STF13NK50Z
STP13NK50Z ， STW13NK50Z
N沟道500 V ， 0.40
,
11 A TO - 220 ， TO- 220FP ， TO- 247
齐纳保护超网
TM
功率MOSFET
特点
TYPE
STF13NK50Z
STP13NK50Z
STW13NK50Z
■
■
■
■
■
V
DSS
500 V
500 V
500 V
R
DS （ ON）
最大
I
D
Pw
30 W
140 W
140 W
TO-220
1
2
3
<0.48
11 A
<0.48
11 A
<0.48
11 A
3
1
2
TO-220FP
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错的重复性制造
图1 。
内部原理图
TO-247
2
1
3
应用
■
开关应用
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压的MOSFET 。
表1中。
设备简介
订货编号
记号
F13NK50Z
P13NK50Z
W13NK50Z
包
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
管
管
管
STF13NK50Z
STP13NK50Z
STW13NK50Z
2009年3月
REV 2
1/15
www.st.com
15
目录
STx13NK50Z
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
电气特性
STx13NK50Z
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值，
T
C
=125 °C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
3
3.75
0.4
分钟。
500
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
4.5
0.48
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
eq
(2)
.
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内在的栅极电阻
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.5 A
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
分钟。
典型值。
8.5
1600
200
45
50
47
9
28
2.3
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
GS
=0, V
DS
= 0 V至400 V
V
DD
= 400 V，I
D
= 13 A
V
GS
=10 V
图20
F = 1 MHz的漏极开路
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
=6.5 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
图19
分钟。
典型值。
18
23
61
24
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
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STx13NK50Z
电气特性
表8 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 11 A，V
GS
=0
I
SD
=6.5 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 40 V ， TJ = 25°C
图21
I
SD
=6.5 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 40 V ， TJ = 150℃
图21
380
3.4
18
425
3.9
18.5
测试条件
民
典型值。
最大
11
44
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表9 。
符号
门源稳压二极管
参数
测试条件
IGS = ± 1毫安
（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
BV
GSO （1）
栅源击穿电压
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
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