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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第509页 > RUR040N02
RUR040N02
晶体管
1.5V驱动N沟道MOSFET
RUR040N02
结构
硅N沟道
MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
TSMT3
特点
1 ) 1.5V驱动
2)低导通电阻。
3 )内置G -S保护二极管。
4 )小型表面贴装封装( TSMT3 ) 。
( 1 )门
( 2 )资料来源
( 3 )排水
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: XF
应用
开关
等效电路
TAPING
TL
3000
(1)
1
2
(3)
包装规格
TYPE
RUR040N02
CODE
基本订购单位(件)
(2)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
( 1 )门
( 2 )资料来源
( 3 )排水
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
20
±10
±4.0
±8.0
0.8
8.0
1.0
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
安装在陶瓷基板
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷基板
符号
RTH ( CH -A )
范围
125
单位
°C
/ W
1/4
RUR040N02
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
I
DSS
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
R
DS ( ON)
分钟。
20
0.3
5.0
典型值。
25
33
42
55
680
150
90
10
30
50
60
8
1.8
1.3
马克斯。
±10
1
1.3
35
46
59
110
单位
A
V
A
V
m
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
= 20V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
I
D
= 4.0A ,V
GS
= 4.5V
I
D
= 4.0A ,V
GS
= 2.5V
I
D
= 2.0A ,V
GS
= 1.8V
I
D
= 0.8A ,V
GS
= 1.5V
V
DS
= 10V ,我
D
= 4.0A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 2.0A,
V
DD
10V
V
GS
= 4.5V
R
L
5, R
G
=10
I
D
= 4.0A ,V
DD
10V
V
GS
= 4.5V
R
L
2.5, R
G
=10
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
体二极管的特性
(源极 - 漏极) ( TA = 25 ° C)
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 0.8A ,V
GS
=0V
2/4
RUR040N02
晶体管
电气特性曲线
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
10
V
DS
=10V
脉冲
1000
V
GS
=4.5V
脉冲
1000
V
GS
=2.5V
脉冲
漏电流:我
D
(A)
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=25°C
0.1
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=25°C
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=25°C
0.01
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
栅源电压: V
GS
(V)
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
图1典型的传输特性
图2静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( Ι )
图3静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( ΙΙ )
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
V
GS
=1.8V
脉冲
V
GS
=1.5V
脉冲
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
1000
1000
1000
Ta=25°C
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=25°C
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=25°C
100
100
V
GS
=1.5V
V
GS
=1.8V
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
图4静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( ΙΙΙ )
图5静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( Ι )
图6静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( )
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
100
I
D
=4.0A
80
I
D
=2.0A
Ta=25°C
脉冲
10
源电流:我
S
(A)
1
电容:
C( pF)的
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=25°C
V
GS
=0V
脉冲
10000
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
C
国际空间站
60
40
0.1
100
C
OSS
C
RSS
20
0
0
5
10
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
10
0.01
0.1
1
10
100
栅源电压: V
GS
(V)
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
漏源电压: V
DS
(V)
图7静态漏源
导通状态电阻
与门源Voletage
图8电流源
与源极 - 漏极电压
图9典型电容
与漏源电压
3/4
RUR040N02
晶体管
10000
6
栅源电压: V
GS
(V)
切换时间: T( NS )
1000
Ta=25°C
V
DD
=10V
V
GS
=4.5V
R
G
=10
脉冲
t
f
100
4
Ta=25°C
V
DD
=10V
I
D
=4.0V
R
G
=10
脉冲
正向转移导纳
YFS (S)
100
V
DS
=10V
脉冲
Ta=25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
10
t
D(关闭)
10
1
t
D(上)
t
r
2
1
0.01
0
0.1
1
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
0.1
0.01
0.1
1
10
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
总栅极电荷:的Qg ( NC )
图10开关特性
图11动态输入特性
图12前向转移
导纳主场迎战漏电流
测量电路
脉冲宽度
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
V
DS
V
GS
V
DS
50%
10%
10%
90%
50%
10%
R
G
V
DD
t
D(上)
t
on
90%
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
90%
t
r
图13开关时间测试电路
图14开关时间波形
V
G
V
GS
I
D
R
L
V
DS
V
GS
Q
gs
Q
g
I
G(常量)。
D.U.T.
R
G
V
DD
Q
gd
收费
图15栅极电荷测试电路
图16栅极电荷波形
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品,设备或装置需要相当高的水平
可靠性和故障,其中将直接危及人的生命(如医疗
仪器仪表,交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器
和其他安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
这是我们的首要任务,以提供产品以最大的质量和可靠性。然而,总有一个机会
失败是由于意外因素。因此,请考虑降容特性,并允许
供足够的安全功能,如额外的裕度,抗燃性,和故障保护措施的设计在当
为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾,造成部件故障的。 ROHM
可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失
一系列的规范或因不遵守本产品目录中规定的注意事项。
感谢您的访问,以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以,请联系您最近的销售办事处。
ROHM
客户支持系统
www.rohm.com
版权所有
2008罗姆股份有限公司。
美洲
/
欧洲
/
亚洲
/
日本
联系我们
:
站长@ rohm.co. JP
21西院Mizosaki町,右京区615-8585 ,日本
TEL : + 81-75-311-2121
传真: + 81-75-315-0172
Appendix1-Rev2.0
RUR040N02
晶体管
1.5V驱动N沟道MOSFET
RUR040N02
结构
硅N沟道
MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
TSMT3
特点
1 ) 1.5V驱动
2)低导通电阻。
3 )内置G -S保护二极管。
4 )小型表面贴装封装( TSMT3 ) 。
( 1 )门
( 2 )资料来源
( 3 )排水
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: XF
应用
开关
等效电路
TAPING
TL
3000
(1)
1
2
(3)
包装规格
TYPE
RUR040N02
CODE
基本订购单位(件)
(2)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
( 1 )门
( 2 )资料来源
( 3 )排水
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
20
±10
±4.0
±8.0
0.8
8.0
1.0
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
安装在陶瓷基板
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷基板
符号
RTH ( CH -A )
范围
125
单位
°C
/ W
1/4
RUR040N02
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
I
DSS
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
R
DS ( ON)
分钟。
20
0.3
5.0
典型值。
25
33
42
55
680
150
90
10
30
50
60
8
1.8
1.3
马克斯。
±10
1
1.3
35
46
59
110
单位
A
V
A
V
m
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
= 20V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
I
D
= 4.0A ,V
GS
= 4.5V
I
D
= 4.0A ,V
GS
= 2.5V
I
D
= 2.0A ,V
GS
= 1.8V
I
D
= 0.8A ,V
GS
= 1.5V
V
DS
= 10V ,我
D
= 4.0A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 2.0A,
V
DD
10V
V
GS
= 4.5V
R
L
5, R
G
=10
I
D
= 4.0A ,V
DD
10V
V
GS
= 4.5V
R
L
2.5, R
G
=10
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
体二极管的特性
(源极 - 漏极) ( TA = 25 ° C)
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 0.8A ,V
GS
=0V
2/4
RUR040N02
晶体管
电气特性曲线
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
10
V
DS
=10V
脉冲
1000
V
GS
=4.5V
脉冲
1000
V
GS
=2.5V
脉冲
漏电流:我
D
(A)
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=25°C
0.1
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=25°C
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=25°C
0.01
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
栅源电压: V
GS
(V)
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
图1典型的传输特性
图2静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( Ι )
图3静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( ΙΙ )
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
V
GS
=1.8V
脉冲
V
GS
=1.5V
脉冲
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
1000
1000
1000
Ta=25°C
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=25°C
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=25°C
100
100
V
GS
=1.5V
V
GS
=1.8V
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
图4静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( ΙΙΙ )
图5静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( Ι )
图6静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( )
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
100
I
D
=4.0A
80
I
D
=2.0A
Ta=25°C
脉冲
10
源电流:我
S
(A)
1
电容:
C( pF)的
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=25°C
V
GS
=0V
脉冲
10000
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
C
国际空间站
60
40
0.1
100
C
OSS
C
RSS
20
0
0
5
10
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
10
0.01
0.1
1
10
100
栅源电压: V
GS
(V)
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
漏源电压: V
DS
(V)
图7静态漏源
导通状态电阻
与门源Voletage
图8电流源
与源极 - 漏极电压
图9典型电容
与漏源电压
3/4
RUR040N02
晶体管
10000
6
栅源电压: V
GS
(V)
切换时间: T( NS )
1000
Ta=25°C
V
DD
=10V
V
GS
=4.5V
R
G
=10
脉冲
t
f
100
4
Ta=25°C
V
DD
=10V
I
D
=4.0V
R
G
=10
脉冲
正向转移导纳
YFS (S)
100
V
DS
=10V
脉冲
Ta=25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
10
t
D(关闭)
10
1
t
D(上)
t
r
2
1
0.01
0
0.1
1
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
0.1
0.01
0.1
1
10
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
总栅极电荷:的Qg ( NC )
图10开关特性
图11动态输入特性
图12前向转移
导纳主场迎战漏电流
测量电路
脉冲宽度
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
V
DS
V
GS
V
DS
50%
10%
10%
90%
50%
10%
R
G
V
DD
t
D(上)
t
on
90%
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
90%
t
r
图13开关时间测试电路
图14开关时间波形
V
G
V
GS
I
D
R
L
V
DS
V
GS
Q
gs
Q
g
I
G(常量)。
D.U.T.
R
G
V
DD
Q
gd
收费
图15栅极电荷测试电路
图16栅极电荷波形
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品,设备或装置需要相当高的水平
可靠性和故障,其中将直接危及人的生命(如医疗
仪器仪表,交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器
和其他安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
这是我们的首要任务,以提供产品以最大的质量和可靠性。然而,总有一个机会
失败是由于意外因素。因此,请考虑降容特性,并允许
供足够的安全功能,如额外的裕度,抗燃性,和故障保护措施的设计在当
为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾,造成部件故障的。 ROHM
可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失
一系列的规范或因不遵守本产品目录中规定的注意事项。
感谢您的访问,以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以,请联系您最近的销售办事处。
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