STL8NH3LL
N沟道30V - 0.012Ω - 8A - PowerFLAT
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STL8NH3LL
■
■
■
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS ( ON)
<0.015
I
D
8A
(1)
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装(最大1mm )
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
符合2002/95 / EC欧洲
指示
PowerFLAT(3.3x3.3)
(芯片级封装)
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省,
还是提高性能。
内部原理图
应用
■
开关应用
顶视图
订购代码
销售类型
STL8NH3LL
记号
8NH3L
包
PowerFLAT ( 3.3× 3.3 )
包装
磁带&卷轴
2006年3月
第七版
1/12
www.st.com
12
内容:
STL8NH3LL
内容:
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STL8NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (1)
I
DM(2)
P
TOT(3)
P
TOT(1)
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
=100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
± 18
8
5
32
50
2
0.4
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W
W / ℃,
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值根据Rthj -的pcb额定
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. vaule是根据Rthj -C评分
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB ( 1 )
R
THJ -印刷电路板(2)
热阻
参数
热阻结到外壳(漏)
热阻结到PCB
热阻结到PCB
价值
2.5
42.8
63.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的, 2盎司铜,叔< 10秒
2.稳态
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电气特性
STL8NH3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
试验性条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值,
V
DS
= MaxRating @ 125°C
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
门体漏电流
V
GS
= ±18V
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 4A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 4A
1
0.012
0.0135
2.5
0.015
0.017
表4 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
试验性条件
V
DS
= 15V ,我
D
= 4A
分钟。
典型值。
30
965
285
38
9
3.7
3
12
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
=0
V
DD
= 15V ,我
D
= 8A
V
GS
=4.5V
(参见图7 )
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
门输入电阻
0.5
1.5
2.5
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
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STL8NH3LL
电气特性
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
试验性条件
V
DD
= 15V ,我
D
= 4A,
R
G
=4.7, V
GS
=4.5V
(参见图13)
分钟。
典型值。
15
32
18
8.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8A ,V
GS
=0
I
SD
=8A,
的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 20V , TJ = 150℃
(参见图15)
24
17.4
1.45
试验性条件
民
典型值。
最大
8
32
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
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