【订购数量： ENN8215SCH2807SCH2807特点MOSFET ： N沟道MOSFET硅SB】,IC型号SCH2807,SCH2807 PDF资料,SCH2807经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENN8215

SCH2807

特点

MOSFET ： N沟道MOSFET硅

SBD ：肖特基二极管

通用开关设备

应用

复合型与N沟道MOSFET的硅（ SCH1407 ）和肖特基势垒二极管（ SS05015 ）

包含在一个包促进高密度安装。

[ MOSFET ]

低导通电阻。

超高速开关。

4V的驱动器。

[ SBD ]

短的反向恢复时间。

低正向电压。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

[ MOSFET ]

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

[ SBD ]

反向重复峰值电压

非重复性峰值反向电压浪涌

平均输出电流

正向电流浪涌

结温

储存温度

VRRM

VRSM

IO

IFSM

Tj

TSTG

50Hz正弦波， 1个周期

15

0.5

3

--55到125

V

A

°C

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷基板

(900mm

2

!0.8mm)

1unit

20

±15

1.2

4.8

0.6

150

--55到125

V

A

W

°C

符号

条件

评级

单位

标记： QG

描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理

适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的

控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的

物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的

描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。

三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他

在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含

在本文中。

三洋电机有限公司。半导体公司

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

12805PE TS IM TB- 00001165 No.8215-1 / 6

SCH2807

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ MOSFET ]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ SBD ]

反向电压

正向电压

反向电流

端间电容

反向恢复时间

VR

VF

IR

C

TRR

IR=0.5mA

IF=0.5A

VR=6V

VR = 10V ， F = 1MHz的

IF = IR = 100mA时，请参阅特定网络版测试电路。

15

0.4

13

10

0.46

90

V

A

pF

ns

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

ID = 1mA时， VGS = 0

VDS = 20V ， VGS = 0

VGS = ± 12V ， VDS = 0

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ，ID = 600毫安

ID = 600毫安， VGS = 10V

ID = 300毫安， VGS = 4.5V

ID = 300毫安， VGS = 4V

VDS = 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = 10V ， VGS = 10V ， ID = 1.2A

IS = 1.2A ， VGS = 0

1.2

480

800

240

480

590

38

13.5

9.2

5.0

16.0

9.4

3.4

2.1

0.6

0.2

0.92

1.2

320

675

830

20

1

±10

2.6

V

A

V

mS

m

pF

ns

nC

V

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

包装尺寸

单位：mm

2230A

电气连接

6

1.6

0.05

5

4

0.2

6 5 4

0.2

1 ：门

2 ：源

3 ：阳极

4 ：阴极

5 ：排水

6 ：排水

顶视图

1.6

1.5

0.05

1

2

3

0.5

0.56

1

2

3

1 ：门

2 ：源

3 ：阳极

4 ：阴极

5 ：排水

6 ：排水

三洋： SCH6

0.25

No.8215-2/6

SCH2807

开关时间测试电路

[ MOSFET ]

TRR测试电路

[ SBD ]

VIN

10V

0V

VIN

VDD=10V

Duty≤10%

100mA

10mA

TRR

SCH2807

ID=1A

RL=16.7

D

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

10s

G

--5V

P.G

50

S

1.2

ID - VDS

8.0V

[ MOSFET ]

1.2

ID - VGS

VDS=10V

100mA

50

100

10

[ MOSFET ]

TA

--25

°

C

Ta

=

°

C

25

1.0

1.5

2.0

V

5.0

V

4.5

V

4.0

V

1.0

10.0

漏极电流ID -

0.8

3.0V

0.6

0.4

0.2

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0

0.5

--2

5

VGS=2.0V

2.5

°

C

75

°

C

2.5V

3.0

3.5

25

°

C

75

°

C

4.0

4.5

140

160

IT09120

V

漏极至源极电压VDS - V

IT09117

RDS （ ON） - VGS

[ MOSFET ]

Ta=25°C

6.0

1000

IT09118

栅极 - 源极电压VGS - V

RDS （ ON） - TA

[ MOSFET ]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

--60

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

600mA

ID=300mA

V

=4.0

VGS

,

0mA

V

=30

=4.5

ID

VGS

A,

00m

I D = 3

=10.0V

毫安，V GS

0

I D = 60

栅极 - 源极电压VGS - V

IT09119

环境温度，钽 -

°C

No.8215-3/6

SCH2807

1.0

y

fs - ID

VDS=10V

[ MOSFET ]

正向转移导纳，

y

fs - S

7

5

3

2

3

2

1.0

7

5

3

2

IF - 室间隔缺损

[ MOSFET ]

VGS=0

7

5

3

2

3

2

0.01

7

5

3

2

0.01

0.001

2

3

5 7 0.01

2

3

5 7 0.1

2

3

5 7 1.0

IT09121

0.001

0.3

0.4

0.5

TA

7

0.6

0.1

--2

a=

T

°

C

75

C

5

°

C

25

正向电流IF - 一个

25

°

C

--25

°

C

0.7

0.8

0.9

0.1

7

5

°

C

1.0

1.1

1.2

漏极电流ID -

100

7

SW时间 - ID

[ MOSFET ]

VDD=10V

VGS=10V

西塞，科斯，的Crss - pF的

100

7

5

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

IT09122

[ MOSFET ]

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

5

3

2

西塞

3

TD （关

)

10

7

5

3

2

0.01

2

3

tf

tr

2

科斯

10

7

5

TD （上）

CRSS

5

7

0.1

2

3

5

漏极电流ID -

10

9

1.0

IT09123

10

7

5

3

2

7

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

VGS - 的Qg

[ MOSFET ]

IT09124

漏极至源极电压VDS - V

ASO

[ MOSFET ]

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS=10V

ID=1.2A

漏极电流ID -

IDP=4.8A

<10s

10

0

8

7

6

5

4

3

2

1

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

IT09125

s

ID=1.2A

D

C

10

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

m

op

0ms

er

at

io

n

10

s

1m

s

(T

a=

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

25

°

C)

0.01

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 900毫米

2

!0.8mm)

1unit

2 3

5 7 0.1

2 3

5 7 1.0

2 3

5 7 10

2 3

IT09149

总栅极电荷QG - 数控

0.8

PD - TA

漏极至源极电压VDS - V

[ MOSFET ]

允许功耗， PD - 含

0.6

M

ou

NTE

do

na

0.4

ce

内存

ic

b

oa

rd

(9

00

mm

2

0.2

!

0

.8m

m)

1u

NIT

160

0

20

40

60

80

100

120

140

环境温度，钽 -

°C

IT09150

No.8215-4/6

SCH2807

1.0

7

5

IF - VF

[ SBD ]

10000

7

5

3

2

IR - VR

Ta=125

°

C

[ SBD ]

100

°

C

反向电流， IR -

A

正向电流IF - 一个

3

2

1000

7

5

3

2

100

7

5

3

2

10

7

5

3

2

1.0

0

5

75

°

C

50

°

C

25

°

C

0.1

7

5

3

2

0.01

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

IT06804

TA

125

°

C

100

°

C

75

°

C

50

°

C

25

°

C

10

15

IT06805

正向电压VF - V

平均远期功耗， PF （ AV ） - 含

0.9

PF （ AV ） - IO

(1)

反向电压VR - V

7

5

[ SBD ]

- VR

[ SBD ]

f=1MHz

矩形波

0.8

0.7

0.6

0.5

180°

0.4

0.3

0.2

0.1

0

0.2

0.4

360°

θ

360°

(2) (4) (3)

端间电容，C - pF的

1.4

正弦波

3

2

（ 1 ）矩形波

θ=60°

（2）的矩形波

θ=120°

（3）矩形波

θ=180°

（ 4 ）正弦波

θ=180°

0.6

0.8

1.0

1.2

10

7

5

1.0

2

3

5

7

10

2

3

平均正向电流， IO - 一个

3.5

IT06806

IFSM - 吨

I

S

反向电压VR - V

IT06807

[ SBD ]

正向电流浪涌， IFSM （峰值） - 一个

电流波形50Hz正弦波

3.0

2.5

20ms

t

2.0

1.5

1.0

0.5

0

7 0.01

2

3

5

7 0.1

2

3

5

7

1.0

2

3

时间t - S

ID00338

No.8215-5/6