固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFT5333A
2安培， 100伏特
高速PNP晶体管
设计师的数据表
零件编号/订购信息
1/
SFT5333A __
__
│
└
SCRE
效果图创作
│
│
│
│
└
包
2/
__
=不屏蔽
产品特点：
耐辐射
快速切换，为150ns最大T（上）
高频率，FT的85MHz分钟。
BVCEO 70伏特分钟。
低饱和电压
200°C的工作温度，金共晶芯片粘接
专为配套使用带SFT4300A
TX ， TXV ，S级屏蔽可用
2/
- 向厂家咨询
TX = TX水平
TXV = TXV水平
S
= S级
__
- TO-5
最大额定值
3/
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗
@ TC = 100℃
减免上述100℃
工作&储存温度
最大热阻
结到外壳
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
D
热门& TSTG
R
θJC
TO-5
价值
70
100
6
2
1
15
150
-65到+200
7
单位
伏
伏
伏
安培
安培
W
毫瓦/℃
C
摄氏度/ W
注意事项：
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μsec ，占空比= 2 ％
1 /有关订购信息，价格，工作曲线，并
可用性 - 联系工厂。
2 /筛选基于MIL- PRF- 19500 。筛选流
可根据要求提供。
3 /除非另有说明，所有电气特性
@25C.
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TR0054C
DOC
固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFT5333A
符号
I
C
= 30毫安
I
C
= 200A
I
E
= 200A
V
CB
= 90V ，T
C
= 25C
V
CB
= 90V ，T
C
= 100C
V
CE
= 40V
V
EB
= 6V
I
C
= 1A
I
C
= 2A
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
I
C
= 2A ，我
B
= 200毫安
I
C
= 2A ，V
CE
= 4V
DC
V
CE
= 10V ，我
C
= 1A
DC
， F = 10MHz时
电气特性
4/
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 截止电流
集电极 - 截止电流
发射器 - 截止电流
直流电流增益*
(V
CE
= 5V)
集电极 - 发射极饱和电压*
基地 - 发射极电压*
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
启动时间
关闭时间
民
70
100
6
––
––
––
40
40
––
––
––
85
––
––
––
––
最大
––
––
––
1
75
5
1
250
––
0.45
1.0
1.5
––
75
300
150
450
单位
伏
伏
伏
A
A
A
––
伏
伏
兆赫
pF
pF
纳秒
纳秒
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
ob
C
ib
t
ON
t
关闭
V
CB
= 30V ，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
V
BE
= 6V ，我
C
= 0A ， F = 1MHz的
V
CC
= 20V ，我
C
= 1A
DC
,
V
EB （O FF ）
= 3.7V,
I
B1
= I
B2
= 100毫安
DC
, R
L
= 20
TO-5
引脚分配
包
TO-5
销1
辐射源
销2
BASE
引脚3 （案例）
集热器
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TR0054C
DOC
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
SFT5333A
2 AMP
100伏
高速
PNP晶体管
TO-5
设计师的数据表
产品特点：
耐辐射
快速切换，为150ns最大T（上）
高频率，FT的85MHz分钟。
BVCEO 70Volts MIN 。
低饱和电压。
200
o
C操作，金共晶芯片粘接。
专为配套使用带SFT4300A 。
最大额定值
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ T
C
=100
o
C
减免上述100
o
C
工作和存储温度
热阻，结到外壳
电气特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
=30mA
DC
)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=200uA
DC
)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
=200uA
DC
)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=90V
DC ，
T
C
=25
o
C)
(V
CB
=90V
DC
, T
C
=100
o
C)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=40V
DC
)
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J,
T
英镑
R
θ
JC
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
首席执行官
价值
70
100
6
2
1
15
150
-65到+200
6.6
民
70
100
6
-
-
最大
-
-
-
1
75
5
单位
伏
伏
伏
安培
安培
W
毫瓦/
o
C
o
C
o
C / W
单位
V
V
V
A
A
A
数据表＃ ： TR0054B
SFT5333A
电气特性
发射Cuto FF电流
(V
EB
=6V
DC
)
直流电流增益*
(I
C
=1.0A
DC ，
V
CE
=5V
DC
)
(I
C
=2.0A
DC ，
V
CE
=5V
DC
)
集电极 - 发射极饱和电压*
(I
C
=1.0A
DC ，
I
B
=100mA
DC
)
(I
C
=2.0A
DC ，
I
B
=200mA
DC
)
基极 - 发射极电压*
(I
C
=2.0A
DC ，
V
CE
=4V
DC
)
电流增益带宽积
(I
C
=1.0A
DC ，
V
CE
=10V
DC ，
F = 10MHz时）
输出电容
(V
CB
=30V
DC ，
I
E
=0A
DC ，
F = 1.0MHz的）
输入电容
(V
BE
=6V
DC ，
I
C
=0A
DC ，
F = 1.0MHz的）
启动时间
关闭时间
(V
CC
=20V
DC ，
I
C
=1.0A
DC
,
V
EB （O FF ）
=3.7V
DC
,
I
B1
=I
B2
=100mA
DC
, R
L
= 20欧姆）
固态器件， INC 。
符号
I
EBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
fT
C
ob
C
ib
t
（上）
t
（关闭）
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
民
-
40
40
最大
1
单位
A
250
0.45
1.0
V
DC
V
DC
兆赫
pf
pf
-
85
-
-
1.5
-
75
300
150
450
ns
ns
*脉冲测试：脉冲宽度= 300US ，占空比= 2 ％
案例概述： TO- 5
PIN 1 ：辐射源
PIN 2 ： BASE
PIN 3 ：收藏家
QQ：2880707522 复制
