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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第337页 > RURD660
RURD660 ， RURD660S
数据表
2000年1月
网络文件编号
3750.2
6A ， 600V超快二极管
该RURD660和RURD660S是超快二极管，软
恢复特性（T
rr
< 55ns ） 。它们具有低正向
电压降和由氮化硅钝化离子注入
外延平面建设。
这些设备旨在用作续流/
钳位二极管和整流器器的各种开关电源
电源和其它电源开关应用。其低
存储电荷和超快软恢复减少振铃
在许多电源开关电路的电噪声
减少开关晶体管的功率损耗。
以前发育类型TA49038 。
特点
超快软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <55ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .600V
额定雪崩能量
平面施工
应用
开关电源
电源开关电路
通用
订购信息
产品型号
RURD660
RURD660S
包
TO-251
TO-252
BRAND
RUR660
RUR660
包装
JEDEC风格-251
阳极
阴极
（法兰）
阴极
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 252的变体，在磁带和卷轴，即RURD660S9A 。
符号
K
JEDEC风格-252
阴极
（法兰）
A
阴极
阳极
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RURD660
RURD660S
单位
V
V
V
A
A
A
W
mJ
o
C
o
C
o
C
反向重复峰值电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RRM
工作峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RWM
DC阻断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
R
平均整流器编着的正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F（ AV ）
(T
C
= 155
o
C)
重复峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FRM
（方波， 20kHz的）
非重复性峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
（半波，单相，60赫兹）
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
雪崩能量（参见图10和图11 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AVL
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
最大无铅焊接温度的
导致在0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，看技术简报334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
600
600
600
6
12
60
50
10
-65 175
300
260
1
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
RURD660 ， RURD660S
电气连接特定的阳离子
符号
V
F
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
测试条件
I
F
= 6A
I
F
= 6A ，T
C
= 150
o
C
I
R
V
R
= 600V
V
R
= 600V ，T
C
= 150
o
C
t
rr
I
F
= 1A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 6A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
t
a
t
b
Q
RR
C
J
R
θJC
释义
V
F
=瞬时正向电压（ PW = 300μS ， D = 2 ％） 。
I
R
=瞬时反向电流。
t
rr
=反向恢复时间（见图9 ） ，求和的t
a
+ t
b
.
t
a
=时达到峰值反向电流（参见图9） 。
t
b
=从高峰时间我
RM
到的余投影零交叉
RM
基于从峰值I的直线
RM
经过我25 ％
RM
（参见图9） 。
Q
RR
=反向恢复电荷。
C
J
=结电容。
R
θJC
=热阻结到外壳。
PW =脉冲宽度。
D =占空比。
I
F
= 6A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 6A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 6A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
V
R
= 10V ，我
F
= 0A
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
28
16
150
25
-
最大
1.5
1.2
100
500
55
60
-
-
-
-
3
单位
V
V
A
A
ns
ns
ns
ns
nC
pF
o
C / W
典型性能曲线
30
500
I
R
，反向电流（ μA ）
100
175
o
C
I
F
，正向电流（ A）
10
10
1
100
o
C
100
o
C
175
o
C
1
25
o
C
0.1
25
o
C
0.01
0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
F
，正向电压（ V）
0.001
0
100
200
300
400
500
600
V
R
，反向电压（V）的
图1.正向电流与正向电压
图2.反向电流与反向电压
2
RURD660 ， RURD660S
典型性能曲线
50
T
C
= 25
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
T，恢复时间（纳秒）
T，恢复时间（纳秒）
40
TRR
30
ta
20
tb
75
（续）
90
T
C
= 100
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
60
45
30
TRR
ta
tb
10
15
0
0.5
0
0.5
1
I
F
，正向电流（ A）
6
1
I
F
，正向电流（ A）
6
图3吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
图4吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
T
C
= 175
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
T，恢复时间（纳秒）
80
TRR
60
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
100
6
5
DC
4
SQ 。 WAVE
3
2
1
0
145
40
ta
tb
20
0
0.5
1
I
F
，正向电流（ A）
6
150
155
160
165
170
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图5吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
图6.电流降额曲线
75
C
J
，结电容（pF ）
60
45
30
15
0
0
50
100
150
200
V
R
，反向电压（V）的
图7.结电容VS反向电压
3
RURD660 ， RURD660S
测试电路和波形
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
t
2
控制I
F
L
DUT
R
G
V
GE
t
1
t
2
当前
SENSE
+
V
DD
0
I
F
dI
F
dt
ta
TRR
tb
IGBT
-
0.25 I
RM
I
RM
图8.吨
rr
测试电路
I = 1A
L = 20mH
< 0.1Ω
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R（ AVL ）
/(V
R（ AVL ）
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT （ BV
CES
> DUT V
R（ AVL ）
)
L
当前
SENSE
Q
1
V
DD
DUT
R
+
V
DD
I V
图9吨
rr
波形和定义
V
AVL
I
L
I
L
-
t
0
t
1
t
2
t
图10.雪崩能量测试电路
图11.雪崩电流和电压
波形
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
www.intersil.com
4
RURD660 ， RURD660S
数据表
2002年1月
6A ， 600V超快二极管
该RURD660和RURD660S是超快二极管，软
恢复特性（T
rr
< 55ns ） 。它们具有低正向
电压降和由氮化硅钝化离子注入
外延平面建设。
这些设备旨在用作续流/
钳位二极管和整流器器的各种开关电源
电源和其它电源开关应用。其低
存储电荷和超快软恢复减少振铃
在许多电源开关电路的电噪声
减少开关晶体管的功率损耗。
以前发育类型TA49038 。
特点
超快软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <55ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V
额定雪崩能量
平面施工
应用
开关电源
电源开关电路
通用
订购信息
产品型号
RURD660
RURD660S
包
TO-251
TO-252
BRAND
RUR660
RUR660
包装
JEDEC风格-251
阳极
阴极
（法兰）
阴极
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 252的变体，在磁带和卷轴，即RURD660S9A 。
符号
K
JEDEC风格-252
阴极
（法兰）
A
阴极
阳极
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RURD660
RURD660S
600
600
600
6
12
60
50
10
-65 175
300
260
单位
V
V
V
A
A
A
W
mJ
o
C
o
C
o
C
反向重复峰值电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RRM
工作峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RWM
DC阻断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
R
平均整流器编着的正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F（ AV ）
(T
C
= 155
o
C)
重复峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FRM
（方波， 20kHz的）
非重复性峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
（半波，单相，60赫兹）
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
雪崩能量（参见图10和图11 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AVL
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
最大无铅焊接温度的
导致在0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，看技术简报334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
2002仙童半导体公司
RURD660 ， RURD660S版本B
RURD660 ， RURD660S
电气连接特定的阳离子
符号
V
F
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
测试条件
I
F
= 6A
I
F
= 6A ，T
C
= 150
o
C
I
R
V
R
= 600V
V
R
= 600V ，T
C
= 150
o
C
t
rr
I
F
= 1A ，二
F
/ DT = 200A /
s
I
F
= 6A ，二
F
/ DT = 200A /
s
t
a
t
b
Q
RR
C
J
R
θ
JC
释义
V
F
=瞬时正向电压（ PW = 300
S，D = 2 ％）。
I
R
=瞬时反向电流。
t
rr
=反向恢复时间（见图9 ） ，求和的t
a
+ t
b
.
t
a
=时达到峰值反向电流（参见图9） 。
t
b
=从高峰时间我
RM
到的余投影零交叉
RM
基于从峰值I的直线
RM
经过我25 ％
RM
（参见图9） 。
Q
RR
=反向恢复电荷。
C
J
=结电容。
R
θ
JC
=热阻结到外壳。
PW =脉冲宽度。
D =占空比。
I
F
= 6A ，二
F
/ DT = 200A /
s
I
F
= 6A ，二
F
/ DT = 200A /
s
I
F
= 6A ，二
F
/ DT = 200A /
s
V
R
= 10V ，我
F
= 0A
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
28
16
150
25
-
最大
1.5
1.2
100
500
55
60
-
-
-
-
3
单位
V
V
A
A
ns
ns
ns
ns
nC
pF
o
C / W
典型性能曲线
30
500
I
R
，反向电流（ μA ）
100
175
o
C
I
F
，正向电流（ A）
10
10
1
100
o
C
100
o
C
175
o
C
1
25
o
C
0.1
25
o
C
0.01
0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
F
，正向电压（ V）
0.001
0
100
200
300
400
500
600
V
R
，反向电压（V）的
图1.正向电流与正向电压
图2.反向电流与反向电压
2002仙童半导体公司
RURD660 ， RURD660S版本B
RURD660 ， RURD660S
典型性能曲线
50
T
C
= 25
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
T，恢复时间（纳秒）
T，恢复时间（纳秒）
40
TRR
30
ta
20
tb
75
（续）
90
T
C
= 100
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
60
45
30
TRR
ta
tb
10
15
0
0.5
0
0.5
1
I
F
，正向电流（ A）
6
1
I
F
，正向电流（ A）
6
图3吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
图4吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
T
C
= 175
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
T，恢复时间（纳秒）
80
TRR
60
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
100
6
5
DC
4
SQ 。 WAVE
3
2
1
0
145
40
ta
tb
20
0
0.5
1
I
F
，正向电流（ A）
6
150
155
160
165
170
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图5吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
图6.电流降额曲线
75
C
J
，结电容（pF ）
60
45
30
15
0
0
50
100
V
R
，反向电压（V）的
150
200
图7.结电容VS反向电压
2002仙童半导体公司
RURD660 ， RURD660S版本B
RURD660 ， RURD660S
测试电路和波形
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
t
2
控制I
F
L
DUT
R
G
V
GE
t
1
t
2
当前
SENSE
+
V
DD
0
I
F
dI
F
dt
ta
TRR
tb
IGBT
-
0.25 I
RM
I
RM
图8.吨
rr
测试电路
I = 1A
L = 20mH
< 0.1Ω
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R（ AVL ）
/(V
R（ AVL ）
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT （ BV
CES
> DUT V
R（ AVL ）
)
L
当前
SENSE
Q
1
V
DD
DUT
R
+
V
DD
I V
图9吨
rr
波形和定义
V
AVL
I
L
I
L
-
t
0
t
1
t
2
t
图10.雪崩能量测试电路
图11.雪崩电流和电压
波形
2002仙童半导体公司
RURD660 ， RURD660S版本B
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
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注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
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生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
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如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
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产品状态定义
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该数据表包含的初步数据，和
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飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
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