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S75WS -P基于MCP / POP产品
1.8伏特,只有X16同步读/写,突发模式
闪存( NOR接口)
S30MS -P ( NAND接口) ORNAND
FL灰
PSRAM类型2
数据表
(高级信息)
S75WS -P基于MCP / POP产品封面
请注意,以读者:
这份文件指出关于Spansion公司目前的技术规格
本文描述的产品(S) 。本文描述的每一个产品可以被指定为超前信息,
初步或全面投产。看
请注意在数据表牌号
对于定义。
公开号
S75WS-P_00
调整
02
发行日期
2006年9月6日
DA TA
SH EET
(A dvan CE
火炭垫IO N)
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步的名称,提醒读者
产品信息或意图规范整个产品生命周期,包括研发,
资质,初始生产,并全面投入生产。在所有的情况下,但是,我们鼓励读者以验证
他们有他们的定稿之前的设计的最新信息。 Spansion公司的数据下面的说明
表名称使用这里介绍要突出自己的存在和定义。
超前信息
的超前信息指定表示Spansion公司正在开发的一个或多个特定
产品,但并没有承诺任何设计到生产。呈现在文档中使用这些信息
指定有可能发生改变,并且在某些情况下,开发的产品可中止。 Spansion公司
因此,公司应放置超前信息内容如下条件:
“本文件包含有关正在开发Spansion公司的一个或多个产品信息
该信息旨在帮助您评估该产品。本产品无不要设计
联系工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一个承诺
生产已经发生。该标识包含几个方面的产品生命周期,包括
产品合格,最初的生产,并且在发生的制造过程中的后续阶段
之前满负荷生产的实现。更改技术规格的初步介绍
文件应同时保持生产这些方面正在考虑的期望。 Spansion公司
放置后,初步含量满足以下条件:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。本文件的初步情况显示,产品合格已
完成,而且最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那
需要维护的效率和质量,这个文件可以通过后续版本或修订
修改由于改变了技术规范。 “
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称的组合(超前信息,
初步或全部生产) 。这种类型的文件区分这些产品和它们的名称
在必要时,通常第一个页面时,订购信息页面,页面与DC
特性表和AC擦除和编程表(表中的说明) 。第一个免责声明
页面是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称变化
预计,初步指定从数据表中删除。标称变化可能包括
那些影响订货可用的部件号,诸如速度的增加或删除的数量
选项,使用温度范围,封装类型,或V
IO
范围内。变化也可能包括那些需要澄清
说明或者纠正拼写错误或不正确的规范。 Spansion公司采用以下
条件,这一类材料:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。 Spansion公司认为该产品已足够生产量等
本文档的后续版本预计不会改变。但是,印刷或者
规格更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的AMD或富士通销售办事处。
ii
S75WS -P基于MCP / POP产品
2006年9月6日S75WS - P_00-02
S75WS -P基于MCP / POP产品
1.8伏特,只有X16同步读/写,突发模式
闪存( NOR接口)
S30MS -P ( NAND接口) ORNAND
FL灰
PSRAM类型2
数据表
(高级信息)
特点
为1.7至1.95V的电源电压
Flash访问时间: 80纳秒( NOR ) , 25纳秒( ORNAND )
闪爆频率: 66兆赫, 80兆赫, 108兆赫
PSRAM访问时间: 70纳秒, 20纳秒(页)
PSRAM突发频率: 66兆赫, 80兆赫, 104兆赫
包装:
- 12× 12毫米的PoP
- 9 ×12毫米, 115- MCP的球
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C (无线)
该S75WS系列媒体通信处理器和持久性有机污染物的生产线,并包括:
一S29WS -P的NOR闪速存储器芯片
一个或多个S30MS -P的NAND接口ORNAND闪速存储器芯片
PSRAM类型2
有关详细规格,请参阅单独的数据表
.
文件
S29WS-P
256MB PSRAM类型2
S30MS-P
出版物识别码( PID)的
S29WS-P_00
psram_24
S30MS-P_00
公开号
S75WS-P_00
修订02
发行日期
2006年9月6日
本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。不设计
本产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
DA TA
SH EET
(A dvan CE
火炭垫IO N)
1.
产品选择指南
设备
模型
LW
256
256
512
80
VS
FL灰
密度
(兆)
PSRAM
密度
(兆)
ORNAND
密度
(兆)
FL灰
速度
(兆赫)
66
104
TYPE 2
FMC115 : MCP
12 ×9mm的
PSRAM速度
(兆赫)
PSRAM供应商
AMB128 : POP
12 X 12 X 1.15毫米
S75WS256PEFKFF
S75WS256PEFJF5
2. MCP框图
A0-A23
A0-A23
RDY
RDY
DQ0-DQ15
DQ0-DQ15
CLK
AVD #
F- CE #
OE #
F- RST #
F- ACC
F1-WP#
WE#
CLK
AVD #
CE#
OE #
RE
S
ET #
WP #
WE#
WS256P
FL灰
内存
VSS
VSS
VCC
VCCQ
F- VCC
A0-A23
WAIT #
DQ0-DQ15
R1-CE#
CLK
AVD #
CE#
OE #
磅#
UB #
WE#
CRE
R- LB #
R- UB #
R- CRE
256 MB
UtRAM
内存
VSS
VCC
VCCQ
R- VCC
I/O0-I/O15
I/O0-I/O15
N-二RY / BY #
RB #
N-二CLE
N-二CE #
N-二ALE
N-二RE #
N-二WP #
N-二WE#
CLE
CE#
ALE
RE #
WP #
WE#
MS512P
X16 ORNAND
内存
VSS
PRE
N-二VSS
N-二PRE
VCC
N-二VCC
2
S75WS -P基于MCP / POP产品
2006年S75WS - P_00_02 9月6日,
DA T A
嘘EE吨
( A D VA NCE
我NFO R上MA TI )
3. POP框图
A0-A23
A0-A23
F- RDY / R- WAIT
RDY
DQ0-DQ15
DQ0-DQ15
CLK
AVD #
F- CE #
OE #
F- RST #
F- ACC
F1-WP#
WE#
CLK
AVD #
CE#
OE #
RESET#
WP #
WE#
WS256P
FL灰
内存
VSS
VSSQ
VSS
VSSQ
VCC
VCCQ
F- VCC
VCCQ
A0-A23
WAIT #
DQ0-DQ15
R- CLK
R- CE #
CLK
AVD #
CE#
OE #
磅#
UB #
WE#
太太
R- LB #
R- UB #
R- MRS
256Mb
UtRAM
内存
VSSQ
VSS
VCC
VCCQ
R- Vss的
R- VCC
I/O0-I/O15
I/O0-I/O15
N-二RY / BY #
RB #
N-二CLE
N-二CE #
N-二ALE
N-二RE #
N-二WP #
N-二WE#
CLE
CE#
ALE
RE #
WP #
WE#
MS512P
X16 ORNAND
内存
VSS
PRE
N-二PRE
VCC
N-二VCC
2006年S75WS - P_00_02 9月6日,
S75WS -P基于MCP / POP产品
3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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