BL
特点
银河电子
SBLF1030 - - - SBLF10100
电压范围：
30
---
100
V
当前位置：
10
A
肖特基势垒整流器
金属半导体结与保护环
外延建设
低正向压降，低开关损耗
高浪涌能力
为了在低电压，高频率逆变器免费
xxxx
续流和极性保护应用
塑料材料进行U / L承认94V - 0
ITO-220AC
0.188(4.77)
0.172(4.36)
0.405(10.27)
0.383(9.72)
0.140(3.56)
0.130(3.30)
0.676(17.2)
0.646(16.4)
迪亚
0.110(2.80)
0.100(2.54)
0.131(3.39)
0.122(3.08)
迪亚
0.600(15.5)
0.580(14.5)
0.350(8.89)
0.330(8.38)
针
1
2
0.560(14.22)
0.530(13.46)
0.191(4.85)
0.171(4.35)
0.060(1.52)
0.110(2.80)
0.100(2.54)
机械数据
案例： JEDEC ITO - 220AC ，模压塑料
终端：信息每焊
MIL-STD -750 ，方法2026
极性：标示
重量： 0.064盎司， 1.81克
安装位置：任意
0.105(2.67)
0.095(2.41)
0.205(5.20)
0.195(4.95)
0.037(0.94)
0.027(0.69)
PIN1
PIN2
0.022(0.55)
0.014(0.36)
尺寸以英寸（毫米）
英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
SBLF
SBLF SBLF SBLF SBLF SBLF SBLF SBLF
1030 1035 1040 1045 1050 1060 1080 10100
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD整流电流
T
C
=110
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷牛逼
J
=125
最大瞬时FORW ARD电压
@ 10 A
最大反向电流
@T
C
=25
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
30
21
30
35
25
35
40
28
40
45
32
45
10
50
35
50
60
42
60
80
56
80
100
70
100
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JC
T
J
T
英镑
250
A
0.60
1.0
50
5.0
0.75
0.85
V
mA
/W
在额定阻断电压DC @T
C
=100
典型热阻
(Note1)
工作结温范围
存储温度范围
注：1，热阻结到外壳。
-55--- + 150
-55--- + 150
www.galaxycn.com
文档编号0267032
BL
银河电子
1
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