威伦
瞬态电压抑制器ESD保护
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
描述
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
该
SESDU5V0WB
旨在保护电压敏感
高浪涌能力。
元器件免受ESD 。出色的钳位能力，低泄漏，
Guardring过电压保护。
超高速开关。
和快速响应时间提供一流的保护上的设计，
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
暴露在静电放电。因为它的尺寸小，它是适合于在使用中
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
蜂窝电话， MP3播放器，数码相机和许多其它便携式
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
应用中的电路板空间非常珍贵。
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
SESDU5V0WB
THRU
FM1200-M
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
WBFBP-02C
(1.0×0.6×0.5)
单位：mm
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
特点
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例模压塑料，
对峙
:
电压： 5 V
SOD-123H
,
码头
低
泄漏
：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
方法2026
响应时间通常< 1纳秒
尺寸以英寸（毫米）
极性：由阴极频带指示
ESD额定值3类（ > 12千伏）每人体模型
安装位置：任意
IEC61000-4-2 4级ESD保护
重量：的逼近0.011克
这些无铅器件
最大额定值
无铅封装可用
和电气特性
在收视率
产品包装代号后缀“G”
指定的。
RoHS指令
除非另有25 ℃的环境温度
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
最大
RMS电压
@T
a
=25℃
最大
评级
最大直流阻断电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
±15
30
40
400
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
V
V
参数
最大正向平均整流电流
符号
极限
单位
A
IEC6100042(ESD)
8.3ms单一正弦半波
峰值正向浪涌电流
ESD电压
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
空气/
联系
kV
A
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
存储温度范围
每个人体模型
R
θJA
每台机器型号
C
J
TSTG
12
kV
V
mW
℃
工作温度范围
T
在FR - 5板（注总功耗
J
1)
-55到+125
P
D
R
θJA
-
65
到+175
100
-55到+150
热
电阻结点到环境
特征
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
最大正向电压在1.0A
最大
(10
第二个持续时间）
V
F
领导
焊锡温度
DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
1250
260
℃/W
℃
0.50
T
L
0.70
T
j,
T
英镑
0.5
0.85
0.9
0.92
V
结
存储
温度
A=125℃
@T
范围
额定阻断电压DC
I
R
-55
10
~ +150
℃
m
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。
注意事项：
1测
手术
的4.0伏直流施加反向电压。
实用
在1 MHz和
上面的推荐。工作条件是不是暗示。长时间暴露在
2-热阻
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
上面讲
从结点到环境
1， FR - 5 = 1.0 X 0.75 X 0.62英寸
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
威伦
瞬态电压抑制器
势垒整流器-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基
对于ESD保护
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
FM120-M
SESDU5V0WB
THRU
FM1200-M
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，
= 25 ° C除非另有说明）
电气特性
(T
a
金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
P
pk
C
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
参数
无卤素产品的包装代号后缀"H"
机械数据
钳位电压@ I
最大反向峰值脉冲电流
阻燃
环氧树脂： UL94 -V0评分
PP
工作峰值反向电压
案例：模压塑料， SOD- 123H
最大反向漏电流@ V
MIL -STD- 750 ，
端子：镀金端子，每焊
RWM
方法2026
击穿电压@ I
T
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：由阴极频带指示
测试电流
安装位置：任意
正向电流
重量：的逼近0.011克
正向电压@ I
F
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
峰值功耗
在25 ℃评分
电容@V = 0
除非
=1MHz
指定的。
马克斯。
环境温度
和f
否则
R
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
电气特性
(T
a
= 25 ° C除非另有说明
)
标识代码
V
RWM
设备*
(V)
最大的经常峰值反向电压
记号
最大RMS电压
最大
最大直流
AE
SESDU5V0WB
阻断电压
最大正向平均整流电流
设备
I
R
(
μ
A)
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
@ V
RWM
V
RRM
V
BR
(V)
12
13
@ I
T
（注2 ）
20
30
V
C
(V)
I
T
最大
14
15
16
18
（MA ）
50
I
PP
(A)
60
@Max
80
I
PP
40
C（ pF）的@
10
115
V
R
=0V,f=1MHz
100
150
120
200
140
200
V
RMS
最大
14
民
20
5.4
21
最大
30
28
-
40
35
50
-
42
56
最大
1.0
30
40
120
70
典型值
100
105
5
1
V
DC
I
O
9.4
1
1
60
10
80
0.5
150
*可根据要求提供其它电压。
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
2. V
BR
测量用脉冲测试电流I
T
在25 ℃的环境温度下进行。
I
FSM
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
-55到+125
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
2012-09
威伦电子股份有限公司
威伦电子股份有限公司。
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