SD4701
RF &微波晶体管
蜂窝基站应用
.
.
.
.
.
专为AB类线性
手术
共发射极
内部输入/输出匹配
26伏， 960 MHz的性能：
P
OUT
=
45瓦最小。
收益
=
8.5分贝分钟。
集热器效率50 ％以上。
本身的耐久性：
作者负载不匹配公差
5 ： 1分钟。 VSWR
3分贝过载功能。
0.400 X 0.425 6LFL （ M169 ）
环氧树脂密封
订货编号
SD4701
BRANDING
SD4701
引脚连接
描述
1.集热器
2.基
3.辐射源
绝对最大额定值
(T
例
=
25
°
C)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
V
首席执行官
V
CER
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
60
30
40
3.5
10
145
+200
65 150
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
° C / W
1/6
热数据
R
日（J -C ）
1993年5月
结 - 壳热阻
1.2
SD4701
电气规格
(T
例
=
25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
CER
BV
EBO
I
CER
h
FE
I
C
=
60毫安
I
C
=
60毫安
I
C
=
60毫安
I
E
=
10毫安
V
CE
=
26 V
V
CE
=
10 V
I
E
=
0毫安
I
B
=
0毫安
R
BE
=
75
I
C
=
0毫安
R
BE
=
75
I
C
=
1 A
60
30
40
3.5
—
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
100
V
V
V
V
mA
—
动态
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
C
OB
P
IN
P
OUT
G
P
η
c
f
=
1兆赫
V
CB
=
26 V
仅供参考 - 此设备是收藏家匹配
f
=
960 MHz的V
CE
=
26 V I
CQ
=
200毫安P
OUT
=
45 W
f
=
960 MHz的V
CE
=
26 V
f
=
960 MHz的V
CE
=
26 V
f
=
960 MHz的V
CE
=
26 V
I
CQ
=
200毫安P
IN
=
6.3 W
I
CQ
=
200毫安P
OUT
=
45 W
I
CQ
=
200毫安P
OUT
=
45 W
—
—
45
8.5
50
55
5
55
9.5
55
—
6.3
—
—
—
pF
W
W
dB
%
负载
f
=
960 MHz的V
CE
=
26 V I
CQ
=
200毫安P
OUT
=
45 W
VSWR不匹配
=
5 ： 1分钟。 @所有相位角
OVD
* IMD
3
*注意：
f
1
在不降低
设备性能
在不降低
设备性能
—
32
—
DBT **
f
=
960 MHz的V
CE
=
26 V I
CQ
=
200毫安
设P
OUT
=
45瓦;增加P
IN
3dB
V
CE
=
26 V
I
CQ
=
200毫安
@ 40.5分贝米
@ 40.5分贝米
P
OUT
=
46.5 dBm的（ 45.0W ） PEP
** DBT ， I N分贝，文献所引用，语气水平
=
900.00MHz
f
2
=
900.01MHz
2/6
SD4701
测试电路
C1, C2
C3, C7
C4, C5
C6
C8
C9, C12
C10, C11
:
:
:
:
:
:
:
1.3 pF的ATC 100B贴片电容
430 pF的ATC 100B贴片电容
0.6 - 4.5 pF的约翰森可变电容
0.7 pF的ATC 100B贴片电容
470 pF的ATC 100B贴片电容
221 pF的ATC 100B贴片电容
47
楼50V电解电容
L1
R1 + Fb的
R3
R4
P1
:
:
:
:
:
5打开＃22AWG 0.16 “内径1T ： 1气憋
11
1
8
W电阻+ FB VK- 200
11
1
8
W电阻
100
1
8
W电阻
1k
， 1圈电位
板材质： 1盎司
=
2边，厚度31.25密耳，尔
=
2.55
测试电路摄影大师
5/6
SD4701
RF &微波晶体管
蜂窝基站应用
.
.
.
.
.
专为AB类线性
手术
共发射极
内部输入/输出匹配
26伏， 960 MHz的性能：
P
OUT
=
45瓦最小。
收益
=
8.5分贝分钟。
集热器效率50 ％以上。
本身的耐久性：
作者负载不匹配公差
5 ： 1分钟。 VSWR
3分贝过载功能。
0.400 X 0.425 6LFL （ M169 ）
环氧树脂密封
订货编号
SD4701
BRANDING
SD4701
引脚连接
描述
1.集热器
2.基
3.辐射源
绝对最大额定值
(T
例
=
25
°
C)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
V
首席执行官
V
CER
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
60
30
40
3.5
10
145
+200
65 150
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
° C / W
1/6
热数据
R
日（J -C ）
1993年5月
结 - 壳热阻
1.2
SD4701
电气规格
(T
例
=
25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
CER
BV
EBO
I
CER
h
FE
I
C
=
60毫安
I
C
=
60毫安
I
C
=
60毫安
I
E
=
10毫安
V
CE
=
26 V
V
CE
=
10 V
I
E
=
0毫安
I
B
=
0毫安
R
BE
=
75
I
C
=
0毫安
R
BE
=
75
I
C
=
1 A
60
30
40
3.5
—
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
100
V
V
V
V
mA
—
动态
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
C
OB
P
IN
P
OUT
G
P
η
c
f
=
1兆赫
V
CB
=
26 V
仅供参考 - 此设备是收藏家匹配
f
=
960 MHz的V
CE
=
26 V I
CQ
=
200毫安P
OUT
=
45 W
f
=
960 MHz的V
CE
=
26 V
f
=
960 MHz的V
CE
=
26 V
f
=
960 MHz的V
CE
=
26 V
I
CQ
=
200毫安P
IN
=
6.3 W
I
CQ
=
200毫安P
OUT
=
45 W
I
CQ
=
200毫安P
OUT
=
45 W
—
—
45
8.5
50
55
5
55
9.5
55
—
6.3
—
—
—
pF
W
W
dB
%
负载
f
=
960 MHz的V
CE
=
26 V I
CQ
=
200毫安P
OUT
=
45 W
VSWR不匹配
=
5 ： 1分钟。 @所有相位角
OVD
* IMD
3
*注意：
f
1
在不降低
设备性能
在不降低
设备性能
—
32
—
DBT **
f
=
960 MHz的V
CE
=
26 V I
CQ
=
200毫安
设P
OUT
=
45瓦;增加P
IN
3dB
V
CE
=
26 V
I
CQ
=
200毫安
@ 40.5分贝米
@ 40.5分贝米
P
OUT
=
46.5 dBm的（ 45.0W ） PEP
** DBT ， I N分贝，文献所引用，语气水平
=
900.00MHz
f
2
=
900.01MHz
2/6
SD4701
测试电路
C1, C2
C3, C7
C4, C5
C6
C8
C9, C12
C10, C11
:
:
:
:
:
:
:
1.3 pF的ATC 100B贴片电容
430 pF的ATC 100B贴片电容
0.6 - 4.5 pF的约翰森可变电容
0.7 pF的ATC 100B贴片电容
470 pF的ATC 100B贴片电容
221 pF的ATC 100B贴片电容
47
楼50V电解电容
L1
R1 + Fb的
R3
R4
P1
:
:
:
:
:
5打开＃22AWG 0.16 “内径1T ： 1气憋
11
1
8
W电阻+ FB VK- 200
11
1
8
W电阻
100
1
8
W电阻
1k
， 1圈电位
板材质： 1盎司
=
2边，厚度31.25密耳，尔
=
2.55
测试电路摄影大师
5/6
QQ：2880707522 复制
