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SFH 213
SFH 213 FA
NEU ： Silizium - PIN- Fotodiode MIT雅适kurzer Schaltzeit
新：硅PIN光电二极管在非常短的
开关时间
SFH 213
SFH 213 FA
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich冯为400nm双波长1100
（ SFH 213 ） UND北880海里（ SFH 213 FA ）
q
Kurze Schaltzeit （典型值5纳秒）
q
5毫米- Plastikbauform IM LED - Gehuse
q
奥赫gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
q
Schnelle Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
全方位学习
特点
q
特别适合于从应用程序
400纳米至1100纳米（ SFH 213）和
880纳米（ SFH 213 FA ）
q
切换时间短（通常为5纳秒）
q
5毫米LED封装胶
q
也可在带
应用
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
q
光中断
q
光纤传输系统
典型值
TYPE
SFH 213
SFH 213 FA
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P930
Q62702-P1671
半导体集团
1
03.96
fexf6626
fex06626
SFH 213
SFH 213 FA
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur （ Ltstelle 2毫米VOM
Gehuse entfernt贝Ltzeit
t
≤
3 s)
焊接温度2毫米的距离
从外壳底部（T
≤
3 s)
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung
总功耗
符号
符号
T
op
;
T
英镑
T
S
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
300
统一性
单位
°C
°C
V
R
P
合计
50
100
V
mW
Kennwerte
(T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Fotoempfindlichkeit
光谱灵敏度
V
R
= 5 V ， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K,
V
R
= 5 V,
λ
= 870纳米，
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德bestrahlungsempfindlichen
flche
辐射敏感区尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
符号
符号
SFH 213
邂逅相遇，
价值
SFH 213 FA
统一性
单位
S
S
λ
s最大
λ
135 (≥ 100)
–
850
400 ...1100
–
90 (≥ 65)
900
750 ... 1100
NA /九
A
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
1
1
×
1
1
1
×
1
mm
2
mm
×
mm
5.1 ... 5.7
5.1 ... 5.7
mm
半导体集团
2
SFH 213
SFH 213 FA
Kennwerte
(T
A
= 25
°C)
特征
（续）
bezeichnung
描述
Halbwinkel
半角
Dunkelstrom ，
V
R
= 20 V
暗电流
Spektrale Fotoempfindlichkeit ，
λ
= 850 nm的
光谱灵敏度
Quantenausbeute ，
λ
= 850 nm的
量子产率
Leerlaufspannung
开路电压
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 870 nm的
Kurzschlustrom
短路电流
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 870 nm的
Anstiegs- UND Abfallzeit宫Fotostromes
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 50
;
V
R
= 20 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 800
A
Durchlaspannung ，
I
F
= 80 mA时，
E
= 0
正向电压
Kapazitt ，
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Temperaturkoeffizient冯
V
O
温度COEF网络cient
V
O
Temperaturkoeffizient冯
I
SC
温度COEF网络cient
I
SC
Normlicht /标准光A
λ
= 870 nm的
Rauschquivalente Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm的
Nachweisgrenze ，
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm的
检出限
符号
符号
SFH 213
I
R
S
λ
η
±
10
1 (≤ 5)
0.62
0.89
邂逅相遇，
价值
SFH 213 FA
±
10
1 (≤ 5)
0.59
0.86
毕业生
度。
nA
/ W
电子
光子
统一性
单位
V
O
V
O
430 (≥ 350)
–
–
380 (≥ 300)
mV
mV
I
SC
I
SC
t
r
,
t
f
125
–
5
–
42
5
A
A
ns
V
F
C
0
TC
V
TC
I
1.3
11
– 2.6
1.3
11
– 2.6
V
pF
毫伏/ K
%/K
0.18
–
NEP
–
0.2
W
√Hz的
厘米“
√Hz的
W
2.9
×
10
– 14
2.9
×
10
– 14
D*
3.5
×
10
12
3.5
×
10
12
半导体集团
3
SFH 213
SFH 213 FA
相对光谱灵敏度SFH 213
S
REL
=
f
(λ)
相对光谱灵敏度SFH 213 FA
S
REL
=
f
(λ)
光
I
P
=
f
(E
v
),
V
R
= 5 V
开路电压
V
O
=
f
(E
v
)
SFH 213
光
I
P
=
f
(E
e
),
V
R
= 5 V
开路电压
V
O
=
f
(E
e
)
SFH 213 FA
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
暗电流
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
方向特性
S
REL
=
f
()
半导体集团
4
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SY88912LMITR
S100-T3
SG2012-1.8XKC3/TR
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    SFH213
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