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SDB5150D
肖特基势垒整流器
高压肖特基整流器
特点
低正向压降
低功耗，高效率
低漏电流
高浪涌能力
无卤素成分，并符合RoHS标准装置
引脚配置
引脚1,3 ：阳极
销2,4 ：阴极
应用
高效率开关电源
输出整流
高频开关
惯性滑行
DC-DC转换系统
TO-252
TO-252
产品特点
I
F（ AV ）
V
RRM
V
FM
在125
I
FSM
5A
150V
0.75V
120A
描述
该SDB5150D非常适合于全波整流输出低开关电源，
逆变器和续流二极管。
订购信息
设备
SDB5150D
标识代码
SDB5150D
包
TO-252
包装
磁带&卷轴
标识信息
SDB5150D =具体设备守则
SDB5150D
YWW
YWW =年度&周码打标
- 。 Y =年代码
- 。 WW =周典
KSD-D6O017-001
1
SDB5150D
绝对最大额定值
（限制值）
特征
最高重复反向电压
最大工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
存储温度范围
最大工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
价值
单位
150
V
5
120
-45℃至+ 150 ℃
150
A
A
℃
℃
热特性
特征
最大热阻结到外壳
符号
R
日（J -C ）
价值
4.0
单位
℃/W
电气特性
特征
峰值正向电压降
符号
V
FM
(1)
测试条件
T
j
=25℃
I
FM
= 5A
T
j
=125℃
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
80
马克斯。
0.88
0.75
10
10
-
单位
V
V
uA
mA
pF
反向漏电流
结电容
I
RM
(1)
T
j
=25℃
V
R
= V
RRM
T
j
=125℃
V
R
= 4V
DC
， F = 1MHz的
C
j
注意：
（ 1 ）脉冲测试：
t
P
≤380
,
值班Cycle≤2 ％
评估的导通损耗可使用以下公式（图4 ）：P
F
= 0.72 ×1
F（ AV ）
+ 0.021 I
F2(RMS)
I
FM
正向电压： V
FM
= V
to
+我路
FM
2 I
F（ AV ）
rd
导通损耗：P
F
= V
to
I
F（ AV ）
+ RD
I
F2(RMS)
I
F（ AV ）
V
FM
V
to
KSD-D6O017-001
2
SDB5150D
额定值和特性曲线
图。 1 ）典型的正向特性
图。 2 ）典型的反向特性
图。 3 ）最大正向Derative曲线
图。 4 ）前向功率耗散
图。 5 ）最大非重复性峰值正向
浪涌电流
图。 6 ）典型结电容
KSD-D6O017-001
3
SDB5150D
包装外形尺寸
※
推荐的焊盘图案[单位：mm ]
7.00
1.50
4.60
2.50
7.00
KSD-D6O017-001
4
SDB5150D
该AUK公司产品用于使用在一般的电子元件
设备（办公室和通信设备，测量设备，家用
设备等）。
请确保您与我们协商，然后再使用这些AUK公司产品前
在需要较高的质量和/或可靠性，设备和在设备，而
可能主要影响到人类生活的福利（原子能控制，飞机，
飞船，运输，燃烧控制，所有类型的安全装置，等等）。 AUK
公司不承担责任，以可能发生的情况下，这些AUK公司的任何损害
产品使用在上述设备不与AUK事先协商
公司..
本出版物中提到的规格如有变更，恕不另行通知。
KSD-D6O017-001
5
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S71WS512NC0BAWA72
SC16C752
SHD114544B
SD175SC100C
STD150NH02L-1
SS34-G
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    SDB5150D
    -
    -
    -
    -
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SDB5150D
AUK
20+
7800
TO-252
全新原装正品/质量有保证
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SDB5150D
AUK
21+
16000
TO-252
全新原装正品/质量有保证
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21+22+
62710
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原装正品
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18650
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