威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
P通道30 - V（D -S）
过电压保护。
Guardring为
MOSFET
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
特征
无铅零件符合环保标准
TrenchFET功率MOSFET
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
包
SE2303
THRU
FM1200-M
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT-23
应用
UL94 -V0额定阻燃
环氧树脂：
负载
案例：模压塑料， SOD- 123H
开关用于便携式设备
DC / DC转换器
终端，每MIL -STD -750焊接的，
端子：镀
方法2026
无铅封装可用
极性：由阴极频带指示
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
安装位置：任意
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
重量：的逼近0.011克
机械数据
1.门
2.源
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
3.排水
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ℃评分
标记： S3
环境温度，除非另有规定。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200-
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
单位
漏源电压
典型结电容（注1 ）
工作温度
栅源电压
范围
典型热阻（注2 ）
参数
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
-30
±20
-1.9
0.50
0.70
0.35
-55到+125
40
120
-
65
到+175
V
-55到+150
A
连续漏电流
存储温度范围
连续源极 - 漏极二极管电流
特征
最大正向电压在1.0A
最大功率耗散
DC
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
S
-0.83
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
V
F
0.85
0.5
10
W
℃/W
℃
0.9
0.92
I
从结点到环境的热阻（ t≤5s ）
R
结温
储存温度
注意事项：
@T A = 125 ℃
357
150
-50 ~+150
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。
威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
电气特性（T
a
= 25℃除非另有说明）
特点
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
符号
测试条件
低调的表面安装，以便应用程序
STATIC
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
高电流能力，低正向电压降。
门源阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
栅源漏
I
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
超高速开关。
GSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
结。
硅外延平面芯片，金属硅
DS
=-30V, V
GS
=0V
无铅零件符合环保标准
V
GS
= -10V ，我
D
= -1.9A
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -1.4A
无卤素产品的包装代号后缀"H"
a
FM120-M
SE2303
THRU
包
FM1200-M
无铅PROD
包装外形
民
-30
-1
典型值
SOD-123H
最大
0.146(3.7)
0.130(3.3)
参数
单位
-3
±100
-1
0.158
0.275
0.190
0.330
V
0.012 （ 0.3 ）典型值。
nA
0.071(1.8)
A
S
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.056(1.4)
正向跨导
机械
动态
b
数据
g
fs
V
DS
= -5V ，我
D
=-1.9A
1
155
35
25
4
2
8
4
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
输入电容
：模压塑料， SOD- 123H
C
国际空间站
例
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
V
DS
=-15V,V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
方法2026
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
pF
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
总栅极电荷
Q
g
重量：的逼近0.011克
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
gs
Q
gd
C
RSS
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V,I
D
=-1.9A
V
DS
=-15V,V
GS
=-4.5V,I
D
=-1.9A
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
1.7
0.6
1
8.5
4
11
17
8
18
nC
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
栅极电阻
半波，60HZ，阻性
R
g
= 1MHz的
f
单相
感性负载。
导通延迟时间
负载，减免电流20 ％
t
D（上）
对于电容
上升时间
评级
关断延时
经常峰值反向电压
t
D（关闭）
最大
时间
下降时间
最大RMS电压
最大
时间
导通延迟
阻断电压DC
标识代码
t
r
t
f
t
D（上）
t
r
t
f
V
DD
=-15V,
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200
R
L
=10,
I
D
=-1.5A,
13
12
20
V
RRM
V
根
=-10V,Rg=1
30
V
RMS
V
DC
14
21
30
20
14
40
28
40
15
50
35
50
16
11
60
42
8
60
36
1.0
12
30
18
18
80
56
16
80
44
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
ns
上升
时间
下降时间
最大正向平均整流电流
V
DD
=-15V,
I
O
R
L
=10,
I
D
=-1.5A,
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
37
45
18
14
峰值正向浪涌
打开-O FF延迟时间
电流8.3ms单一正弦半波
t
D（关闭）
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
V
根
=-4.5V,Rg=1
典型热阻（注2 ）
典型结
二极管的特性
漏极 - 源极体
电容（注1 ）
工作温度范围
连续源极 - 漏极二极管
存储温度范围
-55到+125
9
40
120
-55到+150
-
65
到+175
-1.75
当前
I
S
I
SM
V
SD
TSTG
T
C
=25℃
A
V
0.9
特征
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
最大正向电压在1.0A DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200
-10
注意事项：
额定阻断电压DC
注意事项：
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
I
S
=-1.5A
I
R
V
F
0.50
0.70
-0.8
0.5
10
-1.2
0.85
0.92
一。脉冲测试：脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤2%.
B 。通过保证
在1兆赫和应用4.0伏的反向电压。
1测
设计，不受生产测试。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子有限公司
2012-10
威伦电子股份有限公司。
威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
输出特性
-1.0
低功耗，高效率。
-10V
-8.0V
-6.0V
T
a
=25
℃
脉冲
高电流能力，低正向电压降。
-4.5V
高浪涌能力。
-0.8
Guardring过电压保护。
超高速开关。
-4.0V
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
-0.6
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
-3.5V
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
-0.4
无卤素产品的包装代号后缀"H"
(A)
FM120-M
包
SE2303
THRU
FM1200-M
无铅PROD
特点
典型特征
T
a
=25
℃
脉冲
包装外形
SOD-123H
-20
传输特性
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
-16
(A)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
I
D
漏电流
-12
-8
机械数据
-4
V
GS
=-3.0V
漏电流
I
D
-0
-0
-0.2
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
-0.0
-1
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
-1
-2
-3
0.031 （ 0.8 ）典型值。
方法2026
V
DS
-2
-3
-4
-5
-0
300
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
R
DS （ ON）
—— I
D
重量：的逼近0.011克
T
a
=25
℃
脉冲
漏源极电压
(V)
栅极至源极电压
尺寸以英寸（毫米）
V
GS
(V)
500
R
DS （ ON）
——
V
GS
T
a
=25
℃
脉冲
最大额定值和电气特性
(m
Ω
)
导通电阻
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
250
200
R
DS （ ON）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
400
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
V
GS
=-4.5V
300
导通电阻
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200
标识代码
150
最大的经常峰值反向电压
V
GS
=-10V
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
12
200
20
14
20
100
13
30
21
30
14
40
I
D
=-1.9A
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大RMS电压
100
28
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
40
50
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
漏电流I
D
典型热阻（注2 ）
(A)
-0
-4
-8
-12
-16
-20
0
-0
-4
-8
-12
-16
-20
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
栅极至源极电压
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
I
S
—— V
SD
存储温度范围
-10
-55到+125
V
GS
40
(V)
120
-55到+150
-
65
到+175
I
S
(A)
-3
T
a
=25
℃
脉冲
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
注意事项：
-1
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
I
R
源出电流
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
-0.3
-0.1
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
源极到漏极电压
V
SD
(V)
2012-06
威伦电子有限公司
2012-10
威伦电子股份有限公司。
威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
FM120-M
包
SE2303
THRU
FM1200-M
无铅机生产线
特点
包装外形
外形绘图
.063(1.60)
.047(1.20)
.122(3.10)
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
.106(2.70)
机械数据
方法2026
.006(0.15)MIN.
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOT-23
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOD-123H
0.040(1.0)
0.024(0.6)
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200-
.080(2.04)
最大RMS电压
.070(1.78)
最大直流阻断电压
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
.008(0.20)
18
10
80
100
80
100
.083(2.10)
115
150
105
150
.110(2.80)
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
.003(0.08)
56
70
1.0
30
120
200
140
200
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
.004(0.10)MAX.
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
.020(0.50)
2-热阻结点到环境
.012(0.30)
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
注意事项：
尺寸以英寸（毫米）
2012-06
.055(1.40)
.035(0.89)
I
R
威伦电子有限公司
REV.D
2012-10
威伦电子股份有限公司。
QQ：2880707522 复制
