IRFR9020 ， IRFU9020 ， SiHFR9020 ， SiHFU9020
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
14
6.5
6.5
单身
S
特点
- 50
0.28
表面贴装（订单号IRFR9020 / SiHFR9020 ）
直铅期权（订单号IRFU9020 / SiHFU9020 ）
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
D
P沟道MOSFET
功率MOSFET技术的关键是Vishay的
先进的线路功率MOSFET晶体管。高效
几何和的这一最新“国家独特的加工
艺术“的设计实现了：极低的通态电阻组合
高跨导;卓越的反向能量，
二极管恢复的dV / dt 。
功率MOSFET晶体管还具有所有的井
MOSFET的如电压建立优势
控制，非常快速的切换，方便并联和
电参数的温度稳定性。
表面贴装封装通过提高电路性能
减少杂散电感和电容。该TO- 252
表面贴装型封装带来动力的优点
MOSFET的高容量应用中， PC板
表面安装是理想的。表面贴装选项
设置在16毫米胶带IRFR9020 / SiHFR9020 。该
直引线选项IRFR9020 /设备SiHFR9020是
叫IPAK （TO- 251 ） 。
它们非常适合的应用场合有限热
散热需要，例如，计算机及外设，
电信设备，直流/直流转换器，和一个
广泛的消费产品。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9020PbF
SiHFR9020-E3
IRFR9020
SiHFR9020
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9020TRPbF
a
SiHFR9020T-E3
a
IRFR9020TR
a
SiHFR9020T
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9020TRLPbF
a
SiHFR9020TL-E3
a
IRFR9020TRL
a
SiHFR9020TL
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU9020PbF
SiHFU9020-E3
IRFU9020
SiHFU9020
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 90350
S-挂起-REV 。 A， 10军08
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1
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
极限
- 50
± 20
- 9.9
- 6.3
- 40
0.33
440
- 9.9
4.2
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
WORK -IN -PROGRESS
IRFR9020 ， IRFU9020 ， SiHFR9020 ， SiHFU9020
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绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
符号
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
c
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图14）。
B 。 V
DD
= - 25 V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 5.1毫亨，R
G
= 25
Ω,
峰值I
L
= - 9.9 A
C.我
SD
≤
- 9.9 A， di / dt的
≤
-120 A / μs的，V
DD
≤
40 V ，T
J
≤
150 °C.
。 0.063" （ 1.6毫米）的情况下。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
极限
42
5.8
- 55至+ 150
300
d
单位
W
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
外壳到散热器
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
1.7
-
马克斯。
110
-
3.0
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
死了接触。
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
=最大。评级，V
GS
= 0 V
V
DS
= 0.8×最大值。评级，V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= 5.7 A
b
V
DS
≤
- 50 V，I
DS
= - 5.7 A
- 50
- 2.0
-
-
-
-
2.3
-
-
-
-
-
0.20
3.5
-
- 4.0
± 500
250
1000
0.28
-
V
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。 9
I
D
= - 9.7 A，V
DS
= 0.8×最大值。
评级，见图16
V
GS
= - 10 V
（独立运营
温度）
V
DD
= - 25 V，I
D
= - 9.7 A,
R
G
= 18
Ω,
R
D
= 2.4
Ω,
参见图。 15
（独立工作温度）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
490
320
70
9.4
4.3
4.3
8.2
57
12
25
4.5
7.5
-
-
-
14
6.5
6.5
12
66
18
38
-
nH
-
ns
nC
pF
G
-
S
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特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
56
0.17
-
-
-
110
0.34
- 9.9
A
- 40
- 6.3
280
0.85
V
ns
nC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 9.9 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 9,7 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图14）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的饱和特性
图。 2 - 典型的传输特性
图。 4 - 最高安全工作区
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图。 5 - 典型的跨导主场迎战漏电流
图。 7 - 击穿电压与温度的关系
图。 6 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 8 - 归通电阻与温度的关系
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图。 9 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 11 - 典型导通电阻与漏电流
图。 10 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 12 - 最大漏极电流与外壳温度
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