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SD1538-08
RF &微波晶体管
航空电子应用
.
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专为高功率脉冲
敌我识别器，二甲醚，和塔康应用
200 W（典型值）， IFF一零三零年至1090年兆赫
150 W（分钟） DME 1025年至1150年兆赫
140 W（典型值），塔康960 - 1215兆赫
7.8分贝MIN 。 GAIN
耐火材料镀金
压载和低的热
阻力和可靠性
耐用性
30 ： 1 VSWR负载能力的AT
指定的运行条件
输入和输出匹配
常见的基本配置
.400 X .400 2LFL （ M138 ）
密封式
订货编号
SD1538-08
BRANDING
1538-8
引脚连接
描述
该SD1538-08是金金属硅NPN
功率晶体管。该SD1538-08被设计为
要求高的峰值功率和低应用
占空比，如IFF ， DME和TACAN 。该
SD1538-08封装在一个金属/陶瓷封装
年龄与内部输入/输出匹配，从而导致
在提高宽带性能和低热敏
发作性。
绝对最大额定值
(T
例
=
25
°
C)
符号
参数
1.集热器
2.基
3.辐射源
4.基地
价值
单位
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
65
65
3.5
11
583
+200
65 150
V
V
V
A
W
°
C
°
C
热数据
R
日（J -C ）
1994年9月6日
结 - 壳热阻
0.30
° C / W
1/5
SD1538-08
电气规格
(T
例
=
25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
动态
符号
I
C
=
10mA
I
C
=
25mA
I
E
=
5mA
V
CE
=
50V
V
CE
=
5V
I
E
=
0mA
V
BE
=
0V
I
C
=
0mA
I
E
=
0mA
I
C
=
300mA
65
65
3.5
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
10
—
V
V
V
mA
—
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
P
G
注意：
f
=
1025
1150兆赫P
IN
=
25 W
f
=
1025
1150兆赫P
IN
=
25 W
=
10
秒，占空比Cyle
V
CE
=
50 V
V
CE
=
50 V
150
7.8
—
—
—
—
W
dB
PULSE W ID
=
1%
典型性能
功率输出VS电源输入
功率输出与频率
2/5
SD1538-08
典型特性（续）
效率与输入功率
效率与频率
阻抗数据
典型输入阻抗
典型集电极负载阻抗
3/5
SD1538-08
测试电路
C1, C2
C3
C4
C5
L1
L2
:
:
:
:
0.6 - 4.5pF的Gigatrim
.100 X .100 120pF电容器芯片
.100 X .100 470pF的电容器芯片
100
μF电解
： ＃ 20 AWG
： 3圈， ＃ 20 AWG绕在＃ 32钻头
板材质： Telfon尔
=
2.5 ，厚度
=
.031”
4/5
SD1538-08
包装机械数据
参考：的Dwg 。 No.12-0138转。
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子不承担任何责任
使用这些信息，也不造成的后果对于任何侵犯第三方专利或可能造成的其他权利
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式SGS - THOMSON Microelectron-的任何专利或专利权
集成电路。本出版物中提到的规格如有变更，恕不另行通知。本出版物取代并替换所有
以前提供的信息。 SGS - THOMSON微电子产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统不SGS - THOMSON微电子明确的书面批准。
1994
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