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SEMiX252GB176HDs

绝对最大额定值

符号

IGBT

CES

cnom

CRM

= 2xI

cnom

= 1000 V

≤

20 V

= 125 °C

CES

≤

1700 V

GES

PSC

= 150 °C

= 25 °C

= 80 °C

1700

246

175

150

300

-20 ... 20

-55 ... 150

= 25 °C

= 80 °C

288

195

150

FRM

= 2xI

fnom的

= 10毫秒，罪180 ° ，T

= 25 °C

300

1200

-40 ... 150

600

-40 ... 125

AC窦50Hz时， T = 1分

4000

°C

条件

值

单位

SEMiX的2S

沟道IGBT模块

SEMiX252GB176HDs

逆二极管

fnom的

FRM

FSM

模块

T（ RMS ）

英镑

ISOL

初步数据

特点

齐思

海沟= Trenchgate技术

CE （ SAT ）

用正温度

系数

UL认可文件中没有。 E63532

= 150 °C

典型应用

AC逆变器驱动器

UPS

电子焊工

特征

符号

IGBT

CE （ SAT ）

CE0

GE （日）

CES

IES

OES

水库

GINT

D（上）

D（关闭）

关闭

日（J -C ）

日（ J- S）

每个IGBT

= 150 A

= 15 V

chiplevel

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

= 15 V

, I

= 6毫安

= 0 V

= 1700 V

= 25 V

= 0 V

= - 8 V...+ 15 V

= 25 °C

= 1200 V

= 150 A

= 125 °C

G于

= 9

克OFF

= 9

= 25 °C

= 125 °C

F = 1 MHz的

13.3

0.55

0.44

1400

4.25

265

875

125

0.12

= 25 °C

= 125 °C

5.2

2.45

0.9

6.7

10.3

5.8

0.1

2.45

2.9

1.2

1.1

8.3

12.0

6.4

0.3

K / W

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

由赛米控

启10 - 2008年2月12日

SEMiX252GB176HDs

特征

符号

条件

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

RRM

日（J -C ）

SEMiX252GB176HDs

分钟。

典型值。

1.6

1.5

马克斯。

1.8

1.7

1.3

1.1

3.0

4.0

单位

逆二极管

= V

= 150 A

= 0 V

chiplevel

0.9

0.7

3.0

4.0

1.1

0.9

3.0

4.0

205

SEMiX的2S

沟道IGBT模块

= 150 A

= 125 °C

的di / dt

关闭

= 3300 A / μs的T = 125°C

= -15 V

= 125 °C

= 1200 V

每二极管

0.19

K / W

日（ J- S）

模块

CC' + EE '

TH （ C- S）

初步数据

特点

齐思

海沟= Trenchgate技术

CE （ SAT ）

用正温度

系数

UL认可文件中没有。 E63532

水库，终端芯片

每个模块

到散热器（M5）

到终端（ M6）的

2.5

= 25 °C

= 125 °C

0.7

0.045

250

0,493

±5%

3550

±2%

K / W

典型应用

AC逆变器驱动器

UPS

电子焊工

温度传感器

100

100/125

= 100 ° C（R

=5 k)

(T)

100

EXP [B

100/125

(1/T-1/T

100

)];

T [ K] ;

启10 - 2008年2月12日

由赛米控

SEMiX252GB176HDs

图。 1典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2额定电流与温度I

= F（T

)

图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ

)

图。 4典型。导通/断电能量= F （r

)

图。 5典型。传输特性

图。 6典型。栅极电荷特性

由赛米控

启10 - 2008年2月12日

SEMiX252GB176HDs

图。 7典型。开关时间与我

图。 8典型。开关时间与栅极电阻R

图。 9典型。瞬态热阻抗

图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。，含。

CC' + EE '

图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷

启10 - 2008年2月12日

由赛米控

SEMiX252GB176HDs

SEMiX的2S

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准IEC 60747-1 ，第九章

本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证

方面取得的交付，性能或适用性。

由赛米控

启10 - 2008年2月12日

SEMiX的252GB176HDs

绝对最大额定值

符号条件

IGBT

值

单位

SEMiX的

沟道IGBT模块

SEMiX的252GB176HDs

模块

初步数据

逆二极管

特点

特征

符号条件

IGBT

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

典型应用

备注

17-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX的252GB176HDs

特征

符号条件

逆二极管

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

SEMiX的

沟道IGBT模块

模块

SEMiX的252GB176HDs

初步数据

特点

温度传感器

典型应用

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准

IEC 60747-1 ，第九章。

备注

本技术信息指定半导体器件，但不承诺

的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的

交付，性能或适用性。

17-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX的252GB176HDs

图。 1典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2额定电流与温度I

= F（T

)

图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ

)

图。 4典型。导通/断电能量= F （r

)

图。 5典型。传输特性

图。 6典型。栅极电荷特性

17-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX的252GB176HDs

图。 7典型。开关时间与我

图。 8典型。开关时间与栅极电阻R

图。 9典型。瞬态热阻抗

图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。，含。

CC' + EE '

图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷

17-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX的252GB176HDs

17-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX的252GB176HDs

绝对最大额定值

符号条件

IGBT

值

单位

SEMiX的

沟道IGBT模块

SEMiX的252GB176HDs

逆二极管

特征

符号条件

IGBT

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

目标数据

特点

典型应用

逆二极管

热特性

温度传感器

机械数据

2005年1月12日GES

由赛米控

SEMiX的252GB176HDs

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准IEC 60747-1 ，第九章。

本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或保证

明示或暗示方面取得的交付，性能或适用性。

2005年1月12日GES

由赛米控