SFH 303
SFH 303 FA
NPN - Silizium - Fototransistor
硅NPN光电晶体管
SFH 303
SFH 303 FA
集体中毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有说明
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich ·冯· 450双波长1100纳米
（ SFH 303 ） UND北880海里（ SFH 303 FA ）
q
霍厄Linearitt
q
5毫米- Plastikbauform IM LED - Gehuse
q
奥赫gegurtet UND gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
特点
q
特别适合于从应用程序
450纳米至1100纳米（ SFH 303）和
880纳米（ SFH 303 FA ）
q
高线性度
q
5毫米LED封装胶
q
也可在磁带和组
应用
q
光中断
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
半导体集团
1
07.96
feof6351
feo06351
SFH 303
SFH 303 FA
典型值（ * vorher ）
类型（ *原）
SFH 303
SFH 303-2
SFH 303-3
SFH 303-4
1)
1)
1)
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P957
Q62702-P228
Q62702-P229
Q62702-P230
典型值（ * vorher ）
类型（ *原）
SFH 303 FA
（ * SFH 303 F）
SFH 303 FA -2）的
（ * SFH 303 F）
SFH 303 FA- 3
（ * SFH 303 F- 3 ）
SFH 303 FA- 4
（ * SFH 303架F- 4
1)
)
Bestellnummer
类型（ *原）
Q62702-P958
Q62702-P222
Q62702-P223
Q62702-P224
EINE Lieferung在dieser的Gruppe卡恩Wegen酒店Ausbeuteschwankungen - 编者音麦sichergestellt werden 。
在diesem秋季世界投资报告behalten UNS死Lieferung einer Ersatzgruppe VOR 。
用品出这组不能总是由于产量的不可预见的传播保证。在这种情况下，我们
会预留我们提供的替代组的右侧。
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur贝Tauchltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
5 s
浸焊温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
5 s
Lttemperatur贝Kolbenltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
3 s
烙铁焊接温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
3 s
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
发射器 - Basisspannung
发射极 - 基极电压
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
260
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
50
50
100
7
V
mA
mA
V
半导体集团
2
SFH 303
SFH 303 FA
Grenzwerte
最大额定值
（续）
bezeichnung
描述
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
200
375
统一性
单位
mW
K / W
P
合计
R
thJA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Fotostrom DER Kollektor个基本Fotodiode
集电极 - 基极二极管的光电流
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
V
CB
= 5 V
符号
符号
SFH 303
λ
s最大
λ
850
邂逅相遇，
价值
SFH 303 FA
870
nm
统一性
单位
450 ... 1000 ... 720 1100纳米
A
L
×
B
L
×
W
H
0.2
0.65
×
0.65
4.0 ... 4.6
0.2
0.65
×
0.65
4.0 ... 4.6
mm
2
mm
×
mm
mm
±
20
±
20
毕业生
度。
I
PCB
I
PCB
–
15.8
4.5
–
A
A
半导体集团
3
SFH 303
SFH 303 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
（续）
bezeichnung
描述
Kapazitt
电容
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 10 V,
E
= 0
符号
符号
SFH 303
邂逅相遇，
价值
SFH 303 FA
统一性
单位
C
CE
C
CB
C
EB
I
首席执行官
10
15
21
2 (≤ 50)
10
15
21
2 (≤ 50)
pF
pF
pF
nA
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen
Ziffern gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨的分组
由阿拉伯的数字。
bezeichnung
描述
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 303 ：
E
v
= 1000九， Normlicht /标准
光A，
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor - 发射极
Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
Stromverstrkung
电流增益
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
符号
符号
-2
-3
邂逅相遇，
价值
-4
统一性
单位
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
1.0 ... 2.0
5.2
11
1.6 ... 3.2
8.4
13
≥
2.5
13.1
15
mA
mA
s
V
CESAT
150
150
150
mV
I
PCE
I
PCB
330
530
830
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe
I
PCEmin
是分钟。指定的组的光电流
半导体集团
4
QQ：2881677436 复制
