F
半导体
S6500P
功率因数校正
描述
该装置是用一个中止导通模式功率因数校正控制器
升压转换器。尤其是，它是为电子镇流器能防止异常优化
在负载失控和反馈回路故障情况下，低功耗和高功能
密度电源需要最小的电路板尺寸。外部元件的R / C
滤波器是没有必要的，因为R / C滤波器被包括在电流检测块。这是
改进版采用了销出等同于世界标准。
特点
动态，静态&反馈OVP
超低启动电流（典型为30uA ）。
极低的工作电流（ 4毫安典型值）。
内部自启动计时器
电流检测用内部RC滤波器
修剪
±1.5%
内部参考
欠压锁定与迟滞
引脚兼容于世界标准
大电流图腾柱栅极驱动
应用
电子镇流器
SMPS
订购信息
型号
S6500P
记号
S6500P
封装代码
DIP-8
外形尺寸
PIN收藏
单位：
mm
KSI-L013-001
1
内部框图
-
2. 5V参考
S6500P
欠压锁定
VCC
+
误差放大器器
INV
0.4 V
1
-
反馈
OVP
编号为40uA
UVLO
+
-
18V
8
-
+
VREF
A
+
2.3 V
-
STATIC
OVP
值Vth（圣）
COMP
2
+
增益K
-
0. 5V
+
Vm2
40uA
10uA
VREF
7
OUT
动态
OVP
自启动
S
MULT
3
Vm1
VMO
K=
Vm1-(Vm2-Vref)
2V
Q
+
R
输出驱动器
UVLO
6
Vs
GND
倍增器
VMO
40k
2Vbe
+
5
Vz
CS
4
5pF
-
IDET
电流检测
比较
零电流
探测器
-
2.0 V
1.5V
绝对最大额定值
特征
电源电压
电源电压稳压器最大电流
峰值驱动输出电流
驱动器输出钳位二极管Vo>Vcc或Vo<-0.3V
检测钳位二极管
误差放大器，补偿器和乘法器输入电压
功率耗散@ PAMB = 50 ℃
符号
V
CC
I
CC（ MAX）的
IOH ，笑
ICLAMP
LDET
VIN
Pd
RTH （ J- AMB ）
价值
18
35
±500
±10
±10
-0.3 6
0.8
100
单位
V
mA
mA
mA
mA
V
W
℃/W
热数据
热阻结到环境
引脚功能
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
INV
COMP
MULT
CS
IDET
GND
OUT
VCC
引脚功能说明
反相误差放大器的输入端。升压转换器的输出应该是
电阻分至2.5V ，并连接到该引脚。
输出的误差放大器的。反馈补偿网络被放置
之间的引脚和INV引脚。
输入到乘法器阶段。整流后的交流电压的全波被划分到少
低于4V ，并连接到该引脚。
输入到控制环的比较器。 MOSFET的电流由一个感测到的
电阻和产生的电压被施加到该引脚。内部R / C滤波器是
包括拒绝任何高频噪声。
零电流检测输入。
地面控制部分。
栅极驱动输出。一个推挽输出级能够驱动功率MOSFET
带有500mA的峰值电流。
的驱动器和控制电路的电源电压。
KSI-L013-001
2
S6500P
电气特性
的Vcc = 12V ，-25 ℃ ≤Ta≤125 ℃ ，除非另有规定。
特征
符号
测试条件
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
电源电压&当前章节
启动阈值电压
UVLO迟滞
启动电源电流
工作电源电流
工作电流OVP
动态工作电源电流
最大电源电压
误差放大器部分
电压反馈输入阈值
线路调整（注1 ）
Vref的温度稳定性（注1 ）
输入偏置电流（引脚1 ）
输出源电流
输出灌电流
低钳位电压
乘数节
输入偏置电流（引脚3 ）
M1输入电压范围（引脚3 ） （注2 ）
M2的输入电压范围（ PIN2 ） （注2 ）
乘法器增益（注3 ）
最大乘法器输出电压
磅（米）
△Vm1
△Vm2
K
的vmo （最大）
-
范围从0V
范围从Vref的
VM = 1V ， Vm2的= 4V
INV = 1V ， VM1 = 4V
-0.5
4
VREF
+25
0.45
1.8
-
4.5
VREF
+3
0.6
2
0.5
-
-
0.75
2.2
uA
V
V
1/V
V
VREF
△Vref1
△Vref2
IB （ EA ）
ISOURCE
ISINK
VLOW
IREF = 0毫安， TA = 25 ℃
12V≤Vcc≤17V
温度= -25 ℃至85℃
-
INV = 2V ， Vm2的= 4V
INV = 3V ， Vm2的= 4V
INV=3V
2.465
-
-
-0.5
-2
3
1.9
2.5
0.1
20
-
-5
6
2
2.535
10
-
0.5
-
-
2.1
V
mV
mV
uA
mA
mA
V
值Vth（圣）
HY （ ST ）
IST
ICC
IOCC
IDCC
VCC （MAX）
VCC增加
-
Vcc=9V
输出不切换
INV=3V
为50kHz ， CL = 1nF的
Icc=30mA
9.5
1.5
5
-
-
-
17
10.5
2.5
30
3
1.6
4
18
11.5
3.5
50
6
2.5
8
19
V
V
uA
mA
mA
mA
V
KSI-L013-001
3
S6500P
电气特性
的Vcc = 12V ，-25 ℃ ≤Ta≤125 ℃ ，除非另有规定。
特征
电流检测比较器
输入失调电压
输入偏置电流（引脚4 ）
电流检测延迟到输出（注2 ）
零电流检测器
输入电压阈值
检测滞后
输入低钳位电压
高输入电压钳位
输入偏置电流（ 5脚）
输入高/低钳位二极管电流
（注2 ）
输出部分
输出电压高
输出电压低
上升时间（注2 ）
下降时间（注2 ）
输出电压与UVLO激活
自我激励部分
自启动时间延迟（注2 ）
TD （ SS ）
VM1 = 1V ， Vm2的= 3.5V
-
150
-
us
VOH
VOL
tr
tf
VO（ UVLO ）
Io=10mA
Io=10mA
Cl=1nF
Cl=1nF
VCC = 5V ，木卫一= 50uA的
8.5
-
-
-
-
10
1.5
120
50
-
-
2
200
120
1
V
V
nS
nS
V
VTH （ DET ）
HY （ DET ）
VCLAMP （I）的
VCLAMP （H ）
IB （ DET ）
ICLAMP
VDET增加
-
Idet=-3mA
Idet=3mA
1V≤Vdet≤5V
-
1.7
0.2
0.4
6
-1
-
2
0.5
0.8
7.5
-0.1
-
2.3
0.8
1.2
9
1
±3
V
V
V
V
uA
mA
VIO （ CS ）
IB （ CS ）
TD （ CS ）
VM1 = 0V ， Vm2的= 2.3V
0V≤Vcs≤1.8V
-
0
-0.5
-
10
-
200
25
.0.5
500
mV
uA
ns
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
过电压保护节
反馈OVP阈值电压
动态OVP检测电流
静态OVP阈值电压
VTH （ F）
IOVP （四）
Vth的（多个）
-
-
-
0.3
35
2.15
0.4
40
2.3
0.5
45
2.45
V
uA
V
注： 1 ）因为引用不会带出外部，该规范不能老是要在包装上进行测试
的一部分。它是由设计保证。
2 ）该参数，虽然保证的，在生产中不进行测试。
3 ）乘法器增益K = VMO / （ VM1 × （ Vm2的- VREF ） ）
KSI-L013-001
4
QQ：2881677436 复制
