4
1.6
0
0
5
10
15
20
25
30
S
Cu
(厘米)
35
40
2
4/10
文档编号022031版本1
STPS40SM60C
图12.反向安全工作区(T
p
< 1微秒和T
j
< 150 ° C)
75.0
70.0
65.0
60.0
55.0
50.0
45.0
40.0
35.0
30.0
80 85 90
V
ARM
(V)
I
ARM
(A)
I
ARM
(V
ARM
) 150 ° C,为1μs
特征
95 100 105 110 115 120
文档编号022031版本1
5/10
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ST
24+
9850
TO-220
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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