【S DP / B 85N03LS amHop微电子 ORP 。2004年5月了Ver.1.1N沟道逻】,IC型号SDB85N03L,SDB85N03L PDF资料,SDB85N03L经销商,ic,电子元器件-51电子网

S DP / B 85N03L

S amHop微电子 ORP 。

2004年5月了Ver.1.1

N沟道逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管

P ODUC牛逼S UMMAR

DS S

30V

F ê乌尔（E S）

( m

）最大

83A

DS （ ON）

S UPER高密度电池设计极低R DS （ ON）。

高功率和电流处理能力。

的TO-220 &的TO- 263封装。

5 @ V

的s

= 10V

7.5 @ V

的s

= 4.5V

S DP性S E IE S

TO-220

S DB性S E IE S

TO- 263 （ DD -P AK ）

ABS OLUTE最大R ATINGS （ TC = 25℃除非另有说明）

P ARAMETER

漏-S环境允许的电压

门-S环境允许的电压

漏光凭目前 -C ontinuous

-P ulsed

S ymbol

@ TJ = 125℃

, T

s TG

极限

249

-65 175

单位

漏-S环境允许的二极管正向光凭目前

最大P奥尔耗散@ TC = 25℃

工作和S torage温度法兰

第r MAL HAR AC TE R是TIC S

热 esistance ，结到C的酶

热 esistance ，结到环境

62.5

C / W

S DP / B 85N03L

LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T

= 25°C除非另有说明）

参数

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

S ymbol

条件

= 0V时，我

= 250uA

= 24V, V

=0V

= 16V, V

= 0V

= V

, I

= 250uA

= 10V ，我

= 37.5A

= 4.5V ，我

= 30A

= 10V, V

= 10V

= 10V ，我

= 37A

最小典型最大单位

100

兆欧

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老 esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

1.5

5.5

3800

1750

390

= 15V,

= 1A,

= 10V

= 60

欧姆

= 15V ，我

=85A,V

=10V

= 15V ，我

=85A,V

=4.5V

= 15V ，我

= 85A,

=10V

7.5

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

EVERSE传输电容

为s

OS s

RSS

=15V, V

= 0V

F = 1.0MH

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

268

363

233

95.2

7.2

5.6

S DP / B 85N03L

LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

S ymbol

条件

= 0V ，是= 37.5A

最小典型最大单位

0.9

1.3

DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS

笔记

a.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％。

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

120

的s

=10,9,8,7,6,5,4V

100

，排水光凭目前（A ）

的s

=3V

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

25 C

-55 C

=125 C

，漏到-S环境允许的电压（V ）

的s

地下吃到-S环境允许的电压（V）

F igure 1输出C haracteris抽动

12000

2.2

F igure 2.跨FER haracteris抽动

的s

=10V

=37.5A

DS （ ON）

归一化

漏-S环境允许在-R es是tance

10000

1.8

1.4

1.0

0.6

0.2

C，C apacitance （PF ）

8000

6000

4000

2000

C为S

OS s

RS s

-50

-25

100 125

T J （ C）

，汲极与S环境允许的电压（V ）

F igure 3. apacitance

F igure 4.在-R es是tance与变化

温度

S DP / B 85N03L

B V

DS S

归一化

漏-S环境允许B reakdown V oltage

V th时，归一化

摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50 -25

100 125

的s

=250uA

1.15

=250uA

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

75 100 125

T J ，J油膏牛逼emperature （ C）

F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation

以T emperature

F igure 6. B reakdown V oltage V ariation

以T emperature

F小号

，T失败者电导（ S）

是，S环境允许的漏电流（ A）

=10V

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

，排水-S环境允许光凭目前（A ）

S.D。

，B ODY二极管F orward V oltage （ V）

F igure 7.牛逼失败者导V ariation

与排水光凭目前

12 24

QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）

，排水光凭目前（A ）

F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage

V ariation带S环境允许光凭目前

300

200

100

的s

，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）

=15V

=48V

=85A

I = 75A

0.5

0.1

的s

=10V

S英格尔P ulse

T C = 25°C

，排水-S环境允许的V oltage （ V）

F igure 9.摹吃哈耶

F igure 10和最大S AFE

操作摄像区

S DP / B 85N03L

的s

90%

OUT

10%

关闭

90%

D（上）

D（关闭）

90%

10%

INVE TE

50%

10%

50%

P ULS e×宽度

F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit

F igure 12 S魔力波形

R（T ），归一化ê ffective

牛逼ransient牛逼有源冰箱阻抗

D=0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

S英格尔P ULS ê

0.01

100

θJ

（吨） = R （t）的R *

θJ

= S EE资料中HEET

M-

= P * R

θJ

(t)

值班 ycle ， D = T1 / T2

1000

10000

0.1

S单方波P ULS 持续时间（毫秒EC ）

F igure 13.归牛逼有源冰箱牛逼失败者ient阻抗 urve

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