固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
SFF75N05M
SFF75N05Z
75安培
50伏
15m
N沟道
MOSFET
的TO- 254 （M）的
TO- 254Z （ Z）
设计师的数据表
产品特点：
先进的高细胞密度承受高能量
极低的传导和开关损耗
快速恢复漏极至源极二极管具有软恢复
坚固的结构与多晶硅栅
超低的RDS（on ）和高跨导
优良的高温稳定性
开关速度快
快速恢复和卓越的dV / dt性能
增加反向能源能力
低输入和传输电容可以轻易地并联
密封包装
TX ， TXV和空间层次屏蔽可用
最大额定值
特征
漏源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0米
)
栅极至源极电压
连续漏电流
工作和存储温度
热阻，结到外壳
器件总功耗
@ T = 25
o
C
@ TC = 55
o
C
@TC=25
o
C
@TC=100
o
C
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
D
T
op
＆放大器;牛逼
英镑
R
0JC
P
D
价值
50
50
+ 20
56
1/
46
-55到+175
1
150
120
单位
伏
伏
伏
安培
o
C
o
C / W
瓦
案例外形： TO- 254 （ Sufix M）
引脚输出：
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
案例外形： TO- 254Z （ Sufix Z）
引脚输出：
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
可用玻璃或陶瓷密封件。联系Facory了解详细信息。
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
的SCD这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： F00257E
SFF75N05M
SFF75N05Z
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
电气特性@ T
J
=25
o
C
（除非另有规定编）
等级
漏源击穿电压
（ VGS = 0 V ， ID = 250μA ）
符号
民
典型值
最大
单位
BV
DSS
ID=37.5A
ID=75A
ID=37.5A
50
-
-
-
75
2
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
15
19
漏极至源极导通电阻
（ VGS = 10V ，TC = 150
o
C)
R
DS （ ON）
I
D（上）
V
GS （ TH）
gf
s
I
DSS
-
15
17
-
4.0
-
10
100
100
100
100
20
55
40
70
130
80
1.6
150
2900
1100
275
V
m
A
V
在国家漏极电流
（ VDS >号（上）× RDS （ ON）最大值， VGS = 10V）
-
-
35
-
-
-
-
80
13
40
20
35
65
40
1.47
70
40/35
2600
700
260
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250μA ）
正向跨导
（ VDS >号（上）× RDS （ ON）最大值， IDS = 20安培）
Smho
A
nA
零栅极电压漏极电流
(V
DS
=最大额定电压，V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 80 ％额定V
DS
, V
GS
= 0V ，T
A
= 125
o
C)
门源漏FORWARD
门源漏反向
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
打开延迟时间
上升时间
关闭DelayTime
下降时间
二极管Forvard电压
(I
S
=额定我
D
, V
GS
= 0V ，T
J
= 25
o
C)
额定VGS
VGS = 10 V
80 ％的额定VDS
额定ID
VDD = 50 ％
额定VDS
额定ID
RG=9.1
I
GSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
tf
V
SD
nC
纳秒
V
纳秒
二极管的反向恢复时间
反向恢复电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
TJ = 25
o
C
IF = 10A
的di / dt = 100A /
美国证券交易委员会
VGS = 0伏特
VDS = 25伏
F = 1 MHz的
t
rr
Q
RR
西塞
科斯
CRSS
pF
热降额曲线等特性曲线，请联系SSDI市场部。
注意事项：
1 /最大电流限制的封装，模具额定功率为75A 。
QQ：2880707522 复制
