SFH6943
低电流输入
迷你光电耦合器
特点
在SOT223晶体管光耦/ 10
包
最终可堆叠, 1.27毫米间距
低电流输入
非常高的点击率, 150 %的典型
I
F
= 1毫安,
V
CE
=5 V
良好的CTR线性对战正向电流
小CTR退化
场效应稳定了三重奏
(透明离子盾)
高集电极 - 发射极电压,
V
首席执行官
=70 V
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
隔离测试电压: 1768 V
RMS
应用
电信
SMT
- PCMCIA
仪表
描述
该SFH6943是一个四通道小型光耦合器
适用于高密度封装的印刷电路板的应用
化。它有一个最低的1768 V
RMS
从隔离
输入至输出。该装置包括四个光子
totransistors的探测器。每个通道指示,后跟
vidually控制。光电耦合器装在
一个SOT223 / 10封装。的所有的阴极
输入LED和输出的所有的收集器
晶体管commoned启用引脚数量
减少从16引脚到10引脚,一个显着的
节省空间相比,四个通道
电单独隔离。
尺寸以英寸(毫米)
10°
阳极1
.016 (.41)
阳极2
常见的3
阴极
阳极4
阳极5
.018 (.46)
.063
±.004
(1.60
±.10)
.035
(.90)
0.004 (.10)
马克斯。
.01 (.25) R
0.010 R
(.25)
45°
.276
±.008
(7.01
±.20)
10发射器1
9发射器2
8常见
集热器
7发射器3
6发射4
.002 +.002
–.001
(.05 +.05
–.03)
.256
±.004
.043
(6.50
±.10)
(1.09)
.200
±.005
(5.08
±.13)
7°
0.138
±.004
(3.51
±.10)
0.020
±.004
(.51
±.10)
10°
0°–7°
7°
0.020 ( 0.51 )分。
绝对最大额定值
发射器( GaAlAs的)
反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V
直流正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
正向电流浪涌(
t
P
≤
10
S) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
总功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.10毫瓦
检测器(硅光电晶体管)
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.70 V
发射极 - 集电极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7 V
集电极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
浪涌集电极电流(
t
P
<1毫秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
总功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.20毫瓦
包绝缘
隔离测试电压(发射器和检测器之间,
参阅气候DIN 40046 ,第2部分11月74 )中,t = 1秒。 。 。 。 。 。 。 。 0.1768 V
RMS
爬电距离。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
≥
4 mm
通关。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
≥
4 mm
符合DIN IEC 112 / VDE0303 ,第1部分漏电起痕指数。 。 。 。 。 。 。 175
绝缘电阻
V
IO
=100 V,
T
A
=25
°
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
≥
10
11
V
IO
=100 V,
T
A
=100
°
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
≥
10
10
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 , - 55至+ 150
°
C
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 , - 55至+ 100
°
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100
°
C
焊接温度(T = 10秒。最大。 )
浸焊加再溢流焊接工艺。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260
°
C
2001年在网络霓虹技术公司光电事业部加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto 1-888-在网络氖( 1-888-463-4636 )
2–319
3月4日, 2000-23