BCR108.../SEMH10
NPN硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
=2.2k,
R
2
=47k)
对于6引脚封装： 2 （电流）的内部
隔离晶体管具有良好的匹配
在一个封装中
BCR108/F/L3
BCR108T/W
C
3
BCR108S
SEMH10
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
R
2
TR2
R
1
R
2
TR1
R
2
1
B
2
E
EHA07184
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07174
TYPE
BCR108
BCR108F
BCR108L3
BCR108S
BCR108T
BCR108W
SEMH10
记号
WHS
WHS
WH
WHS
WHS
WHS
WH
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
包
SOT23
TSFP-3
TSLP-3-4
SC75
SOT323
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
1
Jun-14-2004
BCR108.../SEMH10
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
50
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R
1
R
1
/
R
2
50
-
-
70
-
0.4
0.5
1.5
0.042
-
-
-
-
-
-
-
2.2
0.047
-
100
164
-
0.3
0.8
1.1
2.9
k
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
nA
A
-
V
发射基截止电流
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
电阻率
0.052 -
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1PULSE测试：吨< 300μS ; < 2 ％
f
T
C
cb
-
-
170
2
-
-
兆赫
pF
3
Jun-14-2004
BCR108.../SEMH10
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
(I
C
),
h
FE
= 20
10
2
-
mA
h
FE
10
2
I
C
10
1
10
1
10
0 -1
10
0
1
10
10
mA
10
2
10
0
0
0.1
0.2
0.3
V
0.5
I
C
V
CESAT
输入电压
V
i
（上）
=
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
2
输入过电压
V
我（关闭）
=
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
1
mA
mA
10
0
10
1
I
C
I
C
10
-1
10
0
10
-2
10
-1 -1
10
0
1
10
10
V
10
2
10
-3
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
1
V
我（上）
V
我（关闭）
4
Jun-14-2004
SEMH10
NPN硅数字晶体管阵列
初步数据
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
二（电流）的内部分离晶体管
在一个封装好的匹配
内置偏置电阻（R
1
=2.2k,
R
2
=47k)
C1
6
B2
5
E2
4
4
5
3
6
1
2
R
2
R
1
TR1
R
2
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07174
TR2
R
1
TYPE
SEMH10
最大额定值
参数
记号
WH
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
50
50
5
10
100
250
150
-65 ... 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗，
T
S
= 75 °C
结温
储存温度
热阻
mA
mW
°C
结 - 焊接点
1)
R
thjs
≤
300
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Feb-09-2004
SEMH10
直流电流增益
h
FE
=
F（我
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
f
(I
C
),
h
FE
= 20
10
2
-
mA
h
FE
10
2
I
C
10
1
10
1
10
0 -1
10
0
1
10
10
mA
10
2
10
0
0
0.1
0.2
0.3
V
0.5
I
C
V
CESAT
输入电压
V
我（上）
=
f
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
2
输入过电压
V
我（关闭）
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
1
mA
mA
10
0
10
1
I
C
I
C
10
-1
10
0
10
-2
10
-1 -1
10
10
0
10
1
V
10
2
10
-3
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
1
V
我（上）
V
我（关闭）
3
Feb-09-2004
QQ：2881677436 复制
