【S1PHB55单相半控桥带续流二极管尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）TYP】,IC型号S1PHB55-16,S1PHB55-16 PDF资料,S1PHB55-16经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1531页 > S1PHB55-16

S1PHB55

单相半控桥带续流二极管

尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）

TYPE

V

RSM

V

帝斯曼

V

900

1300

1500

1700

1900

V

RRM

V

DRM

V

800

1200

1400

1600

1800

S1PHB55-08

S1PHB55-12

S1PHB55-14

S1PHB55-16

S1PHB55-18

符号

I

DAV

T

K

=85

o

C，模块

I

DAVM

模块

I

疲劳风险管理

, I

真有效值

每腿

T

VJ

=45

o

C

V

R

=0

T

VJ

=T

VJM

V

R

=0

T

VJ

=45

o

C

V

R

=0

T

VJ

=T

VJM

V

R

=0

T

VJ

=125

o

C

F = 50Hz的，T

p

=200us

V

D

=2/3V

DRM

I

G

=0.3A

di

G

/dt=0.3A/us

测试条件

最大额定值

55

55

41

单位

A

I

TSM

, I

FSM

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

重复的，我

T

=50A

550

600

500

550

1520

1520

1250

1250

150

A

I

2

t

A

2

s

（ di / dt的）

cr

A /美

非重复性的，我

T

=1/2I

DAV

500

1000

10

5

0.5

10

-40...+125

125

-40...+125

V /美

W

W

V

o

（ dv / dt的）

cr

P

GM

P

GAVM

V

RGM

T

VJ

T

VJM

T

英镑

V

ISOL

M

d

重量

T

VJ

=T

VJM

;

V

DR

=2/3V

DRM

R

GK

= ;方法1 （线性电压升高）

T

VJ

=T

VJM

I

T

=I

TAVM

t

p

=30us

t

p

=500us

C

50 / 60赫兹， RMS

_

I

ISOL

<1mA

t=1min

t=1s

2500

3000

_

5+15%

_

44+15%

V~

Nm

lb.in.

g

安装扭矩（ M5 ）

（ 10-32 UNF ）

110

S1PHB55

单相半控桥带续流二极管

符号

I

R

, I

D

V

T

V

TO

r

T

V

GT

I

GT

V

GD

I

GD

I

L

I

H

t

gd

t

q

t

p

= 10us的;我

G

=0.45A;

di

G

/dt=0.45A/us

o

测试条件

T

VJ

=T

VJM

; V

R

=V

RRM

; V

D

=V

DRM

I

T

= 80A ;牛逼

VJ

=25

o

C

对于只功率损耗计算

V

D

=6V;

V

D

=6V;

T

VJ

=T

VJM

;

T

VJ

=25

o

C

T

VJ

=-40

o

C

T

VJ

=25

o

C

T

VJ

=-40

o

C

V

D

=2/3V

DRM

T

VJ

=25

o

C

特征值

5

1.64

0.85

11

1.5

1.6

100

200

0.2

5

450

200

2

典型值。

250

0.9

0.18

1.1

0.22

16.1

7.1

50

单位

mA

V

V

m

V

mA

V

mA

mA

mA

us

us

T

VJ

=25

o

℃; V

D

= 6V ;

GK

=

T

VJ

= 25℃ ; V

D

=1/2V

DRM

I

G

= 0.45A ;迪

G

/dt=0.45A/us

T

VJ

=T

VJM

; I

T

= 20A ;吨

p

= 200us的; V

R

=100V

V

D

=2/3V

DRM

;的dv / dt = 15V / us的;的di / dt = -10A /美

每个晶闸管/二极管; DC

每个模块

每个晶闸管/二极管; DC

每个模块

匍匐于地面的距离

在空气中爬电距离

最大允许的加速度

R

thJC

R

thJK

d

S

d

A

a

K / W

K / W

mm

mm

M / S

2

S1PHB55

单相半控桥带续流二极管

尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）

TYPE

V

RSM

V

帝斯曼

V

900

1300

1500

1700

1900

V

RRM

V

DRM

V

800

1200

1400

1600

1800

S1PHB55-08

S1PHB55-12

S1PHB55-14

S1PHB55-16

S1PHB55-18

符号

I

DAV

T

K

=85

o

C，模块

I

DAVM

模块

I

疲劳风险管理

, I

真有效值

每腿

T

VJ

=45

o

C

V

R

=0

T

VJ

=T

VJM

V

R

=0

T

VJ

=45

o

C

V

R

=0

T

VJ

=T

VJM

V

R

=0

T

VJ

=125

o

C

F = 50Hz的，T

p

=200us

V

D

=2/3V

DRM

I

G

=0.3A

di

G

/dt=0.3A/us

测试条件

最大额定值

55

55

41

单位

A

I

TSM

, I

FSM

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

重复的，我

T

=50A

550

600

500

550

1520

1520

1250

1250

150

A

I

2

t

A

2

s

（ di / dt的）

cr

A /美

非重复性的，我

T

=1/2I

DAV

500

1000

10

5

0.5

10

-40...+125

125

-40...+125

V /美

W

W

V

o

（ dv / dt的）

cr

P

GM

P

GAVM

V

RGM

T

VJ

T

VJM

T

英镑

V

ISOL

M

d

重量

T

VJ

=T

VJM

;

V

DR

=2/3V

DRM

R

GK

= ;方法1 （线性电压升高）

T

VJ

=T

VJM

I

T

=I

TAVM

t

p

=30us

t

p

=500us

C

50 / 60赫兹， RMS

_

I

ISOL

<1mA

t=1min

t=1s

2500

3000

_

5+15%

_

44+15%

V~

Nm

lb.in.

g

安装扭矩（ M5 ）

（ 10-32 UNF ）

110

S1PHB55

单相半控桥带续流二极管

符号

I

R

, I

D

V

T

V

TO

r

T

V

GT

I

GT

V

GD

I

GD

I

L

I

H

t

gd

t

q

t

p

= 10us的;我

G

=0.45A;

di

G

/dt=0.45A/us

o

测试条件

T

VJ

=T

VJM

; V

R

=V

RRM

; V

D

=V

DRM

I

T

= 80A ;牛逼

VJ

=25

o

C

对于只功率损耗计算

V

D

=6V;

V

D

=6V;

T

VJ

=T

VJM

;

T

VJ

=25

o

C

T

VJ

=-40

o

C

T

VJ

=25

o

C

T

VJ

=-40

o

C

V

D

=2/3V

DRM

T

VJ

=25

o

C

特征值

5

1.64

0.85

11

1.5

1.6

100

200

0.2

5

450

200

2

典型值。

250

0.9

0.18

1.1

0.22

16.1

7.1

50

单位

mA

V

V

m

V

mA

V

mA

mA

mA

us

us

T

VJ

=25

o

℃; V

D

= 6V ;

GK

=

T

VJ

= 25℃ ; V

D

=1/2V

DRM

I

G

= 0.45A ;迪

G

/dt=0.45A/us

T

VJ

=T

VJM

; I

T

= 20A ;吨

p

= 200us的; V

R

=100V

V

D

=2/3V

DRM

;的dv / dt = 15V / us的;的di / dt = -10A /美

每个晶闸管/二极管; DC

每个模块

每个晶闸管/二极管; DC

每个模块

匍匐于地面的距离

在空气中爬电距离

最大允许的加速度

R

thJC

R

thJK

d

S

d

A

a

K / W

K / W

mm

mm

M / S

2

查看更多S1PHB55-16PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

S1PHB55-16

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

S1PHB55-16

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

瀚佳科技（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3539722974 复制

点击这里给我发消息

QQ：2480898381 复制

电话：0755-23915992/23140719

联系人：李

地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室

S1PHB55-16

SIRECTIFIER

24+

2100

MODULE

一级代理/全新原装现货供应！！！

瀚佳科技（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3449124707 复制

点击这里给我发消息

QQ：3441530696 复制

点击这里给我发消息

QQ：2480898381 复制

电话：0755-23140719/23915992

联系人：李先生李小姐

地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室

S1PHB55-16

SIRECTIFIER

24+

2100

MODULE

一级代理/全新原装现货供应！！！

上海传泽电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1989029555 复制

电话：13381567868

联系人：陈

地址：上海市松江区乐都西路825弄8990号5层

S1PHB55-16

Sirectifier

22+

360

原厂封装

代理商渠道

上海统盈电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：83415655 复制

电话：13311626995

联系人：易

地址：上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区

S1PHB55-16

Sirectifier

22+

410

原厂封装

原装正品

上海如美电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：823639999 复制

电话：021-51097965

联系人：杨全兴

地址：松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19

S1PHB55-16

矽莱克

2017+

现货

普通

GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

S1PHB55-16

√ 欧美㊣品

▲10/11+

8367

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

查询更多S1PHB55-16供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！