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SF5G42,SF5J42
东芝THYRISITOR硅平面型
SF5G42,SF5J42
中功率控制中的应用
l
重复峰值断态电压： V
DRM
= 400, 600V
反向重复峰值电压
: V
RRM
= 400, 600V
l
平均通态电流
l
JEDEC TO- 220AB封装。
: I
T（ AV ）
= 5A
单位：mm
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压和
重复峰值
反向电压
（ RGK = 330Ω ）
非重复性峰值
反向电压
(NonRepetitive<5ms,
TJ = 0 125°C ，
RGK = 330Ω ）
SF5G42
SF5J42
SF5G42
V
RSM
SF5J42
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
2
符号
等级
400
单位
V
DRM
V
RRM
V
600
500
V
720
5
7.8
80 （ 50赫兹）
88 （ 60赫兹）
32
0.5
0.05
5
5
200
40~125
40~125
A
A
A
A S
W
W
V
V
mA
°C
°C
2
平均通态电流
（半正弦波TC = 91 ° C）
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量：2g
TO220AB
―
1310G1B
注意：
应与栅极电阻如下使用。
1
2001-07-10
SF5G42,SF5J42
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流和
反向重复峰值电流
峰值通态电压
门极触发电压
门极触发电流
GATE非触发电压
断态电压临界上升率
保持电流
热阻
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
I
GT
V
GD
dv / dt的
I
H
R
日（J -C ）
测试条件
V
DRM
= V
RRM
=额定
T
j
= 125 ° C，R
GK
= 330
I
TM
= 15A
V
D
= 6V ，R
L
= 100
R
GK
= 330
V
D
=额定×三分之二，TC = 125°C
V
DRM
=额定×三分之二，TC = 75℃
R
GK
= 330Ω ，指数上升
R
L
= 100, R
GK
= 330
结到外壳
民
―
―
―
―
0.2
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
50
4
―
最大
2
1.6
0.8
200
―
―
―
3
单位
mA
V
V
A
V
V / μs的
mA
C / W
记号
数
*1
TYPE
符号
SF5G42
SF5J42
标志
SF5G42
SF5J42
*2
例子
8A ： 1998年1月
8B ： 1998年2月
8L ： 1998年12月
2
2001-07-10
SF5G42,SF5J42
3
2001-07-10
SF5G42,SF5J42
4
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SF5G42,SF5J42
5
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SF5G42,SF5J42
东芝THYRISITOR硅平面型
SF5G42,SF5J42
中功率控制中的应用
l
重复峰值断态电压： V
DRM
= 400, 600V
反向重复峰值电压
: V
RRM
= 400, 600V
l
平均通态电流
l
JEDEC TO- 220AB封装。
: I
T（ AV ）
= 5A
单位：mm
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压和
重复峰值
反向电压
（ RGK = 330Ω ）
非重复性峰值
反向电压
(NonRepetitive<5ms,
TJ = 0 125°C ，
RGK = 330Ω ）
SF5G42
SF5J42
SF5G42
V
RSM
SF5J42
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
2
符号
等级
400
单位
V
DRM
V
RRM
V
600
500
V
720
5
7.8
80 （ 50赫兹）
88 （ 60赫兹）
32
0.5
0.05
5
5
200
40~125
40~125
A
A
A
A S
W
W
V
V
mA
°C
°C
2
平均通态电流
（半正弦波TC = 91 ° C）
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量：2g
TO220AB
―
1310G1B
注意：
应与栅极电阻如下使用。
1
2001-07-10
SF5G42,SF5J42
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流和
反向重复峰值电流
峰值通态电压
门极触发电压
门极触发电流
GATE非触发电压
断态电压临界上升率
保持电流
热阻
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
I
GT
V
GD
dv / dt的
I
H
R
日（J -C ）
测试条件
V
DRM
= V
RRM
=额定
T
j
= 125 ° C，R
GK
= 330
I
TM
= 15A
V
D
= 6V ，R
L
= 100
R
GK
= 330
V
D
=额定×三分之二，TC = 125°C
V
DRM
=额定×三分之二，TC = 75℃
R
GK
= 330Ω ，指数上升
R
L
= 100, R
GK
= 330
结到外壳
民
―
―
―
―
0.2
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
50
4
―
最大
2
1.6
0.8
200
―
―
―
3
单位
mA
V
V
A
V
V / μs的
mA
C / W
记号
数
*1
TYPE
符号
SF5G42
SF5J42
标志
SF5G42
SF5J42
*2
例子
8A ： 1998年1月
8B ： 1998年2月
8L ： 1998年12月
2
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3
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4
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5
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