数据表
ASIC
S1L50000
S1L50000系列高密度门阵列
描述
爱普生电子美国公司的
S1L50000
系列是超高速CMOS VLSI
门阵列采用“海的-门”事件一0.35微米的架构。该
S1L50000H
产品具有5V
宽容的I / O缓冲器。
超高速，高密度和低功耗
低电压工作： 3.3V和2.0V
28710 815468门：生门数
特点
过程
积分
操作速率
0.35微米2/3/4层金属化CMOS工艺
最多815468门（ 2输入与非门当量）
内门： 140 PS（ 3.3V典型值） ， 210 PS （典型值2.0V ）
（ 2 -输入对NAND ， F / O = 2 ，典型的线负载）
输入缓冲区： 380 PS（ 5.0V典型值）内置电平转换器使用。
400 PS （ 3.3V典型值） ， 1.30纳秒（典型值2.0V ）
（F / O = 2 ，典型的线负载）
输出缓冲器： 2.12纳秒（典型值5.0V ），内置电平转换器使用。
2.02纳秒（ 3.3 V典型值） ， 3.90纳秒（典型值2.0V ）
(C
L
= 15 pF的）
输入/输出TTL / CMOS / LVTTL兼容
TTL ， CMOS ， LVTTL ， TTL施密特，施密特CMOS ，LVTTL施密特， PCI
内置的上拉和下拉电阻可以是可用的。
（ 2种类型的每个电阻值）
正常的，三态，双向， PCI
I
OL
= 0.1， 1，3， 8，12， 24毫安可选
（内置电平转换器是用来在5.0V ）
I
OL
= 0.1 ， 1 ， 2 ， 6 ， 12毫安可选的（在3.3V ）
I
OL
= 0.05 ， 0.3 ， 0.6 ，2， 4毫安可选择（在2.0V ）
异步1端口，异步双端口
支持的操作使用电平转换电路
内在逻辑：操作低电压支持
I / O缓冲器：
内置的高和低电压可能的接口
I / F水平
输入模式
输出模式
输出驱动器
内存
双电源
操作可能在V
DD
= 2.0
±
0.2V
爱普生电子美国有限公司。
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150橡树河PKWY
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圣何塞， CA 95134
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传真： （ 408 ） 922-0238
1
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ASIC
S1L50000
排队
该
S1L50000
系列包括11种大师，从客户能够选择
主最合适的。
总
BC
（生门）
28710
75774
99198
125772
177062
250160
335858
442112
506688
668552
815468
主
S1L50282/283/284
S1L50752/753/754
S1L50992/993/994
S1L51252/253/254
S1L51772/773/774
S1L52502/503/504
S1L53352/353/354
S1L54422/423/424
S1L55062/063/064
S1L56682/683/684
S1L58152/153/154
数
of
PADS
88
144
168
188
224
264
308
352
376
432
480
数
of
列（ X）
319
519
594
669
794
944
1094
1256
1344
1544
1706
数
of
行（ Y）
90
146
167
188
223
265
307
352
377
433
478
电池利用率（ U）
*1
2-层3-层4层
金属
金属
金属
50%
47%
47%
45%
45%
45%
43%
40%
40%
40%
40%
88%
85%
85%
80%
75%
75%
75%
70%
70%
70%
70%
95%
95%
95%
95%
95%
95%
95%
90%
90%
90%
90%
注意：
*
1：这是在没有细胞，如RAM单元中的值。电池的使用效率不仅依赖于范围
的电路，而且还对信号的数目，每个信号的分支数等;因此，使用的值在此表只
作为一个估计
2
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S1L50000
电气特性及规格
绝对最大额定值（对于单电源） ：
(V
ss
= 0V)
项
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流/针
储存温度
*
符号
V
DD
V
I
V
O
I
OUT
T
英镑
范围
-0.3 4.0
*1
-0.3到V
DD
+ 0.5
*1
-0.3到V
DD
+ 0.5
±
30
-65到150
V
V
V
mA
°C
单位
1 ：可能从-0.3V在IDC和IDH使用到I / O缓冲电压的7.5V ，在漏极开路系统和输入缓冲
系统。
绝对最大额定值（双电源） ：
(V
ss
= 0V)
项
电源电压
符号
HV
DD
LV
DD
范围
-0.3 7.0
-0.3 4.0
-0.3 HV
DD
+ 0.5
-0.3 LV
DD
+ 0.5
*1
*1
*1
单位
V
V
V
V
V
V
mA
°C
输入电压
HV
I
LV
I
输出电压
HV
O
LV
O
-0.3 HV
DD
+ 0.5
-0.3 LV
DD
+ 0.5
±
30 (± 50 )
-65到150
*2
*1
输出电流/针
储存温度
**
I
OUT
T
英镑
1 ：可能从-0.3V在IDC和IDH使用到I / O缓冲电压的7.5V ，在漏极开路系统和输入缓冲
系统。
* 2 ：可能用于的输出缓冲器24毫安。
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3
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S1L50000
推荐工作条件（对于单电源） ：
项
电源电压
输入电压
环境温度
正常输入的上升沿输入
正常输入的下降沿输入
施密特输入的上升沿输入
施密特输入的下降沿输入
V
DD
V
I
T
a
t
ri
t
fi
t
ri
t
fi
符号
民
3.00
V
SS
0
-40
--
--
--
--
典型值
3.30
--
25
25
--
--
--
--
最大
3.60
*1
V
DD
*2
70
*3
85
50
50
5
5
V
V
°C
ns
ns
ms
ms
单位
* 1 ：可能使用5.25或5.50V的I / O缓冲器，在漏极开路系统和输入缓冲器中的IDC和IDH信息系统。
* 2：在环境温度范围，建议对于T
j
= 0至80℃
* 3：在环境温度范围，建议对于T
j
= -40 125 ℃的
推荐工作条件（对于单电源） ：
项
电源电压
输入电压
环境温度
正常输入的上升沿输入
正常输入的下降沿输入
施密特输入的上升沿输入
施密特输入的下降沿输入
V
DD
V
I
T
a
t
ri
t
fi
t
ri
t
fi
符号
民
1.80
V
SS
0
-40
--
--
--
--
典型值
2.00
--
25
25
--
--
--
--
最大
2.20
*1
V
DD
*2
70
*3
85
100
100
10
10
V
V
°C
ns
ns
ms
ms
单位
* 1 ：可能使用5.25或5.50V的I / O缓冲器，在漏极开路系统和输入缓冲器中的IDC和IDH信息系统。
* 2：在环境温度范围，建议对于T
j
= 0至80℃
* 3：在环境温度范围，建议对于T
j
= -40 125 ℃的
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S1L50000
推荐工作条件（双电源） ：
项
电源电压（高压）
电源电压（低电压）
输入电压
环境温度
正常输入的上升沿输入
正常输入的下降沿输入
施密特输入的上升沿输入
施密特输入的下降沿输入
符号
HV
DD
LV
DD
HV
I
LV
I
T
a
三
三
三
三
民
4.75
4.50
3.00
V
SS
V
SS
0
-40
--
--
--
--
典型值
5.00
5.00
3.30
--
--
25
25
--
--
--
--
最大
5.25
5.50
3.60
HV
DD
*1
LV
DD
*2
70
*3
85
50
50
5
5
V
V
V
°C
ns
ns
ms
ms
单位
* 1 ：可能使用5.25或5.50V的I / O缓冲器，在漏极开路系统和输入缓冲器中所述LIDC和腰椎间盘突出症的系统。
* 2：在环境温度范围，建议对于T
j
= 0至80℃
* 3：在环境温度范围，建议对于T
j
= -40 125 ℃的
推荐工作条件（双电源） ：
项
电源电压（高压）
电源电压（低电压）
输入电压
环境温度
正常输入的上升沿输入
正常输入的下降沿输入
施密特输入的上升沿输入
施密特输入的下降沿输入
符号
HV
DD
LV
DD
HV
I
LV
I
T
a
H
三
L
三
H
TFI
L
TFI
H
三
L
三
H
TFI
L
TFI
民
3.00
1.80
V
SS
V
SS
0
-40
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
3.30
2.00
--
--
25
25
--
--
--
--
--
--
--
--
最大
3.60
2.20
HV
DD
LV
DD
*1
70
*2
85
50
100
50
100
5
10
5
10
V
V
V
°C
ns
ns
ms
ms
单位
* 1 ：可能使用5.25或在LIDC和腰椎间盘突出症系统或HIDC漏极开路系统和输入缓冲器5.50V的I / O缓冲器和
HIDH系统。
* 2：在环境温度范围，建议对于T
j
= 0至80℃
* 3：在环境温度范围，建议对于T
j
= -40 125 ℃的
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