SENSITRON
半导体
技术参数
数据表编号585 ， REV 。 -
SCP-4447
HERMETIC半桥MOSFET / IGBT栅极驱动器
绝对最大额定值：
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压。热敏电阻是在规定的
电路板安装和静止空气条件。
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置
电压
电源电压
逻辑电源电压
逻辑地
逻辑输入电压（ HIN ， LIN ， SD ）
热阻
结温
无铅焊接温度， 10秒
符号
V
B
V
S
V
CC
V
DD
V
SS
V
IN
R
thJA
T
j
T
L
-0.3
V
B
- 25
-0.3
-0.3
V
CC
- 25
V
SS
- 0.3
-
-55
-
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
625
V
B
+ 0.3
25
V
SS
+ 25
V
CC
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
85
150
250
最大
V
V
V
V
V
V
O
单位
C / W
C
C
O
O
推荐工作条件
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源电压
电源电压
逻辑电源电压
逻辑地
逻辑输入电压（ HIN ， LIN ， SD ）
符号
V
B
V
S
V
CC
V
DD
V
SS
V
IN
民
V
S
+ 10
-5
10
V
SS
+ 5
-5
V
SS
-
-
-
-
-
-
典型值
最大
V
S
+ 20
600
20
V
SS
+ 25
5
V
DD
V
V
V
V
V
V
单位
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
万维网网站 - www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
数据表编号585 ， REV 。 -
SCP-4447
动态特性
V
CC
=V
BS
= 15V, V
S
= V
SS
, C
L
= 1 nF的
参数
导通传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
延迟匹配， HS & LS开启
开/关
-
TEST
条件
V
IN
= 0＆安培; 5V
V
S
= 0 600V
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
F
MT
民
-
-
-
-
-
典型值
120
94
25
17
-
最大
150
125
35
25
10
单位
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
静态特性
V
CC
= V
DD
= V
BS
= 15V, V
S
= V
SS
参数
逻辑“1”输入电压（输出= HI ）
逻辑“0”输入电压（输出=
LO ）
静态V
CC
电源电流
静态V
DD
电源电流
静态V
BS
电源电流
电源欠压
门槛
积极
-
-
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
-
-
V
OUT
= 0V,
V
IN
= V
DD
,
TP < 10微秒
V
OUT
= 0V,
V
IN
= 15V,
TP < 10微秒
TEST
条件
符号
V
IH
V
IL
I
QCC
I
检疫侦缉犬
I
QBS
V
CCIUV +
V
BSIUV +
V
CCIUV-
V
BSIUV-
I
O+
民
9.5
-
-
-
-
7.5
7.0
2.0
-
-
-
-
-
8.6
8.2
2.5
典型值
-
6.0
0.34
0.03
0.23
9.7
9.4
-
最大
V
V
mA
mA
mA
V
V
A
单位
电源欠压负
门槛
高输出短路脉冲
当前
低输出短路脉冲
当前
I
O-
2.0
2.5
-
A
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原理图
+V
SEN-4447
8
9
VDD
VS
10
HIN
SD
11
12
13
14
LIN
VCC 3
4
5
HO
VB
7
6
产量
VSS
COM 2
LO
1
VCC
封装布局：
COM
.200
.125
(5.08
3.18)
0.200 （ 5.08 ）最大
.060 (1.52
0.015 0.38 ） 0.005 （ 0.13 ）最小
8
9
7
6
5
4
3
2
0.098 （ 2.49 ）最大
14
1
.023 (.58
.014 .36)
00 （ 2.54 ） BSC
10
.065
.038
(1.65
.96)
0.785最大。
(19.94)
11
12
13
0.150 （ 3.81 ）最小
.310 (7.87
.220 5.59)
.015 (.38
.008 .20)
.320 (8.13
.290 7.37)
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故障安全防范措施或其他安排。
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根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
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值超过绝对最大额定值。
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半导体。
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