SFH 325
SFH 325 FA
NPN - Silizium - Fototransistor IM
SMT SIDELED
-Gehuse
硅NPN光电晶体管的
SMT SIDELED
-package
SFH 325
SFH 325 FA
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
特点
q
特别适合于从应用程序
q
q
q
q
Bereich ·冯· 380双波长1150nm处
（ SFH 325 ） UND北880海里（ SFH 325 FA ）
霍厄Linearitt
P- LCC - 2 Gehuse
Gruppiert lieferbar
努尔献给回流IR-罗东geeignet 。贝
Schwalltung文登诚刚自在BITTE的UNS 。
q
q
q
q
380纳米至1150纳米（ SFH 325）和
880纳米（ SFH 325 FA ）
高线性度
P- LCC -2封装
可在组
只适用于红外回流焊焊接。如果
浸焊的，请第一时间联系我们。
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
应用
q
微型光断续器
q
穿孔带阅读器
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
半导体集团
1
01.97
fplf6867
fpl06867
SFH 325
SFH 325 FA
典型值
TYPE
SFH 325
SFH 325-3
SFH 325-4
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P1638
Q62702-P1610
Q62702-P1611
典型值（ * vorher ）
类型（ *原）
SFH 325 FA
（ * SFH 325 F）
SFH 325 FA- 3
（ * SFH 325 F- 3 ）
SFH 325 FA- 4
（ * SFH 325架F- 4 ）
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P1639
Q62702-P1614
Q62702-P1615
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand献给蒙太奇奥夫PC板
用于安装在PCB的热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
35
15
75
165
450
统一性
单位
°C
V
mA
mA
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
V
CE
I
C
I
CS
P
合计
R
thJA
半导体集团
2
SFH 325
SFH 325 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
符号
符号
SFH 325
λ
s最大
λ
860
邂逅相遇，
价值
SFH 325 FA
900
nm
统一性
单位
380 ... 1150 730 ... 1120纳米
Bestrahlungsempfindliche Flche
(
240
m)
A
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Kapazitt ，
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 25 V,
E
= 0
0.045
0.45
×
0.45
0.5 ... 0.7
0.045
0.45
×
0.45
0.5 ... 0.7
mm
2
mm
×
mm
mm
L
×
B
L
×
W
H
±
60
5.0
1 (≤ 200)
±
60
5.0
1 (≤ 200)
毕业生
度。
pF
nA
C
CE
I
首席执行官
半导体集团
3
SFH 325
SFH 325 FA
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen
Ziffern gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨的分组
由阿拉伯的数字。
bezeichnung
描述
符号
符号
SFH
325/FA
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.1毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 325 ：
E
v
= 1000九， Normlicht /标准
光A，
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
-2
邂逅相遇，
价值
-3
-4
统一性
单位
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
≥
16
16 ... 32 25 ... 50
≥
40
420
650
7
1000
8
A
A
s
7
6
Kollektor - 发射极
V
CESAT
Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.1毫瓦/平方厘米
2
1)
1)
150
150
150
150
mV
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe
I
PCEmin
是分钟。指定的组的光电流
方向特性
S
REL
=
f
()
半导体集团
4
NPN - Silizium - Fototransistor IM SMT SIDELED
-Gehuse
硅NPN光电晶体管的SMT SIDELED
-package
SFH 325
SFH 325 FA
SFH 325
SFH 325 FA
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet献给Anwendungen IM Bereich
冯· 380双波长1150nm处（ SFH 325 ） UND贝
880纳米（ SFH 325 FA ）
霍厄Linearitt
P- LCC - 2 Gehuse
Gruppiert lieferbar
努尔献给回流IR -罗东geeignet 。
Anwendungen
Miniaturlichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
Lochstreifenleser
Industrieelektronik
“梅森/ Steuern / Regeln ”
典型值
TYPE
SFH 325
SFH 325-3
SFH 325-3 / -4
SFH 325-4
1)
特点
特别适用于从应用程序
380纳米至1150纳米（ SFH 325）和880纳米
（ SFH 325 FA ）
- 高线性度
P- LCC -2封装
可在组
仅适合回流焊接IR 。
应用
微型光断续器
穿孔带阅读器
工业电子产品
控制和驱动电路
Bestellnummer
订购代码
Q6
1)
2702-P1638
Q62702-P1610
Q62702-P3604
Q62702-P1611
典型值
TYPE
SFH 325 FA
SFH 325 FA- 3
SFH 325 FA - 3 / -4
SFH 325 FA- 4
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P1639
Q62702-P1724
Q62702-P3603
Q62702-P1615
2001-09-12
1
SFH 325 ， SFH 325 FA
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand献给蒙太奇奥夫PC板
用于安装在PCB的热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 … + 100
35
15
75
165
450
统一性
单位
°C
V
mA
mA
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
V
CE
I
C
I
CS
P
合计
R
thJA
2001-09-12
2
SFH 325 ， SFH 325 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
作者= 10％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
(
220
m)
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseoberflche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Kapazitt ，
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 25 V,
E
= 0
符号
符号
SFH 325
λ
s最大
λ
860
380 … 1150
邂逅相遇，
价值
SFH 325 FA
900
730 … 1120
nm
nm
统一性
单位
A
L
×
B
L
×
W
H
0.038
0.45
×
0.45
0.5 … 0.7
±
60
5.0
1 (≤ 200)
0.038
0.45
×
0.45
0.5 … 0.7
±
60
5.0
1 (≤ 200)
mm
2
mm
×
mm
mm
毕业生
度。
pF
nA
C
CE
I
首席执行官
2001-09-12
3
SFH 325 ， SFH 325 FA
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen Ziffern
gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨由分组
阿拉伯的数字。
bezeichnung
参数
符号
符号
SFH 325 -2
/ FA
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.1毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
SFH 325 ：
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
I
PCE
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor发射极 - Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3,
E
e
= 0.1毫瓦/平方厘米
2
1)
1)
邂逅相遇，
价值
-3
-4
统一性
单位
≥
16
–
7
16 … 32 25 … 50 40 … 80
A
420
6
650
7
1000
8
A
s
t
r
,
t
f
V
CESAT
150
150
150
150
mV
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe 。
I
PCEmin
是分钟。光电流在指定组的。
方向特性
S
REL
=
f
()
40
30
20
10
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2001-09-12
4
QQ：2880707522 复制
