S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0

堆叠式多芯片产品（ MCP ）闪存和

PSRAM 128兆位（ 8M ×16位） CMOS 3.0伏只

同时操作，页面模式闪存

64/32/16兆位（ 4M / 2M / 1M ×16位）伪静态RAM

ADVANCE

信息

特色鲜明

MCP特点

2.7至3.1伏的电源电压

高性能

- 65ns （ 65ns闪存， PSRAM为70ns ）

包

- 8 X 11.6 X 1.2毫米64球FBGA

工作温度

- -25 ° C至+ 85°C （无线）

= -40 ° C至+ 85 ° C（工业级）

双CE＃闪存

概述

该S71PL129J系列是堆叠多芯片产品的生产线（MCP）封装

年龄段和由以下组成：

一S29PL129J闪存存储器芯片

一个16M ，32M， 64M或PSRAM

包括在本文档中的产品列于下表中。有关详细信息

他们的规格，请参阅单独的数据表组成的

进一步的细节。

闪存密度

128Mb

64Mb

PSRAM

密度

32Mb

16Mb

S71PL129JC0

S71PL129JB0

S71PL129JA0

公开号

S71PL129Jxx_00

调整

A

修订

5

发行日期

2004年12月23日

本文件包含有关正在开发的产品在Spansion公司，有限责任公司的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。请不要在设计

该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

产品选择指南

128兆闪存

设备型号＃

S71PL129JA0-9P

S71PL129JB0-9Z

S71PL129JB0-9B

S71PL129JB0-9U

S71PL129JC0-9Z

S71PL129JC0-9U

PSRAM的密度

16M PSRAM

32M PSRAM

32M PSRAM

32M PSRAM

64M PSRAM

64M PSRAM

闪存存取时间（纳秒） （ P） SRAM的访问时间（纳秒） PSRAM类型

65

65

65

65

65

65

70

70

70

70

70

70

7类

7类

TYPE 2

6类

7类

6类

包

TLA064

TLA064

TLA064

TLA064

TLA064

TLA064

2

S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0

2004年S71PL129Jxx_00_A5_E 12月23日，

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0

特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

MCP特点........................................................................................................ 1

写保护（ WP ＃ ） ............................................ ........................................... 36

持久保护位锁定.............................................. ..................... 37

高压扇区保护.............................................. ....................... 37

图1.在系统扇区保护/ unprotection的部门

算法................................................. ....................... 38

概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.2

128兆闪存.............................................. ............................................ 2

临时机构撤消............................................... ......................... 39

图2.临时机构撤消操作................... 39

MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7

输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

引脚说明......................................................................................................8

逻辑符号...........................................................................................................8

安全硅扇区闪存地区........................................... 39

工厂锁定的区域（ 64个字） .......................................... .................... 40

客户可锁定区域（ 64个字） .......................................... ............ 40

安全硅扇区保护位............................................. ....... 40

图3.安全硅部门保护验证...................... 41

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

TLA064-64球细间距球栅阵列（ FBGA ）

8× 11.6毫米包装............................................. ............................................... 11

硬件数据保护............................................... ............................... 41

低VCC写禁止.............................................. ................................... 41

写脉冲“毛刺”保护............................................ .................... 41

逻辑禁止....................................................................................................41

上电写禁止............................................. ................................... 41

S29PL129J的MCP

概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

零延迟...................... 14同步读/写操作

页面模式功能............................................... ............................................ 14

标准闪存产品特点.............................................. ..................... 14

通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 42

表8. CFI查询标识字符串................................ 42

表9.系统接口字符串......................................... 43

表10.设备几何定义................................... 43

表11.主要供应商特定的扩展查询................ 43

命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45

读阵列数据............................................... ............................................ 45

复位命令................................................ ................................................. 45

自选命令序列............................................... ..................... 46

进入安全硅行业/退出安全硅扇区命令硒

quence ....................................................................................................................46

Word程序命令序列.............................................. ............. 46

解锁绕道命令序列.............................................. .......... 47

图4.程序运行............................................. .. 48

框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

表1. PL129J设备总线操作................................ 19

对于读阵列数据要求............................................. ............ 19

随机读取（非页读） .......................................... ..................... 20

页面模式读取............................................... .............................................. 20

表2页选择............................................. ............. 20

同时读/写操作............................................. ............. 20

写命令/命令序列............................................. .... 21

加快程序运行............................................... ................ 21

自选功能................................................ ..................................... 21

待机模式........................................................................................................21

自动休眠模式............................................... ...................................... 22

RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ............................ 22

输出禁止模式............................................... ........................................ 22

表3. S29PL129J部门架构............................... 23

表4.安全硅扇区地址............................ 29

芯片擦除命令序列.............................................. ..................... 48

扇区擦除命令序列.............................................. .................. 49

图5.擦除操作............................................. ...... 50

自选模式................................................ ................................................ 29

表5.自动选择编码PL129J ................................... 30

表6.为保护PL129J引导扇区/扇区块地址/

解除保护................................................. .................... 31

选择一个扇区保护模式............................................. ................. 32

表7.扇区保护计划..................................... 32

扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32

持久扇区保护............................................... ............................ 32

密码扇区保护............................................... ............................. 32

WP ＃硬件保护.............................................. ............................... 32

选择一个扇区保护模式............................................. ................. 32

擦除暂停/删除恢复命令............................................ ...... 50

密码程序命令............................................... ......................... 51

密码验证命令............................................... ............................... 51

密码保护模式锁定位程序命令............... 51

持久扇区保护模式锁定位程序命令52

安全硅扇区保护位程序命令.................. 52

PPB锁定位设置命令............................................. ............................... 52

DYB写命令............................................... ....................................... 52

密码解锁指令............................................... ........................... 52

PPB程序命令............................................... ................................... 53

所有PPB擦除命令.............................................. .................................... 53

DYB写命令............................................... ....................................... 53

PPB锁定位设置命令............................................. ............................... 53

命令............................................................................................................. 54

命令定义表............................................... .......................... 54

表12.内存阵列命令定义...................... 54

表13.扇区保护命令定义.................. 55

写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56

DQ7 ：数据＃投票............................................. ............................................... 56

图6.数据＃投票算法........................................ 58

持久扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33

持久保护位（ PPB ） ............................................ ........................... 33

持久保护位锁定（ PPB锁） .......................................... ....... 33

动态保护位（ DYB ） ............................................ ........................... 33

持久扇区保护模式锁定位........................................ 35

RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... .............................................. 58

DQ6 ：切换位I ............................................. .................................................. 58

图7.切换位算法............................................ 59

密码保护模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35

密码和密码模式锁定位............................................ .... 36

64位密码...................................................................................................36

DQ2 ：触发位II ............................................. ................................................. 60

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ......................... 60

DQ5 ：超过时序限制............................................. ........................... 60

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .................................... 61

2004年12月23日S71PL129Jxx_00_A5

3

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

表14.写操作状态......................................... 61

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.62

图8.最大过冲波形............................. 62

写时序......................................................................................................85

图26.写周期＃ 1 （ WE＃控制） （见注8 ） ....... 85

图27.写周期＃ 2 （ CE ＃控制） （见注8 ） ....... 86

工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63

工业级（I ）设备............................................. ............................................. 63

扩展（ E）设备............................................. ............................................ 63

电源电压....................................................................................................63

深度掉电时序............................................. ................................. 86

图28.深度掉电时序.................................... 86

上电时序.............................................. .................................................. 86

图29.上电时序........................................... ..... 86

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.64

表15. CMOS兼容............................................. ... 64

地址偏移的规定.............................................. .............................. 87

读....................................................................................................................87

图30.读.............................................. ................... 87

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.65

测试条件...................................................................................................65

图9.测试设置............................................. ............ 65

表16.测试规范............................................. 65 ..

写..................................................................................................................87

图31.写.............................................. .................. 87

开关波形................................................ ........................................ 65

表17.钥匙开关波形................................. 65

图10.输入波形和测量水平............. 66

PSRAM类型1

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89

时序测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 94

输出负载电路............................................... ........................................... 95

图32.输出负载电路............................................ 。 95

VCC变化斜率................................................ .................................................. 66

读操作................................................ ................................................ 66

表18.只读操作.......................................... 66

图11.读操作时序....................................... 67

图12.页读操作时序............................... 67

重置...................................................................................................................... 68

表19.硬件复位（ RESET ＃ ） .................................... 68

图13.复位时序............................................. ........ 68

上电顺序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 95

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 96

时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 107

读周期...........................................................................................................107

图33.时序读周期

（ CE ＃ = OE ＃ = V

IL

， WE＃ = ZZ ＃ = V

IH

) .............................. 107

图34.时序读周期的波形

（ WE＃ = ZZ ＃ = V

IH

)......................................................... 108

的页面模式读取周期图35.时序波形

（ WE＃ = ZZ ＃ = V

IH

)......................................................... 109

图36.定时写周期的波形

（ WE＃控制， ZZ ＃ = V

IH

)................................................ 110

图37.定时写周期的波形

（ CE ＃控制， ZZ ＃ = V

IH

)................................................. 110

的页面模式写周期图38.时序波形

（ ZZ ＃ = V

IH

) ................................................................... 111

擦除/编程操作.............................................. ............................... 69

表20.擦除和编程操作.............................. 69

时序图................................................ ................................................. 70

图14.编程操作时序.................................. 70

图15.加速程序时序图.................... 70

图16.芯片/扇区擦除操作时序..................... 71

图17.返回到后端的读/写周期时序................. 72

图18.数据＃投票计时

（在嵌入式算法） ............................................ 72

图19.触发位计时（在嵌入式算法） .. 73

图20. DQ2与DQ6 ........................................... ........... 73

写周期..........................................................................................................110

保护/取消保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74

表21.临时机构撤消................................. 74

图21.临时机构撤消时序图.......... 74

图22.行业/部门块保护和撤消时序

图................................................. ........................... 75

控制擦除操作............................................... ........................... 76

表22.备用CE ＃控制擦除和

方案业务................................................ ........... 76

表23.备用CE ＃控制的写入（擦除/编程）

操作时序................................................ ............. 77

表24. ＃ CE1 / CE2 ＃时序......................................... .... 77

图23.时序图交替之间＃ CE1和CE2 ＃

控制................................................. ............................ 78

表25.擦除和编程性能.................... 78

部分阵列自刷新（PAR） ........................................... .......................... 111

温度补偿刷新（为64兆） ..................................... 112

深度睡眠模式............................................... ................................................ 112

降低内存大小（对于32M和16M ） ......................................... ......... 112

其他的模式寄存器设置（ 64M ） .......................................... .......... 112

BGA引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 78

图39.模式寄存器............................................. ..... 113

图40.模式寄存器更新时序（ UB ＃ ， LB ＃ ， OE ＃是

不关心） ............................................. ........................ 113

图41.深度睡眠模式 - 进入/退出时序（对于64M ） ... 114

图42.深度睡眠模式 - 进入/退出时序

（对于32M和16M ） ............................................ ............... 114

PSRAM类型6

特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79

引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80

交流特性和工作条件。 81

AC测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 82

时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.83

读时序........................................................................................................83

图24.读周期............................................. ............ 83

图25.页读周期（ 8个字访问） ........................ 84

2型PSRAM

特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

产品信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

上电顺序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

118

118

118

119

119

上电..............................................................................................................119

图43.上电1 （ CS1 ＃控制） ........................... 119

图44.上电2 （ CS2控制） .............................. 119

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120

DC推荐工作条件。 。 。 。 120

2004年S71PL129Jxx_00_A5 12月23日，

4

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

DC和工作特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 121

常见............................................................................................................... 121

16M PSRAM ......................................................................................................... 122

32M PSRAM ........................................................................................................ 122

64M PSRAM ........................................................................................................ 123

128M PSRAM ....................................................................................................... 123

掉电参数............................................... ................................ 137

其他时序参数............................................... ................................ 137

AC测试条件............................................... .......................................... 138

AC测量输出负载电路............................................. ...... 138

图53. AC输出负载电路 - 16兆.......................... 138

图54. AC输出负载电路 - 32兆和64兆.......... 138

交流工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 124

测试条件（测试负载和测试输入/输出参考） ....... 124

图45.输出负载............................................. ........ 124

时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 139

读时序.......................................................................................................139

图55.读时序＃ 1 （基本时序） .......................... 139

图56.读时序＃ 2 （ OE ＃地址访问................. 139

图57.读时序＃ 3 （ LB ＃ / UB ＃字节访问） ............. 140

图58.读时序＃后， CE1 ＃ 4 （页面地址访问

为32M和64M控制访问只） ............................... 140

图59.读时序＃ 5 （随机和页面地址的访问

32M和64M只） ............................................. ............ 141

时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 126

读时序...................................................................................................... 126

图46.时序读周期的波形（ 1 ） ...................... 126

图47.时序读周期的波形（ 2 ） ...................... 126

图48.时序的页面周期波形（页模式） 127

写时序................................................ .................................................. 127 ..

图49.写周期＃ 1 （ WE＃控制） ........................

（ CS1 ＃控制）图50.写周期＃ 2 .......................

图51.定时写周期的波形（ 3 ）

（ CS2控制） .............................................. ................

图52.定时写周期的波形（ 4 ） （ UB ＃ ， LB ＃

控制） ................................................ ......................

127

128

128

129

写时序......................................................................................................141

图60.写时序＃ 1 （基本时序） ..........................

图61.写时序＃ 2 （ WE＃控制） ..........................

图62.写时序＃ 3-1

（ WE＃ / ＃ LB / UB ＃字节写入控制） .................................

图63.写时序＃ 3-3

（ WE＃ / ＃ LB / UB ＃字节写入控制） .................................

图64.写时序＃ 3-4

（ WE＃ / ＃ LB / UB ＃字节写入控制） .................................

图65.读/写时序＃1-1 （ CE1 ＃控制） .............

图66.读/写时序＃1-2

（ CE1 ＃ / WE＃ / OE ＃控制） ....................................... .........

图67.读/写时序＃ 2 （ OE ＃ ， WE＃控制） .......

图68.读/写时序＃ 3

（ OE ＃ ， WE＃ ， LB ＃ ， UB ＃控制） .................................... ....

图69.上电时序＃ 1 .........................................

图70.上电时序＃ 2 .........................................

图71.掉电进入和退出时机.....................

后读或写图72.待机进入时机............

图73.掉电时序方案（对于32M / 64M只） 。

141

142

142

143

143

144

144

145

145

146

146

146

147

147

PSRAM类型7

特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 130

引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 130

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 131

掉电（对于32M ， 64M只） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 131

掉电....................................................................................................... 131

掉电程序序列.............................................. ................... 132

地址键....................................................................................................... 132

读/写时序.............................................. ............................................ 144

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 133

封装电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 133

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 134

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 135

读操作..................................................................................................135

写操作................................................ ............................................... 136

修订概要

2004年12月23日S71PL129Jxx_00_A5

5