STP10NK60Z / FP ， STB10NK60Z / -1
STW10NK60Z
N沟道600V - 0.65Ω -10A TO- 220 / FP / D
2
PAK / I
2
PAK/TO-247
齐纳保护的超网功率MOSFET
TYPE
STP10NK60Z
STP10NK60ZFP
STB10NK60Z
STB10NK60Z-1
STW10NK60Z
s
s
s
s
s
s
V
DSS
600
600
600
600
600
V
V
V
V
V
R
DS （ ON）
< 0.75
< 0.75
< 0.75
< 0.75
< 0.75
I
D
10
10
10
10
10
A
A
A
A
A
Pw
115 W
35 W
115 W
115 W
156 W
TO-220
3
1
2
典型
DS
（上） = 0.65
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
TO-220FP
3
1
D
2
PAK
12
3
2
1
3
I
2
PAK
TO-247
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
应用
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
s
灯光
s
内部原理图
订购信息
销售类型
STP10NK60Z
STP10NK60ZFP
STB10NK60ZT4
STB10NK60Z-1
STW10NK60Z
记号
P10NK60Z
P10NK60ZFP
B10NK60Z
B10NK60Z
W10NK60Z
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-247
包装
管
管
磁带&卷轴
管
管
2003年7月
1/14
STP10NK60Z - STP10NK60ZFP ， STB10NK60Z ， STB10NK60Z -1， STW10NK60Z
绝对最大额定值
符号
参数
TO-220/
PAK / I
2
PAK
2
价值
TO-220FP
600
600
± 30
10
5.7
36
115
0.92
4000
4.5
-
2500
-55到150
-
10 (*)
5.7 (*)
36 (*)
35
0.28
10
5.7
36
156
1.25
TO-247
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD
（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤10A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220
I
2
PAK
Rthj情况
RthJ -PCB
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
（当安装在最小的足迹）
D
2
PAK
TO-220FP
3.6
TO-247
0.8
单位
° C / W
° C / W
1.09
60
62.5
300
热阻结到环境
最大
铅的最大温度
焊接用途
50
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
E
AR
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
重复性雪崩能量
（脉冲限制T
j
最大值）
最大值
9
300
3.5
单位
A
mJ
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
外部元件的使用情况。
2/14
STP10NK60Z - STP10NK60ZFP ， STB10NK60Z ， STB10NK60Z -1， STW10NK60Z
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5 A
3
3.75
0.65
分钟。
600
1
50
±10
4.5
0.75
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 4.5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
7.8
1370
156
37
90
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 4 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 8 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
20
20
50
10
25
70
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 4 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 8 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
55
30
18
18
36
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10 A，V
GS
= 0
I
SD
= 8 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
≤ 40V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
570
4.3
15
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
10
36
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/14
STP10NK60Z - STP10NK60ZFP ， STB10NK60Z ， STB10NK60Z -1， STW10NK60Z
安全工作区TO-220 / D2PAK / I2PAK
热阻抗对于TO- 220 / D2PAK / I2PAK
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220FP
安全工作区TO- 247
热阻抗对于TO- 247
4/14
STP10NK60Z - STP10NK60ZFP ， STB10NK60Z ， STB10NK60Z -1， STW10NK60Z
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
5/14
STB10NK60Z / -1 - STP10NK60Z / FP
STW10NK60Z
N沟道600V - 0.65Ω -10A - TO220 / FP - D / IPAK - TO- 247
齐纳保护的超网 MOSFET
一般特点
TYPE
STB10NK60Z
STB10NK60Z-1
STP10NK60ZFP
STP10NK60Z
STW10NK60Z
s
s
s
s
s
s
包
R
DS （ ON）
<0.75
<0.75
<0.75
<0.75
<0.75
I
D
10 A
10 A
10 A
10 A
10 A
Pw
115
115
35
115
156
V
DSS
600
600
600
600
600
V
V
V
V
V
3
1
2
1
2
3
3
2
1
TO-220
TO-220FP
TO-247
典型
DS （ ON）
= 0.65
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
REPEABILITY
3
1
3
12
DPAK
IPAK
内部原理图
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压
MOSFET的
INCLUDING
革命的
的MDmesh 产品。
应用
s
s
大电流，高开关速度
IDEAL离线电源，
适配器和PFC
灯光
s
2005年7月
REV 1
1/19
www.st.com
19
1绝对最大额定值
STB10NK60Z / -1 - STP10NK60Z / FP - STW10NK60Z
1
表1中。
绝对最大额定值
绝对最大额定值
参数
价值
TO- 220 / D / IPAK TO- 220FP
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
记
2
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
10
5.7
600
600
± 30
10
（注3）
5.7
（注3）
36
（注3）
35
0.28
4000
4.5
--
2500
-55到150
--
10
5.7
TO-247
V
V
V
A
A
单位
符号
36
115
0.92
36
156
1.25
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
VESD （G -S ）
dv / dt的
记
1
V
ISO
T
j
T
英镑
摹-S ESD （ HBM C = 100pF电容， R = 1.5kΩ上）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压Volatge （ DC ）
工作结温
储存温度
表2中。
热数据
TO-220
IPAK
DPAK
TO- 220FP TO-247
3.6
60
62.5
300
50
0.8
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
Rthj情况
RthJ -PCB
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
（当安装在最小的足迹）
热阻结- AMB最大
最大无铅焊接温度的
用途
1.09
2/19
STB10NK60Z / -1 - STP10NK60Z / FP - STW10NK60Z
表3中。
符号
I
AR
E
AS
E
AR
1绝对最大额定值
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或
不重复性（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
=I
AR
, V
DD
= 50V)
重复性雪崩能量
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
最大值
9
300
单位
A
mJ
3.5
mJ
表4 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
参数
栅极 - 源
击穿电压
测试条件
Igs=±1mA
（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
1.1
栅极 - 源极齐纳保护功能
二极管
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
3/19
2电气特性
STB10NK60Z / -1 - STP10NK60Z / FP - STW10NK60Z
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
GS
= ±15V, V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
3
3.75
0.65
分钟。
600
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
V
4.5
0.75
表6 。
符号
g
fs
记
4
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
记
5
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 4.5A
分钟。
典型值。
7.8
1370
156
37
90
50
10
25
70
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
输入电容
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
输出电容
反向传输电容
等效输出继电器容量V
GS
=0, V
DS
= 0V至480V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 480V ，我
D
= 8A
V
GS
=10V
（参见图19）
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
切换ON / OFF
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
=4A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图20）
V
DD
= 300 V，I
D
=4A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图20）
V
DD
= 480 V，I
D
=8A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图20）
分钟。
典型值。
20
20
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
55
30
18
18
36
ns
ns
ns
ns
ns
4/19
STB10NK60Z / -1 - STP10NK60Z / FP - STW10NK60Z
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
记
2
V
SD
记
4
t
rr
Q
rr
I
RRM
2电气特性
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10A ，V
GS
=0
I
SD
= 8A ， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 40 V ， TJ = 150℃
570
4.3
15
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
10
36
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
(1) I
SD
≤10A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区
（3）限定仅由最大允许温度
（ 4 ）脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
(5) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加
到80％
5/19
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