SBYV26C
威世通用半导体
玻璃钝化超快速整流器
特点
腔的玻璃钝化结
理想的印刷电路板
超快反向恢复时间
低正向压降
低漏电流
低开关损耗，效率高
*玻璃封装
技术被覆盖
专利号为3996602 ，
钎焊引线装配
专利号3930306
泰德*
ATEN
P
DO- 204AL （DO- 41）的
高正向浪涌能力
符合环保标准MIL -S- 19500
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
用于高频整流用和
开关模式转换器随心所欲的应用
和逆变器为消费，计算机和
电信。
机械数据
案例：
DO- 204AL ，模压塑料在玻璃体内
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
1.0 A
600 V
30 A
30纳秒
1.3 V
175 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流0.375"毫米（9.5毫米）
引线长度在T
L
= 85 ℃（图1）
峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波
叠加在额定负荷
非重复性峰值反向能量
(1)
工作结存储温度范围
注意：
（ 1 ）测得的峰值反向能源与8/20 μs的浪涌
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修订： 20 - 8 - 07
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1
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
E
RSM
T
J
, T
英镑
价值
600
420
600
1.0
30
5.0
- 65 + 175
单位
V
V
V
A
A
mJ
°C
SBYV26C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最小雪崩
击穿电压
最大瞬时
正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
马克斯。反向恢复时间
最大结电容
最大反向恢复
电流斜率
4.0 V， 1 MHz的
I
F
= 1 A，V
R
= 30 V ，二
f
/ DT = - 1 A / μs的
测试条件
100 A
1.0 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 175 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 165 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
符号
V
BR
V
F
I
R
t
rr
C
J
dI
r
/ DT
价值
600
2.5
1.3
5.0
150
30
45
7.0
单位
V
V
A
ns
pF
A / μs的
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)(2)
符号
R
θJA
R
θJL
价值
70
16
单位
° C / W
注意事项：
（1）从结点到环境的热阻在0.375"毫米（9.5毫米）的引线长度，安装在印刷电路板用0.5× 0.5" （ 12× 12mm）中的铜焊盘
（2）从结热阻导致在0.375"毫米（9.5毫米）的引线长度与连接到散热器两根导线
订购信息
（例）
首选的P / N
SBYV26C-E3/54
SBYV26C-E3/73
SBYV26CHE3/54
(1)
SBYV26CHE3/73
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
单位重量（g ）
0.339
0.339
0.339
0.339
首选包装代码
54
73
54
73
基地数量
5500
3000
5500
3000
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
弹药盒包装
直径13"纸胶带和卷轴
弹药盒包装
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.2
1.8
T
L
1.6
铅装
散热器
正向平均整流电流（ A）
D = 0.2 D = 0.3
D = 0.1
D = 0.5 D = 0.8
1.0
平均功耗（ W）
1.4
D = 1.0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
D =吨
p
/T
0
0.2
0.4
0.6
0.8
t
p
1.0
1.2
T
0.8
T
A
0.6
0.4
安装在P.C.B.
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
温度（℃）
平均正向电流（ A）
图1.最大正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性
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2
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威世通用半导体
100
100
T
J
= T
J
马克斯。
10毫秒单一正弦半波
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
峰值正向浪涌电流（ A）
10
结电容（pF ）
1
10
100
10
1
1
0.1
1
10
100
数
环，在50赫兹的
反向
电压
(V)
图3.最大非重复峰值正向浪涌电流
图6.典型结电容
100
100
10
T
J
= 165 °C
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 25 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
10
0.1
脉冲
宽度
= 300
s
1 ％占空比
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的正向特性
图7.典型的瞬态热阻抗
100
瞬时反向漏
电流（ μA ）
10
T
J
= 165 °C
T
J
= 125 °C
1
0.1
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图5.典型的反向漏电特性
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SBYV26C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 204AL （DO- 41）的
1.0 (25.4)
分钟。
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
DIA 。
0.205 (5.2)
0.160 (4.1)
1.0 (25.4)
分钟。
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
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4
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