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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第337页 > RN1107
RN1107~1109
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
RN1107,RN1108,RN1109
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
凭借内置的偏置电阻器。
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2107 2109
单位：mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN1107
RN1108
RN1109
R1 （ kΩ的）
10
22
47
R2值（kΩ ）
47
47
22
最大额定值
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1107~1109
RN1107~1109
RN1107
发射极 - 基极电压
RN1108
RN1109
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1107~1109
RN1107~1109
RN1107~1109
RN1107~1109
I
c
P
c
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
6
7
15
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 2.4mg
单位
V
V
―
―
2-2H1A
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07
RN1107~1109
电气特性
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极截止电流
RN1107~1109
RN1107
发射极截止电流
RN1108
RN1109
RN1107
直流电流增益
RN1108
RN1109
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1107~1109
RN1107
输入电压（ ON）的
RN1108
RN1109
RN1107
输入电压（OFF）的
RN1108
RN1109
转换频率
集电极输出
电容
RN1107~1109
RN1107~1109
RN1107
输入电阻
RN1108
RN1109
RN1107
电阻率
RN1108
RN1109
R1/R2
R1
f
T
C
ob
V
我（关闭）
V
我（上）
V
CE （SAT）
h
FE
I
EBO
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
V
EB
= 7V ，我
C
= 0
V
EB
= 15V ，我
C
= 0
民
典型值。
最大
100
500
0.15
0.145
0.311
mA
单位
nA
nA
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.081
0.078
0.167
80
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
0.3
1.8
2.6
5.8
1.0
1.16
2.6
―
6
13
28.6
61.1
0.232
0.515
2.35
―
k
兆赫
pF
V
V
V
―
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
80
70
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
―
0.7
―
―
―
―
―
―
―
―
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0,
F = 1MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 0.2V ，我
C
= 5毫安
―
―
―
―
―
―
250
3
10
22
47
0.213
0.468
2.14
1.0
2.2
0.5
0.6
1.5
―
―
7
―
―
―
―
―
―
―
―
15.4
32.9
0.191
0.421
1.92
2
2001-06-07
RN1107~1109
3
2001-06-07
RN1107~1109
4
2001-06-07
RN1107~1109
型号名称
记号
RN1107
RN1108
RN1109
5
2001-06-07
RN1107~1109
东芝三极管
硅NPN外延型（厘过程）
RN1107 ， RN1108 ， RN1109
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
凭借内置的偏置电阻器。
简化的电路设计
部件的数目减少和简化的制造过程
为了配合RN2107 2109
单位：mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN1107
RN1108
RN1109
R1 （ kΩ的）
10
22
47
R2值（kΩ ）
47
47
22
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1107~1109
RN1107~1109
RN1107
发射极 - 基极电压
RN1108
RN1109
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1107~1109
RN1107~1109
RN1107~1109
RN1107~1109
I
c
P
c
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
6
7
15
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 2.4mg
单位
V
V
―
―
2-2H1A
V
mA
mW
°C
°C
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2007-11-01
RN1107~1109
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
收藏家切断电流
RN1107~1109
RN1107
发射极截止电流
RN1108
RN1109
RN1107
直流电流增益
RN1108
RN1109
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1107~1109
RN1107
输入电压（ ON）的
RN1108
RN1109
RN1107
输入电压（OFF）的
RN1108
RN1109
转换频率
集电极输出
电容
RN1107~1109
RN1107~1109
RN1107
输入电阻
RN1108
RN1109
RN1107
电阻率
RN1108
RN1109
R1/R2
R1
f
T
C
ob
V
我（关闭）
V
我（上）
V
CE （SAT）
h
FE
I
EBO
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
测试条件
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
V
CE
= 50 V，I
B
= 0
V
EB
= 6 V，I
C
= 0
V
EB
= 7 V，I
C
= 0
V
EB
= 15 V，I
C
= 0
民
典型值。
最大
100
500
0.15
0.145
0.311
mA
单位
nA
nA
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.081
0.078
0.167
80
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
0.3
1.8
2.6
5.8
1.0
1.16
2.6
―
6
13
28.6
61.1
0.232
0.515
2.35
―
k
兆赫
pF
V
V
V
―
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
80
70
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
―
0.7
―
―
―
―
―
―
―
―
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V，I
C
- 0.1毫安
V
CE
- 0.2 V，I
C
= 5毫安
―
―
―
―
―
―
250
3
10
22
47
0.213
0.468
2.14
1.0
2.2
0.5
0.6
1.5
―
―
7
―
―
―
―
―
―
―
―
15.4
32.9
0.191
0.421
1.92
2
2007-11-01
RN1107~1109
RN1107
RN1107
RN1108
RN1108
RN1109
RN1109
3
2007-11-01
RN1107~1109
RN1107
RN1107
RN1108
RN1108
RN1109
RN1109
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2007-11-01
RN1107~1109
型号名称
记号
RN1107
RN1108
RN1109
5
2007-11-01
RN1107~1109
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
RN1107,RN1108,RN1109
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
凭借内置的偏置电阻器。
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2107 2109
单位：mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN1107
RN1108
RN1109
R1 （ kΩ的）
10
22
47
R2值（kΩ ）
47
47
22
最大额定值
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1107~1109
RN1107~1109
RN1107
发射极 - 基极电压
RN1108
RN1109
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1107~1109
RN1107~1109
RN1107~1109
RN1107~1109
I
c
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英镑
V
EBO
符号
V
CBO
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首席执行官
等级
50
50
6
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15
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100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 2.4mg
单位
V
V
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―
2-2H1A
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07
RN1107~1109
电气特性
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极截止电流
RN1107~1109
RN1107
发射极截止电流
RN1108
RN1109
RN1107
直流电流增益
RN1108
RN1109
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1107~1109
RN1107
输入电压（ ON）的
RN1108
RN1109
RN1107
输入电压（OFF）的
RN1108
RN1109
转换频率
集电极输出
电容
RN1107~1109
RN1107~1109
RN1107
输入电阻
RN1108
RN1109
RN1107
电阻率
RN1108
RN1109
R1/R2
R1
f
T
C
ob
V
我（关闭）
V
我（上）
V
CE （SAT）
h
FE
I
EBO
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
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= 6V ，我
C
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C
= 0
民
典型值。
最大
100
500
0.15
0.145
0.311
mA
单位
nA
nA
―
―
―
―
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―
0.081
0.078
0.167
80
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0.1
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0.3
1.8
2.6
5.8
1.0
1.16
2.6
―
6
13
28.6
61.1
0.232
0.515
2.35
―
k
兆赫
pF
V
V
V
―
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
80
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I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
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0.7
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CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0,
F = 1MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 0.2V ，我
C
= 5毫安
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―
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250
3
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0.213
0.468
2.14
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7
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15.4
32.9
0.191
0.421
1.92
2
2001-06-07
RN1107~1109
3
2001-06-07
RN1107~1109
4
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RN1107~1109
型号名称
记号
RN1107
RN1108
RN1109
5
2001-06-07
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R65C22C3E
RJ-1515S
R281A
RWD2415HI
R1EX25004ATA00G
RQ5RW41BB-TR
RSJ-BL
RE5RE29AC
RS3-2415SH2
RC5510
RH5RH741A-T1
RP6-10PF-8P
RBM-3.305SP
R7202012
RP-21025D0-120
RN5VS30AA-TR
RT9818C-12PV
RH5025F100ES
R3131N46DC
RURD660
供货商
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    RN1107
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    -
    -
    -
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SOT523
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联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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TOSHIBA/东芝
2024
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联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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联系人：何小姐
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RN1107
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22+
32570
NA
全新原装正品/质量有保证
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