【SDU/D30N03LSAMHOP微电子股份有限公司2002年7月N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管】,IC型号SDD30N03L,SDD30N03L PDF资料,SDD30N03L经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SDU/D30N03L

SAMHOP微电子股份有限公司

2002年7月

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

产品概述

V

DSS

30V

特点

超级高密度电池设计低R

DS （上

).

I

D

30A

R

DS （ ON）（M

W

）典型值

11.5 @ V

GS

= 10V

17 @ V

GS

= 4.5V

坚固可靠。

的TO- 252和TO- 251封装。

D

D

G

S

G

D

S

G

SDU系列

TO-252AA(D-PAK)

SDD系列

TO-251(l-PAK)

S

绝对最大额定值（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

-Pulsed

a

符号

V

DS

V

GS

@ TJ = 125℃

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

英镑

极限

30

20

30

90

30

50

0.3

-55至175

单位

V

V

A

A

A

W

W / C

C

漏源二极管的正向电流

最大功率耗散@ TC = 25℃

减免上述25℃

工作和存储温度范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

1

R

JC

R

JA

3

50

C / W

C / W

SDU/D30N03L

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

b

符号

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250uA

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

V

GS

= +/-20V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250uA

V

GS

= 10V ，我

D

=15A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 12A

V

DS

= 10V, V

GS

= 10V

V

DS

= 10V ，我

D

= 20A

最小典型最大单位

30

10

V

uA

+/- 100 nA的

1

1.5

11.5

17

40

30

1200

530

150

3

14

21

V

兆欧

兆欧

基本特征

a

栅极阈值电压

漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

A

S

P

F

P

F

P

F

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

b

V

DD

=15V, V

GS

= 0V

F = 1.0MH

Z

开关特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

2

V

DD

= 15V,

I

D

=1A,

V

GS

= 10V,

R

根

= 6欧姆

5

65

67

90

34.4

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

DS

= 15V ，我

D

= 15A,

V

GS

=10V

5.1

7.7

SDU/D30N03L

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

符号

V

SD

条件

V

GS

= 0V ，是= 25A

最小典型最大单位

1.3

V

漏源二极管的特性

a

笔记

a.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％。

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

60

V

GS

=10,9,8,7,6,5,4V

50

30

40

25 C

6

I

D

，漏电流（ A）

40

30

20

10

0

0

1

2

3

4

5

6

V

GS

=3V

I

D

，漏电流（ A）

TJ = 125℃

20

10

-55 C

0

0

1

2

3

4

5

6

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

3000

1.3

图2.传输特性

R

DS （ ON）

归一化

漏源，导通电阻

V

GS

=10V

1.2

TJ = 125℃

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

25 C

-55 C

2500

C，电容（pF ）

2000

1500

1000

科斯

500

CRSS

0

0

5

10

15

20

25

30

西塞

0

10

20

30

40

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

I

D

，漏电流（ A）

图3.电容

图4.导通电阻变化与

漏电流和温度

3

SDU/D30N03L

BV

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

0.80

-50 -25

0

25

50

75 100 125 150

V

DS

=V

GS

I

D

=250uA

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

ID=250uA

6

0

25

50

75 100 125 150

TJ ，结温（ C）

TJ ，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

60

V

DS

=10V

图6.击穿电压变化

随温度

40

g

FS

，跨导（ S）

是，源极 - 漏极电流（ A）

50

40

30

20

10

0

0

5

10

15

20

10

1.0

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I

DS

，漏源电流（A ）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图7.跨导变化

与漏极电流

10

I

D

，漏电流（ A）

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

300

200

100

1m

V

GS

，门源电压（ V）

8

6

4

2

0

0

V

DS

=15V

I

D

=20A

10

R

DS

(O

N

i

)L

t

mi

10

s

10

0m

s

ms

1s

DC

1

0.5

0.1

V

GS

=10V

单脉冲

TC = 25℃

5

10

15 20 25

30

35 40

1

10

30

60

QG ，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源电压（V ）

图9.栅极电荷

4

图10.最大安全

工作区

SDU/D30N03L

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

6

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

2

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

1

D=0.5

0.2

0.1

0.1

P

DM

0.05

t

1

0.02

0.01

单脉冲

0.01

10

-5

-4

-3

-2

-1

t

2

1. R

英镑CJA

（吨） = R （t）的R *

英镑CJA

2. R

英镑CJA

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

A

= P

DM

* R

英镑CJA

(t)

4.占空比D = T

1

/t

2

10

10

10

1

10

10

方波脉冲持续时间（秒）

图13.归瞬态热阻抗曲线

5

SDU/D30N03L

SAMHOP微电子股份有限公司

2002年7月

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

产品概述

V

DSS

30V

特点

超级高密度电池设计低R

DS （上

).

I

D

30A

R

DS （ ON）（M

W

）典型值

11.5 @ V

GS

= 10V

17 @ V

GS

= 4.5V

坚固可靠。

的TO- 252和TO- 251封装。

D

D

G

S

G

D

S

G

SDU系列

TO-252AA(D-PAK)

SDD系列

TO-251(l-PAK)

S

绝对最大额定值（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

-Pulsed

a

符号

V

DS

V

GS

@ TJ = 125℃

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

英镑

极限

30

20

30

90

30

50

0.3

-55至175

单位

V

V

A

A

A

W

W / C

C

漏源二极管的正向电流

最大功率耗散@ TC = 25℃

减免上述25℃

工作和存储温度范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

1

R

JC

R

JA

3

50

C / W

C / W

SDU/D30N03L

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

b

符号

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250uA

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

V

GS

= +/-20V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250uA

V

GS

= 10V ，我

D

=15A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 12A

V

DS

= 10V, V

GS

= 10V

V

DS

= 10V ，我

D

= 20A

最小典型最大单位

30

10

V

uA

+/- 100 nA的

1

1.5

11.5

17

40

30

1200

530

150

3

14

21

V

兆欧

兆欧

基本特征

a

栅极阈值电压

漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

A

S

P

F

P

F

P

F

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

b

V

DD

=15V, V

GS

= 0V

F = 1.0MH

Z

开关特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

2

V

DD

= 15V,

I

D

=1A,

V

GS

= 10V,

R

根

= 6欧姆

5

65

67

90

34.4

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

DS

= 15V ，我

D

= 15A,

V

GS

=10V

5.1

7.7

SDU/D30N03L

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

符号

V

SD

条件

V

GS

= 0V ，是= 25A

最小典型最大单位

1.3

V

漏源二极管的特性

a

笔记

a.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％。

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

60

V

GS

=10,9,8,7,6,5,4V

50

30

40

25 C

6

I

D

，漏电流（ A）

40

30

20

10

0

0

1

2

3

4

5

6

V

GS

=3V

I

D

，漏电流（ A）

TJ = 125℃

20

10

-55 C

0

0

1

2

3

4

5

6

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

3000

1.3

图2.传输特性

R

DS （ ON）

归一化

漏源，导通电阻

V

GS

=10V

1.2

TJ = 125℃

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

25 C

-55 C

2500

C，电容（pF ）

2000

1500

1000

科斯

500

CRSS

0

0

5

10

15

20

25

30

西塞

0

10

20

30

40

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

I

D

，漏电流（ A）

图3.电容

图4.导通电阻变化与

漏电流和温度

3

SDU/D30N03L

BV

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

0.80

-50 -25

0

25

50

75 100 125 150

V

DS

=V

GS

I

D

=250uA

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

ID=250uA

6

0

25

50

75 100 125 150

TJ ，结温（ C）

TJ ，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

60

V

DS

=10V

图6.击穿电压变化

随温度

40

g

FS

，跨导（ S）

是，源极 - 漏极电流（ A）

50

40

30

20

10

0

0

5

10

15

20

10

1.0

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I

DS

，漏源电流（A ）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图7.跨导变化

与漏极电流

10

I

D

，漏电流（ A）

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

300

200

100

1m

V

GS

，门源电压（ V）

8

6

4

2

0

0

V

DS

=15V

I

D

=20A

10

R

DS

(O

N

i

)L

t

mi

10

s

10

0m

s

ms

1s

DC

1

0.5

0.1

V

GS

=10V

单脉冲

TC = 25℃

5

10

15 20 25

30

35 40

1

10

30

60

QG ，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源电压（V ）

图9.栅极电荷

4

图10.最大安全

工作区

SDU/D30N03L

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

6

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

2

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

1

D=0.5

0.2

0.1

0.1

P

DM

0.05

t

1

0.02

0.01

单脉冲

0.01

10

-5

-4

-3

-2

-1

t

2

1. R

英镑CJA

（吨） = R （t）的R *

英镑CJA

2. R

英镑CJA

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

A

= P

DM

* R

英镑CJA

(t)

4.占空比D = T

1

/t

2

10

10

10

1

10

10

方波脉冲持续时间（秒）

图13.归瞬态热阻抗曲线

5

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地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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