【S12MD1V/S12MD3S12MD1V/S12MD3s特点1.高RMS通态电流（IT：最大。20】,IC型号S12MD1,S12MD1 PDF资料,S12MD1经销商,ic,电子元器件-51电子网

S12MD1V/S12MD3

s

特点

1.高RMS通态电流（I

T

：最大。

200mA

RMS

)

2.高重复峰值断态电压

( V

DRM

： MIN 。 400V ）

3.触发电流I

FT

： MAX 。 15毫安为R

G

=

20k

4.对于半波控制

S12MD1V

对于全波控制

S12MD3

5.通过UL认证，文件号E64380

g

S12MD1V

和

S12MD3

对于100V线路

光电闸淋耦合器

g

引脚成形型（I型）和胶带卷轴型（ P型）

S12MD1V

也可提供。（

S12MD1VI/S12MDIP

)

s

外形尺寸

S12MD1V

2.54

±

0.25

6

5

S12MD1V

4

6.5

±

0.5

6

5

4

（单位：毫米）

内部连接图

1

阳极

标志

2

3

0.9

±

0.2

1.2

±

0.3

3.5

±0.5

1

2

3

7.12

±

0.5

7.62

±

0.3

1

2

3

4

5

6

阳极

阴极

NC

阴极

阳极

门

3.35

±

0.5

3.7

±

0.5

s

应用

对于低功率负载1的ON-OFF操作

2.触发大功率晶闸管及

TRIAC

0.5

±

0.1

0.5

典型值。

0.26

±

0.1

θ

:

0到13

θ

S12MD3

2.54

±

0.25

8

7

6

0.8

±

0.2

5

内部连接图

8

7

6

5

S12MD3

阳极

标志

1

1.2

±

0.3

2

3

4

0.85

±

0.3

3.5

±

0.5

1

2

3

4

1

2

5

6

4

3

8

7

阳极

阴极

门

阳极/

阴极

9.22

±

0.5

7.62

±

0.3

0.5

±

0.1

3.0

±

0.5

典型值。

0.26

±

0.1

θ

:

0至13

θ

“

在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，

数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。

S12MD1V/S12MD3

s

绝对最大额定值

参数

输入

正向电流

反向电压

RMS通态电流

1

峰值一个周期浪涌电流

2

重复峰值断态电压

2

反向重复峰值电压

3

隔离电压

工作温度

储存温度

4

焊接温度

3

4060 ％RH下，交流进行1分钟

4

10秒

（大= 25℃）

符号

I

F

V

R

I

T

I

浪涌

V

DRM

V

RRM

V

ISO

T

OPR

T

英镑

T

SOL

等级

S12MD1V

50

6

200

2

400

5 000

-

1 500

- 30至+ 100

- 40至+ 125

260

S12MD3

单位

mA

V

mA

RMS

A

V

RMS

C

产量

1

50Hz的正弦波

2

R

G

= 20k

s

光电特性

输入

参数

正向电压

反向电流

重复峰值断态电流

5

反向重复峰值电流

通态电压

保持电流

断态电压临界上升率

最小触发电流

绝缘电阻

开启时间

符号

V

F

I

R

I

DRM

I

RRM

V

T

I

H

dv / dt的

I

FT

R

ISO

t

on

条件

I

F

= 30毫安

V

R

= 3V

V

DRM

=额定，R

G

= 20k

V

RRM

=额定，R

G

= 20k

I

T

= 200毫安

V

D

= 6V ，R

G

= 20k

V

DRM

= 1/

2

额定，R

G

= 20k

V

D

= 6V ，R

L

= 100 , R

G

= 20k

DC500V ， 40 60％RH的

V

D

= 6V ，我

F

= 30毫安，R

G

= 20k ,

R

L

= 100

（大= 25℃）

分钟。

-

3

-

5 x 10

10

-

典型值。

1.2

-

1.0

0.3

-

10

11

10

马克斯。

1.4

10

- 5

10

- 6

10

- 6

1.4

1

-

15

-

60

单位

V

A

V

mA

V/

s

mA

s

产量

Transfer-

字符

开创性意义

5

仅适用于

S12MD1V

图。 1 RMS通态电流 -

环境温度

图。 2正向电流与

环境温度

70

60

正向电流I

F

（MA ）

50

40

S12MD1V

30

S12MD3

20

10

RMS通态电流I

T

（ MA

RMS

)

200

100

0

- 30

0

20

40

60

80

环境温度T

a

( C )

100

0

- 30

0

25

50

75

100

环境温度T

a

( C )

125

S12MD1V/S12MD3

图。 3正向电流与正向电压

500

最小触发电流I

FT

（MA ）

200

正向电流I

F

（MA ）

100

50

20

10

5

2

1

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

正向电压V

F

( V )

3.0

0

- 30

0

20

40

60

80

环境温度T

a

( C )

100

T

a

= 75C

50C

25C

0C

- 25C

图。 4最小触发电流 -

环境温度

6

V

D

= 6V

R

L

= 100

5

R

G

=

10k

4

20k

3

2

50k

1

图。 5最小触发电流 -

栅极电阻

50

V

D

= 6V

R

L

= 100

T

a

= 25C

图。 6歇过电压与

环境温度

600

R

G

= 10k

20k

400

100k

300

50k

最小触发电流I

FT

（MA ）

500

打破过电压V

BO

( V )

20

10

5

200

2

100

1

2

5

10

20

50

门阻抗R

G

( K )

100

200

0

- 30

0

20

40

60

80

环境温度T

a

( C )

100

图。的关断状态上升7爆击率

电压与环境温度

100

V

DRM

= 1/

2

=额定

断态电压临界上升率

的dV / dt （V /

s

)

50

图。 8保持电流与

环境温度

1.0

V

D

= 6V

0.5

持电流I

H

（MA ）

R

G

= 10k

20k

0.2

0.1

0.05

50k

20

10

R

G

= 10k

20k

5

50k

2

1

0.02

0.01

0

20

40

60

80

环境温度T

a

( C )

100

0

20

40

60

80

环境温度T

a

( C )

100

S12MD1V/S12MD3

图。 9重复峰值断态电流 -

环境温度

10

- 4

重复峰值断态电流I

DRM

( A )

5

V

DRM

=额定

R

G

= 20k

10

- 5

5

10

- 6

5

10

- 7

5

10

- 8

5

10

- 9

0

20

40

60

80

100

环境温度T

a

( C )

s

基本运算电路

q

S12MD1V

中/高功率晶闸管驱动电路

+

V

CC

1

2

6

负载

C

G

R

G

Z

S

AC 100V

5

V

IN

3

4

Z

S

:

缓冲电路

中/高功率可控硅驱动电路（零交叉操作）

负载

+

V

CC

1

2

6

5

R

G

C

G

AC 100V

V

IN

3

4

S12MD1V/S12MD3

q

S12MD3

低功耗负载驱动电路

8

7

2

3

V

IN

4

R

G

6

5

Z

S

:

缓冲电路

C

G

R

G

C

G

Z

S

负载

AC 100V

+

V

CC

1

中/高功率可控硅驱动电路

8

7

2

3

V

IN

4

5

R

G

6

C

G

R

G

C

G

AC 100V

负载

1

+

V

CC

q

请参阅章节“使用注意事项” （第78页至93页）。

S12MD1V/S12MD3

s

特点

1.高RMS通态电流（I

T

：最大。

200mA

RMS

)

2.高重复峰值断态电压

( V

DRM

： MIN 。 400V ）

3.触发电流I

FT

： MAX 。 15毫安为R

G

=

20k

4.对于半波控制

S12MD1V

对于全波控制

S12MD3

5.通过UL认证，文件号E64380

g

S12MD1V

和

S12MD3

对于100V线路

光电闸淋耦合器

g

引脚成形型（I型）和胶带卷轴型（ P型）

S12MD1V

也可提供。（

S12MD1VI/S12MDIP

)

s

外形尺寸

S12MD1V

2.54

±

0.25

6

5

S12MD1V

4

6.5

±

0.5

6

5

4

（单位：毫米）

内部连接图

1

阳极

标志

2

3

0.9

±

0.2

1.2

±

0.3

3.5

±0.5

1

2

3

7.12

±

0.5

7.62

±

0.3

1

2

3

4

5

6

阳极

阴极

NC

阴极

阳极

门

3.35

±

0.5

3.7

±

0.5

s

应用

对于低功率负载1的ON-OFF操作

2.触发大功率晶闸管及

TRIAC

0.5

±

0.1

0.5

典型值。

0.26

±

0.1

θ

:

0到13

θ

S12MD3

2.54

±

0.25

8

7

6

0.8

±

0.2

5

内部连接图

8

7

6

5

S12MD3

阳极

标志

1

1.2

±

0.3

2

3

4

0.85

±

0.3

3.5

±

0.5

1

2

3

4

1

2

5

6

4

3

8

7

阳极

阴极

门

阳极/

阴极

9.22

±

0.5

7.62

±

0.3

0.5

±

0.1

3.0

±

0.5

典型值。

0.26

±

0.1

θ

:

0至13

θ

“

在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，

数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。

S12MD1V/S12MD3

s

绝对最大额定值

参数

输入

正向电流

反向电压

RMS通态电流

1

峰值一个周期浪涌电流

2

重复峰值断态电压

2

反向重复峰值电压

3

隔离电压

工作温度

储存温度

4

焊接温度

3

4060 ％RH下，交流进行1分钟

4

10秒

（大= 25℃）

符号

I

F

V

R

I

T

I

浪涌

V

DRM

V

RRM

V

ISO

T

OPR

T

英镑

T

SOL

等级

S12MD1V

50

6

200

2

400

5 000

-

1 500

- 30至+ 100

- 40至+ 125

260

S12MD3

单位

mA

V

mA

RMS

A

V

RMS

C

产量

1

50Hz的正弦波

2

R

G

= 20k

s

光电特性

输入

参数

正向电压

反向电流

重复峰值断态电流

5

反向重复峰值电流

通态电压

保持电流

断态电压临界上升率

最小触发电流

绝缘电阻

开启时间

符号

V

F

I

R

I

DRM

I

RRM

V

T

I

H

dv / dt的

I

FT

R

ISO

t

on

条件

I

F

= 30毫安

V

R

= 3V

V

DRM

=额定，R

G

= 20k

V

RRM

=额定，R

G

= 20k

I

T

= 200毫安

V

D

= 6V ，R

G

= 20k

V

DRM

= 1/

2

额定，R

G

= 20k

V

D

= 6V ，R

L

= 100 , R

G

= 20k

DC500V ， 40 60％RH的

V

D

= 6V ，我

F

= 30毫安，R

G

= 20k ,

R

L

= 100

（大= 25℃）

分钟。

-

3

-

5 x 10

10

-

典型值。

1.2

-

1.0

0.3

-

10

11

10

马克斯。

1.4

10

- 5

10

- 6

10

- 6

1.4

1

-

15

-

60

单位

V

A

V

mA

V/

s

mA

s

产量

Transfer-

字符

开创性意义

5

仅适用于

S12MD1V

图。 1 RMS通态电流 -

环境温度

图。 2正向电流与

环境温度

70

60

正向电流I

F

（MA ）

50

40

S12MD1V

30

S12MD3

20

10

RMS通态电流I

T

（ MA

RMS

)

200

100

0

- 30

0

20

40

60

80

环境温度T

a

( C )

100

0

- 30

0

25

50

75

100

环境温度T

a

( C )

125

S12MD1V/S12MD3

图。 3正向电流与正向电压

500

最小触发电流I

FT

（MA ）

200

正向电流I

F

（MA ）

100

50

20

10

5

2

1

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

正向电压V

F

( V )

3.0

0

- 30

0

20

40

60

80

环境温度T

a

( C )

100

T

a

= 75C

50C

25C

0C

- 25C

图。 4最小触发电流 -

环境温度

6

V

D

= 6V

R

L

= 100

5

R

G

=

10k

4

20k

3

2

50k

1

图。 5最小触发电流 -

栅极电阻

50

V

D

= 6V

R

L

= 100

T

a

= 25C

图。 6歇过电压与

环境温度

600

R

G

= 10k

20k

400

100k

300

50k

最小触发电流I

FT

（MA ）

500

打破过电压V

BO

( V )

20

10

5

200

2

100

1

2

5

10

20

50

门阻抗R

G

( K )

100

200

0

- 30

0

20

40

60

80

环境温度T

a

( C )

100

图。的关断状态上升7爆击率

电压与环境温度

100

V

DRM

= 1/

2

=额定

断态电压临界上升率

的dV / dt （V /

s

)

50

图。 8保持电流与

环境温度

1.0

V

D

= 6V

0.5

持电流I

H

（MA ）

R

G

= 10k

20k

0.2

0.1

0.05

50k

20

10

R

G

= 10k

20k

5

50k

2

1

0.02

0.01

0

20

40

60

80

环境温度T

a

( C )

100

0

20

40

60

80

环境温度T

a

( C )

100

S12MD1V/S12MD3

图。 9重复峰值断态电流 -

环境温度

10

- 4

重复峰值断态电流I

DRM

( A )

5

V

DRM

=额定

R

G

= 20k

10

- 5

5

10

- 6

5

10

- 7

5

10

- 8

5

10

- 9

0

20

40

60

80

100

环境温度T

a

( C )

s

基本运算电路

q

S12MD1V

中/高功率晶闸管驱动电路

+

V

CC

1

2

6

负载

C

G

R

G

Z

S

AC 100V

5

V

IN

3

4

Z

S

:

缓冲电路

中/高功率可控硅驱动电路（零交叉操作）

负载

+

V

CC

1

2

6

5

R

G

C

G

AC 100V

V

IN

3

4

S12MD1V/S12MD3

q

S12MD3

低功耗负载驱动电路

8

7

2

3

V

IN

4

R

G

6

5

Z

S

:

缓冲电路

C

G

R

G

C

G

Z

S

负载

AC 100V

+

V

CC

1

中/高功率可控硅驱动电路

8

7

2

3

V

IN

4

5

R

G

6

C

G

R

G

C

G

AC 100V

负载

1

+

V

CC

q

请参阅章节“使用注意事项” （第78页至93页）。