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STB22NM60N ， STF22NM60N ， STI22NM60N
STP22NM60N ， STW22NM60N
N沟道600 V ， 0.2
16 A的MDmesh II 功率MOSFET
,
在D
2
PAK ， TO- 220FP ，我
2
PAK ，TO- 220和TO- 247
特点
订购代码
STB22NM60N
STF22NM60N
STI22NM60N
STP22NM60N
STW22NM60N
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）
650 V
650 V
650 V
650 V
650 V
R
DS （ ON）
马克斯。
< 0.22
< 0.22
< 0.22
< 0.22
< 0.22
I
D
1
3
16 A
16 A
16 A
16 A
16 A
2
1
3
3
12
3
1
2
DPAK
IPAK
TO-220FP
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
图1 。
TO-247
3
1
2
TO-220
应用
切换应用程序
内部原理图
描述
这些设备所使用的第二制成
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
产生世界上最低的导通电阻之一，
栅极电荷。因此，适合于最
需要高效率的转换器。
表1中。
设备简介
记号
包
DPAK
TO-220FP
22NM60N
IPAK
管
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
订购代码
STB22NM60N
STF22NM60N
STI22NM60N
STP22NM60N
STW22NM60N
2011年1月
文档ID 15853牧师4
1/23
www.st.com
23
目录
STB/F/I/P/W22NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
2/23
文档ID 15853牧师4
STB/F/I/P/W22NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK
IPAK
TO-220
TO-247
± 30
16
10
64
125
15
2500
16
(1)
10
(1)
64
(1)
30
单位
TO-220FP
V
A
A
A
W
V / ns的
V
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
工作结温
储存温度
-55到150
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
16 A ， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DSpeak
≤
V
（ BR ） DSS
, V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
DPAK IPAK的TO-220 TO-247 TO- 220FP
热阻结案件
马克斯。
热电阻junction-
环境最大。
热阻结到PCB
马克斯。
铅的最大温度
焊接用途
30
300
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
thj-pcb(1)
T
J
1
62.5
50
4.17
62.5
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
1.当安装在1inch FR-4板， 2盎司铜
表4 。
符号
I
AR
E
AS
热数据
参数
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度限制T
J
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
6
300
单位
A
mJ
文档ID 15853牧师4
3/23
电气特性
STB/F/I/P/W22NM60N
2
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
600
1
100
100
2
3
0.2
4
0.22
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 25 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 8 A
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（1）
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
1330
84
4.6
181
4.7
44
6
25
马克斯。
单位
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
DS
= 0 480 V ，V
GS
= 0
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 480 V，I
D
= 16 A,
V
GS
= 10 V
（参见图18）
-
-
-
-
-
-
1. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DS
.
4/23
文档ID 15853牧师4
STB/F/I/P/W22NM60N
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
R（ V）
t
D（关闭）
t
F（ I）中
开关时间
参数
导通延迟时间
电压上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 8 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图17）
分钟。
典型值。
11
18
74
38
最大单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 16 A，V
GS
= 0
I
SD
= 16 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V
（参见图19）
I
SD
= 16 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V T，
J
= 150 °C
（参见图19）
测试条件
分钟。典型值。最大
-
-
-
296
4
26.8
350
4.7
27
16
64
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 15853牧师4
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