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日前,Vishay
SFH6943
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出, SOT223 / 10 ,四
通道
特点
在SOT223 / 10套餐晶体管光耦
年底可堆叠, 1.27毫米间距
低电流输入
非常高的点击率, 150 %的典型,在我
F
= 1毫安,
V
CE
= 5 V
良好的CTR线性对战正向电流
未成年人CTR退化
高集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
=70 V
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
A1
A2
COM 。 C3
A4
A5
10 E1
9 E2
8 COM 。
7 E3
6 E4
i179077
隔离测试电压: 1768 V
RMS
机构认证
UL文件# E76222系统代码V
CSA 93751
应用
电信
SMT
PCMCIA
仪器仪表
输出。该装置包括四个光电晶体管
作为探测器。每个通道都可以单独控制。
光电耦合器装在一个SOT223 / 10封装。
输入LED的所有阴极和所有collec-
输出晶体管的器是常见的启用
从16引脚引脚数量减少到10针,一个显
积蓄着的空间相比,四个通道
电单独隔离。
订购信息
部分
SFH6943-2
SFH6943-3
SFH6943-4
备注
CTR 63 - 200 % , SMD- 10
CTR 100 - 320 % , SMD- 10
CTR 160 - 500 % , SMD- 10
描述
该SFH6943是一个四通道小型光耦合器suit-
能够为高密度封装的PCB应用。它
有一个最低的1768 V
RMS
隔离从输入到
有关可用选项的更多信息,请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
t
P
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
3
5
100
10
单位
V
mA
mA
mW
文档编号83688
修订版1.3 , 20 -APR- 04
www.vishay.com
1
SFH6943
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
浪涌集电极电流
总功耗
t
P
& LT ; 1毫秒
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
FSM
P
DISS
价值
70
7
10
20
20
日前,Vishay
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压(间
发射器和检测器,参考
气候DIN 40046第2部分,
十一月74 )
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ,第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 100 V,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 100 V,T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度,浸
加焊回流焊
过程的
T = 10秒。最大
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
t为1秒。
符号
V
ISO
价值
1768
单位
V
RMS
4
4
175
10
11
10
12
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
°C
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
V
R
= 3 V
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
测试条件
I
F
= 5毫安
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
典型值。
1.25
0.01
5
1000
10
最大
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 发射极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
测试条件
I
CE
= 10
A
I
EC
= 10
A
V
CE
= 5 V , F = 1兆赫
符号
V
首席执行官
V
ECO
C
CE
R
thJA
I
首席执行官
70
7
6
500
50
典型值。
最大
单位
V
V
pF
K / W
nA
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2
文档编号83688
修订版1.3 , 20 -APR- 04
日前,Vishay
耦合器
参数
耦合电容
测试条件
符号
C
C
典型值。
1
SFH6943
威世半导体
最大
单位
pF
电流传输比
参数
耦合传输比
测试条件
I
F
= 1毫安, V
CE
= 1.5 V
部分
SFH6943-2
SFH6943-3
SFH6943-4
I
F
= 0.5毫安, V
CC
= 5 V
SFH6943-2
SFH6943-3
SFH6943-4
符号
I
E
/I
F
I
E
/I
F
I
E
/I
F
I
E
/I
F
I
E
/I
F
I
E
/I
F
63
100
160
32
50
80
100
160
250
典型值。
最大
200
320
500
单位
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
测试条件
I
E
= 2毫安,R
E
= 100
,
V
CC
= 5 V
I
E
= 2毫安,R
E
= 100
,
V
CC
= 5 V
I
E
= 2毫安,R
E
= 100
,
V
CC
= 5 V
I
E
= 2毫安,R
E
= 100
,
V
CC
= 5 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
典型值。
3
2.6
3.1
2.8
最大
单位
s
s
s
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
IF
IFA
VCC = 5 V
V0
F = 10千赫
DF = 50%
IE = 2毫安
isfh6943_01
VO
RE = 100
isfh6943_02
tR
tF
花花公子
图。 1开关时间(典型值)。
图。 2开关波形
文档编号83688
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3
SFH6943
威世半导体
日前,Vishay
101
103
VF = F( IF)的
102
–2
IF = 0 ,
ICEO = F ( VCE )
°
100
IF / MA
50
°
25
°
85
101
ICEO / NA
100
10–1
10–2
10–1
10–2
.8
isfh6943_03
10–3
.9
1
VF / V
1.1
1.2
1.3
1.4
isfh6943_06
0
10
20
30
40
VCE / V
50
60
70
图。 3个LED电流与LED的电压
图。 6集电极 - 发射极漏电流(典型值)。
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
NCTR
归一
IF = 1毫安,
NCTR = F( IF)的
VCE = 1.5 V
IF = 1毫安
8
7
6
5
IF / MA
IF = F
1.0
.8
.6
.4
.2
0
10
–4
4
3
2
1
0
isfh6943_04
I F / A
10
–3
10
–2
0
isfh6943_07
10
20
30
40 50
TA /°C的
60
70
80
90 100
图。 4非饱和电流传输
图。 7容许正向电流二极管
25.0
22.5
20.0
17.5
15.0
CCE / PF
30
F = 1MHz时,
CCE = F ( VCE )
P合计= F ( TA )
25
20
15
P合计/ MW
晶体管
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0
10–2
10–1
VCE / V
100
101
102
CE
10
5
0
0
10
20
30
40
50
二极管
60
70
80
90
100
isfh6943_05
isfh6943_08
TA /°C的
图。 5晶体管的电容(典型值)。
图。 8允许功耗
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4
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日前,Vishay
SFH6943
威世半导体
103
IF = 1毫安,
VCC = 5 V ,
吨, TR ,花花公子, TT = F ( RL )
吨关闭
tf
25
ICE = 1 (VCE , IF)的
20
10
15
我CE / MA
T /美国
T ON
101
tr
10
5
100
10
2
isfh6943_09
0
10 3
RL / OHM
10 4
10 5
isfh6943_10
10
-2
-1
10
V CE / V
10
0
1
10
10
2
图。 9
图。 10晶体管输出特性
包装尺寸以英寸(毫米)
10°
.016 (.41)
.043
(1.09)
.200 ± .005
(5.80 ± .13)
.018 (.46)
.063 ± .004
(1.60 ± .10)
.256 ± .004
(6.50 ± .10)
0.004 (.10)
0.138 ± .004
马克斯。
(3.51 ± .10)
.01 (.25) R
0.020 ± .004
(.51 ± .10)
10°
0°–7°
.035
(.90)
.002 +.002
–.001
(.05 +.05
–.03)
0.010R
(.25)
45°
.276 ± .008
(7.01 ± .20)
0.020 ( 0.51 )分。
R .005(.13)
ISO方法A
.010 (.25)
.053 (1.35)
.050 (1.27)
.040 (1.02)
i178044
.024 (.61)
.026 (.66)
.216 (5.49)
.296 (7.52)
文档编号83688
修订版1.3 , 20 -APR- 04
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5
SFH6943
低电流输入
迷你光电耦合器
特点
在SOT223晶体管光耦/ 10
最终可堆叠, 1.27毫米间距
低电流输入
非常高的点击率, 150 %的典型
I
F
= 1毫安,
V
CE
=5 V
良好的CTR线性对战正向电流
小CTR退化
场效应稳定了三重奏
(透明离子盾)
高集电极 - 发射极电压,
V
首席执行官
=70 V
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
隔离测试电压: 1768 V
RMS
应用
电信
SMT
- PCMCIA
仪表
描述
该SFH6943是一个四通道小型光耦合器
适用于高密度封装的印刷电路板的应用
化。它有一个最低的1768 V
RMS
从隔离
输入至输出。该装置包括四个光子
totransistors的探测器。每个通道指示,后跟
vidually控制。光电耦合器装在
一个SOT223 / 10封装。的所有的阴极
输入LED和输出的所有的收集器
晶体管commoned启用引脚数量
减少从16引脚到10引脚,一个显着的
节省空间相比,四个通道
电单独隔离。
尺寸以英寸(毫米)
10°
阳极1
.016 (.41)
阳极2
常见的3
阴极
阳极4
阳极5
.018 (.46)
.063
±.004
(1.60
±.10)
.035
(.90)
0.004 (.10)
马克斯。
.01 (.25) R
0.010 R
(.25)
45°
.276
±.008
(7.01
±.20)
10发射器1
9发射器2
8常见
集热器
7发射器3
6发射4
.002 +.002
–.001
(.05 +.05
–.03)
.256
±.004
.043
(6.50
±.10)
(1.09)
.200
±.005
(5.08
±.13)
0.138
±.004
(3.51
±.10)
0.020
±.004
(.51
±.10)
10°
0°–7°
0.020 ( 0.51 )分。
绝对最大额定值
发射器( GaAlAs的)
反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V
直流正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
正向电流浪涌(
t
P
10
S) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
总功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.10毫瓦
检测器(硅光电晶体管)
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.70 V
发射极 - 集电极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7 V
集电极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
浪涌集电极电流(
t
P
<1毫秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
总功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.20毫瓦
包绝缘
隔离测试电压(发射器和检测器之间,
参阅气候DIN 40046 ,第2部分11月74 )中,t = 1秒。 。 。 。 。 。 。 。 0.1768 V
RMS
爬电距离。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
4 mm
通关。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
4 mm
符合DIN IEC 112 / VDE0303 ,第1部分漏电起痕指数。 。 。 。 。 。 。 175
绝缘电阻
V
IO
=100 V,
T
A
=25
°
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
11
V
IO
=100 V,
T
A
=100
°
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
10
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 , - 55至+ 150
°
C
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 , - 55至+ 100
°
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100
°
C
焊接温度(T = 10秒。最大。 )
浸焊加再溢流焊接工艺。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260
°
C
2001年在网络霓虹技术公司光电事业部加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto 1-888-在网络氖( 1-888-463-4636 )
2–319
3月4日, 2000-23
特征
(
T
A
=25
°
C,除非另有规定编)
描述
发射器( IR砷化镓)
正向电压,
I
F
± 5毫安
反向电流,
V
R
=3 V
电容,
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
热阻
检测器(硅光电晶体管)
集电极 - 发射极电压,I
CE
=10
A
发射极 - 集电极电压,I
EC
=10
A
电容,
V
CE
= 5 V , F = 1兆赫
热阻
耦合电容
描述
耦合传输比
耦合传输比
集电极 - 发射极漏电流
C
C
符号
-2
63–200
(典型值) , 100 (
32)
50
1
-3
100–320
(典型值) , 160 (
50)
50
pF
-4
160–500
(典型值) , 250 (
80)
50
单位
%
%
nA
条件
符号
分钟。
70
7
典型值。
1.25
0.01
5
1000
6
500
马克斯。
10
单位
V
A
pF
K / W
V
V
pF
K / W
V
F
I
R
C
0
R
thJA
V
首席执行官
V
ECO
C
CE
R
thJA
I
E/
I
F
I
E/
I
F
I
首席执行官
I
F
= 1毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CC
=5 V
V
CE
=10 V
图1.开关时间(不饱和) ,典型的
I
F
V
CC
=5 V
F = 10千赫
V
O
D
F
=50%
I
E
= 2毫安
R
E
=100
图2.开关波形(非饱和的)
I
F
V
0
t
R
t
ON
t
关闭
t
F
描述
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
符号
价值
3
2.6
3.1
2.8
单位
TEST
条件
t
on
t
r
t
关闭
t
f
s
I
E
= 2毫安
R
E
=100
T
A
=25
°
C
V
CC
=5 V
2001年在网络霓虹技术公司光电事业部加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto 1-888-在网络氖( 1-888-463-4636 )
2–320
SFH6943
3月4日, 2000-23
图3. LED电流与LED
电压
V
F
=f(
I
F
)
10
1
85
50
°
2 5
°
–2
°
5
°
图6.集电极 - 发射极漏
电流(典型值)。
I
F
=0,
T
A
=25°C,
I
首席执行官
= F(V
CE
)
10
3
图9 。
T
A
=25°C,
I
F
= 1毫安,
V
CC
=5 V,
t
on
,
t
r
,
t
关闭
,t
t
= F (r
L
)
10
3
10
2
10
10
0
10
1
t
关闭
t
f
I
F
/ MA
I
首席执行官
/ NA
T /美国
10
0
10
–1
t
on
10
1
t
r
10
–1
10
–2
10
–2
.8
.9
1 1.1
V
F
/V
1.2 1.3 1.4
10
–3
0
10
20 30 40
V
CE
/ V
50 60 70
10
0
10
2
10
3
RL / OHM
10
4
10
5
S F H 6 9 4 1 / F 1
图4.非饱和电流传输
归一
I
F
= 1毫安, NCTR = F (
I
F
)
2. 0
1. 8
1. 6
1. 4
1. 2
NCTR
1. 0
.8
.6
V
权证
= 1 .5V
T
A
= 25° C
I
F
= 1毫安
图7.允许向前
流二极管
I
F
= F (T
A
=25°C)
8
7
6
5
4
3
2
图10.晶体管输出character-
istics
T
A
= 25 ° C,I
CE
=1 (V
CE
,
I
F,
)
.4
.2
0
10
– 4
I
F
/A
1 0
–3
10
–2
1
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
A
/
°C
图5.晶体管电容
(典型值)。
T
A
=25
°
C,F = 1MHz时,
C
CE
=f(
V
CE
)
25.0
22.5
20.0
17.5
15.0
图8.允许功率
耗散
P
合计
= F (T
A
)
30
I
F
/ MA
25
TR ANSISTOR
20
C
CE
/
P
F
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0
P
吨OT
/男女
C
CE
15
二极管
10
5
10
–2
10
–1
10
0
10
1
10
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
A
/° C
SFH6943
2–321
3月4日, 2000-23
V
CE
/V
2001年在网络霓虹技术公司光电事业部加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto 1-888-在网络氖( 1-888-463-4636 )
日前,Vishay
SFH6943
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出, SOT223 / 10 ,四
通道
特点
在SOT223 / 10套餐晶体管光耦
年底可堆叠, 1.27毫米间距
低电流输入
非常高的点击率, 150 %的典型,在我
F
= 1毫安,
V
CE
= 5 V
良好的CTR线性对战正向电流
未成年人CTR退化
高集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
=70 V
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
A1
A2
COM 。 C3
A4
A5
10 E1
9 E2
8 COM 。
7 E3
6 E4
i179077
隔离测试电压: 1768 V
RMS
机构认证
UL文件# E76222系统代码V
CSA 93751
应用
电信
SMT
PCMCIA
仪器仪表
输出。该装置包括四个光电晶体管
作为探测器。每个通道都可以单独控制。
光电耦合器装在一个SOT223 / 10封装。
输入LED的所有阴极和所有collec-
输出晶体管的器是常见的启用
从16引脚引脚数量减少到10针,一个显
积蓄着的空间相比,四个通道
电单独隔离。
订购信息
部分
SFH6943-2
SFH6943-3
SFH6943-4
备注
CTR 63 - 200 % , SMD- 10
CTR 100 - 320 % , SMD- 10
CTR 160 - 500 % , SMD- 10
描述
该SFH6943是一个四通道小型光耦合器suit-
能够为高密度封装的PCB应用。它
有一个最低的1768 V
RMS
隔离从输入到
有关可用选项的更多信息,请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
t
P
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
3
5
100
10
单位
V
mA
mA
mW
文档编号83688
修订版1.3 , 20 -APR- 04
www.vishay.com
1
SFH6943
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
浪涌集电极电流
总功耗
t
P
& LT ; 1毫秒
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
FSM
P
DISS
价值
70
7
10
20
20
日前,Vishay
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压(间
发射器和检测器,参考
气候DIN 40046第2部分,
十一月74 )
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ,第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 100 V,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 100 V,T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度,浸
加焊回流焊
过程的
T = 10秒。最大
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
t为1秒。
符号
V
ISO
价值
1768
单位
V
RMS
4
4
175
10
11
10
12
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
°C
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
V
R
= 3 V
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
测试条件
I
F
= 5毫安
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
典型值。
1.25
0.01
5
1000
10
最大
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 发射极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
测试条件
I
CE
= 10
A
I
EC
= 10
A
V
CE
= 5 V , F = 1兆赫
符号
V
首席执行官
V
ECO
C
CE
R
thJA
I
首席执行官
70
7
6
500
50
典型值。
最大
单位
V
V
pF
K / W
nA
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2
文档编号83688
修订版1.3 , 20 -APR- 04
日前,Vishay
耦合器
参数
耦合电容
测试条件
符号
C
C
典型值。
1
SFH6943
威世半导体
最大
单位
pF
电流传输比
参数
耦合传输比
测试条件
I
F
= 1毫安, V
CE
= 1.5 V
部分
SFH6943-2
SFH6943-3
SFH6943-4
I
F
= 0.5毫安, V
CC
= 5 V
SFH6943-2
SFH6943-3
SFH6943-4
符号
I
E
/I
F
I
E
/I
F
I
E
/I
F
I
E
/I
F
I
E
/I
F
I
E
/I
F
63
100
160
32
50
80
100
160
250
典型值。
最大
200
320
500
单位
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
测试条件
I
E
= 2毫安,R
E
= 100
,
V
CC
= 5 V
I
E
= 2毫安,R
E
= 100
,
V
CC
= 5 V
I
E
= 2毫安,R
E
= 100
,
V
CC
= 5 V
I
E
= 2毫安,R
E
= 100
,
V
CC
= 5 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
典型值。
3
2.6
3.1
2.8
最大
单位
s
s
s
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
IF
IFA
VCC = 5 V
V0
F = 10千赫
DF = 50%
IE = 2毫安
isfh6943_01
VO
RE = 100
isfh6943_02
tR
tF
花花公子
图。 1开关时间(典型值)。
图。 2开关波形
文档编号83688
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3
SFH6943
威世半导体
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101
103
VF = F( IF)的
102
–2
IF = 0 ,
ICEO = F ( VCE )
°
100
IF / MA
50
°
25
°
85
101
ICEO / NA
100
10–1
10–2
10–1
10–2
.8
isfh6943_03
10–3
.9
1
VF / V
1.1
1.2
1.3
1.4
isfh6943_06
0
10
20
30
40
VCE / V
50
60
70
图。 3个LED电流与LED的电压
图。 6集电极 - 发射极漏电流(典型值)。
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
NCTR
归一
IF = 1毫安,
NCTR = F( IF)的
VCE = 1.5 V
IF = 1毫安
8
7
6
5
IF / MA
IF = F
1.0
.8
.6
.4
.2
0
10
–4
4
3
2
1
0
isfh6943_04
I F / A
10
–3
10
–2
0
isfh6943_07
10
20
30
40 50
TA /°C的
60
70
80
90 100
图。 4非饱和电流传输
图。 7容许正向电流二极管
25.0
22.5
20.0
17.5
15.0
CCE / PF
30
F = 1MHz时,
CCE = F ( VCE )
P合计= F ( TA )
25
20
15
P合计/ MW
晶体管
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0
10–2
10–1
VCE / V
100
101
102
CE
10
5
0
0
10
20
30
40
50
二极管
60
70
80
90
100
isfh6943_05
isfh6943_08
TA /°C的
图。 5晶体管的电容(典型值)。
图。 8允许功耗
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4
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修订版1.3 , 20 -APR- 04
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SFH6943
威世半导体
103
IF = 1毫安,
VCC = 5 V ,
吨, TR ,花花公子, TT = F ( RL )
吨关闭
tf
25
ICE = 1 (VCE , IF)的
20
10
15
我CE / MA
T /美国
T ON
101
tr
10
5
100
10
2
isfh6943_09
0
10 3
RL / OHM
10 4
10 5
isfh6943_10
10
-2
-1
10
V CE / V
10
0
1
10
10
2
图。 9
图。 10晶体管输出特性
包装尺寸以英寸(毫米)
10°
.016 (.41)
.043
(1.09)
.200 ± .005
(5.80 ± .13)
.018 (.46)
.063 ± .004
(1.60 ± .10)
.256 ± .004
(6.50 ± .10)
0.004 (.10)
0.138 ± .004
马克斯。
(3.51 ± .10)
.01 (.25) R
0.020 ± .004
(.51 ± .10)
10°
0°–7°
.035
(.90)
.002 +.002
–.001
(.05 +.05
–.03)
0.010R
(.25)
45°
.276 ± .008
(7.01 ± .20)
0.020 ( 0.51 )分。
R .005(.13)
ISO方法A
.010 (.25)
.053 (1.35)
.050 (1.27)
.040 (1.02)
i178044
.024 (.61)
.026 (.66)
.216 (5.49)
.296 (7.52)
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日前,Vishay
SFH6943
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出, SOT223 / 10 ,四
通道
特点
在SOT223 / 10套餐晶体管光耦
年底可堆叠, 1.27毫米间距
低电流输入
非常高的点击率, 150 %的典型,在我
F
= 1毫安,
V
CE
= 5 V
良好的CTR线性对战正向电流
未成年人CTR退化
高集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
=70 V
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
A1
A2
COM 。 C3
A4
A5
10 E1
9 E2
8 COM 。
7 E3
6 E4
i179077
隔离测试电压: 1768 V
RMS
机构认证
UL文件# E76222系统代码V
CSA 93751
应用
电信
SMT
PCMCIA
仪器仪表
输出。该装置包括四个光电晶体管
作为探测器。每个通道都可以单独控制。
光电耦合器装在一个SOT223 / 10封装。
输入LED的所有阴极和所有collec-
输出晶体管的器是常见的启用
从16引脚引脚数量减少到10针,一个显
积蓄着的空间相比,四个通道
电单独隔离。
订购信息
部分
SFH6943-2
SFH6943-3
SFH6943-4
备注
CTR 63 - 200 % , SMD- 10
CTR 100 - 320 % , SMD- 10
CTR 160 - 500 % , SMD- 10
描述
该SFH6943是一个四通道小型光耦合器suit-
能够为高密度封装的PCB应用。它
有一个最低的1768 V
RMS
隔离从输入到
有关可用选项的更多信息,请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
t
P
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
3
5
100
10
单位
V
mA
mA
mW
文档编号83688
修订版1.3 , 20 -APR- 04
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1
SFH6943
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
浪涌集电极电流
总功耗
t
P
& LT ; 1毫秒
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
FSM
P
DISS
价值
70
7
10
20
20
日前,Vishay
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压(间
发射器和检测器,参考
气候DIN 40046第2部分,
十一月74 )
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ,第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 100 V,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 100 V,T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度,浸
加焊回流焊
过程的
T = 10秒。最大
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
t为1秒。
符号
V
ISO
价值
1768
单位
V
RMS
4
4
175
10
11
10
12
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
°C
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
V
R
= 3 V
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
测试条件
I
F
= 5毫安
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
典型值。
1.25
0.01
5
1000
10
最大
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 发射极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
测试条件
I
CE
= 10
A
I
EC
= 10
A
V
CE
= 5 V , F = 1兆赫
符号
V
首席执行官
V
ECO
C
CE
R
thJA
I
首席执行官
70
7
6
500
50
典型值。
最大
单位
V
V
pF
K / W
nA
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2
文档编号83688
修订版1.3 , 20 -APR- 04
日前,Vishay
耦合器
参数
耦合电容
测试条件
符号
C
C
典型值。
1
SFH6943
威世半导体
最大
单位
pF
电流传输比
参数
耦合传输比
测试条件
I
F
= 1毫安, V
CE
= 1.5 V
部分
SFH6943-2
SFH6943-3
SFH6943-4
I
F
= 0.5毫安, V
CC
= 5 V
SFH6943-2
SFH6943-3
SFH6943-4
符号
I
E
/I
F
I
E
/I
F
I
E
/I
F
I
E
/I
F
I
E
/I
F
I
E
/I
F
63
100
160
32
50
80
100
160
250
典型值。
最大
200
320
500
单位
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
测试条件
I
E
= 2毫安,R
E
= 100
,
V
CC
= 5 V
I
E
= 2毫安,R
E
= 100
,
V
CC
= 5 V
I
E
= 2毫安,R
E
= 100
,
V
CC
= 5 V
I
E
= 2毫安,R
E
= 100
,
V
CC
= 5 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
典型值。
3
2.6
3.1
2.8
最大
单位
s
s
s
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
IF
IFA
VCC = 5 V
V0
F = 10千赫
DF = 50%
IE = 2毫安
isfh6943_01
VO
RE = 100
isfh6943_02
tR
tF
花花公子
图。 1开关时间(典型值)。
图。 2开关波形
文档编号83688
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3
SFH6943
威世半导体
日前,Vishay
101
103
VF = F( IF)的
102
–2
IF = 0 ,
ICEO = F ( VCE )
°
100
IF / MA
50
°
25
°
85
101
ICEO / NA
100
10–1
10–2
10–1
10–2
.8
isfh6943_03
10–3
.9
1
VF / V
1.1
1.2
1.3
1.4
isfh6943_06
0
10
20
30
40
VCE / V
50
60
70
图。 3个LED电流与LED的电压
图。 6集电极 - 发射极漏电流(典型值)。
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
NCTR
归一
IF = 1毫安,
NCTR = F( IF)的
VCE = 1.5 V
IF = 1毫安
8
7
6
5
IF / MA
IF = F
1.0
.8
.6
.4
.2
0
10
–4
4
3
2
1
0
isfh6943_04
I F / A
10
–3
10
–2
0
isfh6943_07
10
20
30
40 50
TA /°C的
60
70
80
90 100
图。 4非饱和电流传输
图。 7容许正向电流二极管
25.0
22.5
20.0
17.5
15.0
CCE / PF
30
F = 1MHz时,
CCE = F ( VCE )
P合计= F ( TA )
25
20
15
P合计/ MW
晶体管
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0
10–2
10–1
VCE / V
100
101
102
CE
10
5
0
0
10
20
30
40
50
二极管
60
70
80
90
100
isfh6943_05
isfh6943_08
TA /°C的
图。 5晶体管的电容(典型值)。
图。 8允许功耗
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4
文档编号83688
修订版1.3 , 20 -APR- 04
日前,Vishay
SFH6943
威世半导体
103
IF = 1毫安,
VCC = 5 V ,
吨, TR ,花花公子, TT = F ( RL )
吨关闭
tf
25
ICE = 1 (VCE , IF)的
20
10
15
我CE / MA
T /美国
T ON
101
tr
10
5
100
10
2
isfh6943_09
0
10 3
RL / OHM
10 4
10 5
isfh6943_10
10
-2
-1
10
V CE / V
10
0
1
10
10
2
图。 9
图。 10晶体管输出特性
包装尺寸以英寸(毫米)
10°
.016 (.41)
.043
(1.09)
.200 ± .005
(5.80 ± .13)
.018 (.46)
.063 ± .004
(1.60 ± .10)
.256 ± .004
(6.50 ± .10)
0.004 (.10)
0.138 ± .004
马克斯。
(3.51 ± .10)
.01 (.25) R
0.020 ± .004
(.51 ± .10)
10°
0°–7°
.035
(.90)
.002 +.002
–.001
(.05 +.05
–.03)
0.010R
(.25)
45°
.276 ± .008
(7.01 ± .20)
0.020 ( 0.51 )分。
R .005(.13)
ISO方法A
.010 (.25)
.053 (1.35)
.050 (1.27)
.040 (1.02)
i178044
.024 (.61)
.026 (.66)
.216 (5.49)
.296 (7.52)
文档编号83688
修订版1.3 , 20 -APR- 04
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5
SFH6943
低电流输入
迷你光电耦合器
特点
在SOT223晶体管光耦/ 10
最终可堆叠, 1.27毫米间距
低电流输入
非常高的点击率, 150 %的典型
I
F
= 1毫安,
V
CE
=5 V
良好的CTR线性对战正向电流
小CTR退化
场效应稳定了三重奏
(透明离子盾)
高集电极 - 发射极电压,
V
首席执行官
=70 V
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
隔离测试电压: 1768 V
RMS
应用
电信
SMT
- PCMCIA
仪表
描述
该SFH6943是一个四通道小型光耦合器
适用于高密度封装的印刷电路板的应用
化。它有一个最低的1768 V
RMS
从隔离
输入至输出。该装置包括四个光子
totransistors的探测器。每个通道指示,后跟
vidually控制。光电耦合器装在
一个SOT223 / 10封装。的所有的阴极
输入LED和输出的所有的收集器
晶体管commoned启用引脚数量
减少从16引脚到10引脚,一个显着的
节省空间相比,四个通道
电单独隔离。
尺寸以英寸(毫米)
10°
阳极1
.016 (.41)
阳极2
常见的3
阴极
阳极4
阳极5
.018 (.46)
.063
±.004
(1.60
±.10)
.035
(.90)
0.004 (.10)
马克斯。
.01 (.25) R
0.010 R
(.25)
45°
.276
±.008
(7.01
±.20)
10发射器1
9发射器2
8常见
集热器
7发射器3
6发射4
.002 +.002
–.001
(.05 +.05
–.03)
.256
±.004
.043
(6.50
±.10)
(1.09)
.200
±.005
(5.08
±.13)
0.138
±.004
(3.51
±.10)
0.020
±.004
(.51
±.10)
10°
0°–7°
0.020 ( 0.51 )分。
绝对最大额定值
发射器( GaAlAs的)
反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V
直流正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
正向电流浪涌(
t
P
10
S) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
总功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.10毫瓦
检测器(硅光电晶体管)
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.70 V
发射极 - 集电极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7 V
集电极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
浪涌集电极电流(
t
P
<1毫秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
总功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.20毫瓦
包绝缘
隔离测试电压(发射器和检测器之间,
参阅气候DIN 40046 ,第2部分11月74 )中,t = 1秒。 。 。 。 。 。 。 。 0.1768 V
RMS
爬电距离。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
4 mm
通关。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
4 mm
符合DIN IEC 112 / VDE0303 ,第1部分漏电起痕指数。 。 。 。 。 。 。 175
绝缘电阻
V
IO
=100 V,
T
A
=25
°
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
11
V
IO
=100 V,
T
A
=100
°
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
10
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 , - 55至+ 150
°
C
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 , - 55至+ 100
°
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100
°
C
焊接温度(T = 10秒。最大。 )
浸焊加再溢流焊接工艺。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260
°
C
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3月4日, 2000-23
特征
(
T
A
=25
°
C,除非另有规定编)
描述
发射器( IR砷化镓)
正向电压,
I
F
± 5毫安
反向电流,
V
R
=3 V
电容,
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
热阻
检测器(硅光电晶体管)
集电极 - 发射极电压,I
CE
=10
A
发射极 - 集电极电压,I
EC
=10
A
电容,
V
CE
= 5 V , F = 1兆赫
热阻
耦合电容
描述
耦合传输比
耦合传输比
集电极 - 发射极漏电流
C
C
符号
-2
63–200
(典型值) , 100 (
32)
50
1
-3
100–320
(典型值) , 160 (
50)
50
pF
-4
160–500
(典型值) , 250 (
80)
50
单位
%
%
nA
条件
符号
分钟。
70
7
典型值。
1.25
0.01
5
1000
6
500
马克斯。
10
单位
V
A
pF
K / W
V
V
pF
K / W
V
F
I
R
C
0
R
thJA
V
首席执行官
V
ECO
C
CE
R
thJA
I
E/
I
F
I
E/
I
F
I
首席执行官
I
F
= 1毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CC
=5 V
V
CE
=10 V
图1.开关时间(不饱和) ,典型的
I
F
V
CC
=5 V
F = 10千赫
V
O
D
F
=50%
I
E
= 2毫安
R
E
=100
图2.开关波形(非饱和的)
I
F
V
0
t
R
t
ON
t
关闭
t
F
描述
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
符号
价值
3
2.6
3.1
2.8
单位
TEST
条件
t
on
t
r
t
关闭
t
f
s
I
E
= 2毫安
R
E
=100
T
A
=25
°
C
V
CC
=5 V
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SFH6943
3月4日, 2000-23
图3. LED电流与LED
电压
V
F
=f(
I
F
)
10
1
85
50
°
2 5
°
–2
°
5
°
图6.集电极 - 发射极漏
电流(典型值)。
I
F
=0,
T
A
=25°C,
I
首席执行官
= F(V
CE
)
10
3
图9 。
T
A
=25°C,
I
F
= 1毫安,
V
CC
=5 V,
t
on
,
t
r
,
t
关闭
,t
t
= F (r
L
)
10
3
10
2
10
10
0
10
1
t
关闭
t
f
I
F
/ MA
I
首席执行官
/ NA
T /美国
10
0
10
–1
t
on
10
1
t
r
10
–1
10
–2
10
–2
.8
.9
1 1.1
V
F
/V
1.2 1.3 1.4
10
–3
0
10
20 30 40
V
CE
/ V
50 60 70
10
0
10
2
10
3
RL / OHM
10
4
10
5
S F H 6 9 4 1 / F 1
图4.非饱和电流传输
归一
I
F
= 1毫安, NCTR = F (
I
F
)
2. 0
1. 8
1. 6
1. 4
1. 2
NCTR
1. 0
.8
.6
V
权证
= 1 .5V
T
A
= 25° C
I
F
= 1毫安
图7.允许向前
流二极管
I
F
= F (T
A
=25°C)
8
7
6
5
4
3
2
图10.晶体管输出character-
istics
T
A
= 25 ° C,I
CE
=1 (V
CE
,
I
F,
)
.4
.2
0
10
– 4
I
F
/A
1 0
–3
10
–2
1
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
A
/
°C
图5.晶体管电容
(典型值)。
T
A
=25
°
C,F = 1MHz时,
C
CE
=f(
V
CE
)
25.0
22.5
20.0
17.5
15.0
图8.允许功率
耗散
P
合计
= F (T
A
)
30
I
F
/ MA
25
TR ANSISTOR
20
C
CE
/
P
F
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0
P
吨OT
/男女
C
CE
15
二极管
10
5
10
–2
10
–1
10
0
10
1
10
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
A
/° C
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CE
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