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10V驱动N沟道MOSFET
R5007ANJ
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
LPTS
10.1
4.5
1.3
特点
1)低导通电阻。
2 )开关速度快。
3 )范围内的SOA (安全工作区) 。
4 )栅极 - 源极电压(V
GSS
)保证是
±30V.
5 )驱动电路可以很简单。
6 )并行使用非常简单。
13.1
9.0
3.0
1.0
1.24
0.78
(3)
5.08
2.7
( 1 )基本(门)
( 2 )集电极(漏极)
( 3 )发射极(源)
(1)
(2)
每根导线具有相同的尺寸
应用
开关
内部电路
1
包装规格
CODE
TYPE
基本订购单位(件)
TAPING
TL
1000
(1)
( 1 )门
( 2 )排水
( 3 )资料来源
(2)
(3)
1
体二极管
R5007ANJ
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
雪崩电流
雪崩能量
总功率耗散(TC = 25℃)
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
L 500μH ,V
DD
=50V,
R
G
=25,
开始,总胆固醇= 25°C
3
只有允许的最大tempterature限制
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
S
I
SP
I
AS
E
AS
P
D
总胆固醇
TSTG
3
1
3
1
2
2
范围
500
±30
±7
±28
7
28
3.5
3.5
40
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
热阻
参数
渠道情况
符号
RTH ( CH -C )
范围
3.13
单位
° C / W
www.rohm.com
c
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
1.2
2.54
0.4
1/5
2009.02 - Rev.A的
R5007ANJ
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅源漏
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
脉冲
数据表
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
| Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
500
2.5
2.5
典型值。
0.8
500
300
23
20
22
50
25
13
3.5
5.5
马克斯。
±100
100
4.5
1.05
单位
nA
V
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±30V,
V
DS
=0V
I
D
=1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=500V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1mA
I
D
=3.5A,
V
GS
=10V
I
D
=3.5A,
V
DS
=10V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=3.5A,
V
DD
250V
V
GS
=10V
R
L
=71.4
R
G
=10
V
DD
250V
I
D
=7A
V
GS
=10V
R
L
=35.7
/ R
G
=10
体二极管的特性
(源极 - 漏极) ( TA = 25 ° C)
参数
正向电压
脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
单位
V
条件
I
S
= 7A ,V
GS
=0V
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2009.02 - Rev.A的
R5007ANJ
电气特性曲线
100
操作在此
面积有限
由R
DS ( ON)
P
W
=100us
P
W
=1ms
漏电流:我
D
(A)
8
6
4
5.0V
2
V
GS
= 4.5V
0
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
漏源电压: V
DS
(V)
图2典型的输出特性( Ⅱ )
0
0
1
2
3
10
7.0V
8.0V
10V
TA = 25℃
脉冲
漏电流:我
D
(A)
数据表
5
4
3
2
1
V
GS
= 4.5V
4
5
6.0V
5.0V
TA = 25℃
脉冲
8.0V
7.0V
6.5V
5.5V
10V
漏电流:我
D
(A)
10
6.5V
6.0V
5.5V
1
直流操作
0.1
TA = 25°C
单脉冲
0.01
漏源电压: V
DS
( V )
图1最大安全工作区
漏源电压: V
DS
(V)
图3典型的输出特性( Ⅱ )
栅极阈值电压: V
GS ( TH)
(V)
漏电流:我
D
(A)
10
1
0.1
0.01
V
DS
= 10V
脉冲
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = -25C
5
4
3
2
1
0
-50
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
()
100
6
10
V
GS
= 10V
脉冲
1
TA
TA
TA
TA
0.1
0.1
1
10
125°C
75°C
25°C
-25°C
100
0.001
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
0
50
100
150
栅源电压: V
GS
(V)
图4典型的传输特性
通道温度:T已
ch
(°C)
图5栅极阈值电压
与通道温度
漏电流:我
D
(A)
图6静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
()
3
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
()
2.5
2
1.5
1
I
D
= 3.5A
0.5
0
0
5
10
15
I
D
= 7.0A
Ta=25°C
脉冲
3
正向转移导纳:
| YFS | ( S)
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50
I
D
= 7A
V
GS
= 10V
脉冲
100
V
DS
= 10V
脉冲
10
1
TA = -25C
TA = 25℃
TA = 75℃
TA = 125℃
I
D
= 3.5A
0.1
0
50
100
150
0.01
0.01
0.1
1
10
100
栅源电压: V
GS
(V)
图7静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
通道温度:T已
ch
(°C)
图8静态漏源导通状态
电阻与通道温度
漏电流:我
D
(A)
图9正向转移导纳
与漏电流
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2009.02 - Rev.A的
R5007ANJ
反向漏电流:我
DR
(A)
100
V
GS
= 0V
脉冲
电容:C (PF )
10
1000
C
国际空间站
10000
栅源电压: V
GS
(V)
15
TA = 25℃
V
DD
= 250V
I
D
= 7A
R
G
= 10
脉冲
数据表
10
1
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = -25C
100
C
RSS
C
OSS
5
0.1
10
TA = 25℃
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
0.1
1
10
100
1000
0.01
0
0.5
1
1.5
1
0
0
5
10
15
20
25
漏源电压: V
DS
(V)
图11典型的电容与
漏源电压
总栅极电荷:Q
g
( NC )
图12动态输入特性
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
图10反向漏电流随
水稻源极 - 漏极电压
反向恢复时间:吨
rr
(纳秒)
1000
10000
切换时间: T( NS )
1000
t
D(关闭)
t
f
TA = 25℃
V
DD
= 250V
V
GS
= 10V
R
G
= 10
脉冲
100
TA = 25℃
的di / dt = 100A / μs的
V
GS
= 0V
脉冲
10
0.1
1
10
100
100
10
t
r
1
0.01
0.1
1
10
100
t
D(上)
反向漏电流:我
DR
(A)
图13反向恢复时间
vs.Reverse漏电流
漏电流:我
D
(A)
图14开关特性
NORMARIZED瞬态热
电阻: R(T )
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.0001
TA = 25°C
单脉冲: 1台
第r ( CH-A )( t)的=
½(t)×Rth(ch-a)
RTH ( CH- A)= 54.3 ° C / W
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度: Pw的( S)
图15归瞬态热电阻与脉冲宽度
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开关特性测量电路
数据表
图1开关时间测量电路
图2的开关波形
I
G
(常数)。
图3栅极电荷测量电路
图4栅极电荷波形
Fig.5
雪崩测量电路
Fig.6
雪崩波形
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2009.02 - Rev.A的
R5007ANJ
晶体管
10V驱动N沟道MOSFET
R5007ANJ
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
LPTS
10.1
4.5
1.3
特点
1)低导通电阻。
2 )开关速度快。
3 )范围内的SOA (安全工作区) 。
4 )栅极 - 源极电压(V
GSS
)
保证是
±30V.
5 )驱动电路可以很简单。
6 )并行使用非常简单。
13.1
9.0
3.0
1.0
1.24
0.78
(3)
5.08
2.7
( 1 )基本(门)
( 2 )集电极(漏极)
( 3 )发射极(源)
(1)
(2)
每根导线具有相同的尺寸
应用
开关
包装规格
CODE
TYPE
基本订购单位(件)
TAPING
TL
1000
内部电路
R5007ANJ
1
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
雪崩电流
雪崩能量
总功率耗散(TC = 25℃)
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
L 500μH ,V
DD
=50V,
R
G
=25,
开始,总胆固醇= 25°C
3
只有允许的最大tempterature限制
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
S
I
SP
I
AS
E
AS
P
D
总胆固醇
TSTG
3
1
3
1
2
2
范围
500
±30
±7
±28
7
28
3.5
3.5
40
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
(1)
( 1 )门
( 2 )排水
( 3 )资料来源
(2)
1.2
2.54
0.4
(3)
1
体二极管
热阻
参数
渠道情况
符号
RTH ( CH -C )
范围
3.13
单位
° C / W
1/3
R5007ANJ
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅源漏
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
脉冲
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
| Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
500
2.5
2.5
典型值。
0.8
500
300
23
20
22
50
25
13
3.5
5.5
马克斯。
±100
100
4.5
1.05
单位
nA
V
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±30V,
V
DS
=0V
I
D
=1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=500V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1mA
I
D
=3.5A,
V
GS
=10V
I
D
=3.5A,
V
DS
=10V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=3.5A,
V
DD
250V
V
GS
=10V
R
L
=71.4
R
G
=10
V
DD
250V
I
D
=7A
V
GS
=10V
R
L
=35.7
/ R
G
=10
体二极管的特性
(源极 - 漏极) ( TA = 25 ° C)
参数
正向电压
脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
单位
V
条件
I
S
= 7A ,V
GS
=0V
2/3
R5007ANJ
晶体管
开关特性测量电路
图1开关时间测量电路
图2的开关波形
I
G
(常数)。
图3栅极电荷测量电路
图4栅极电荷波形
图5雪崩测量电路
图6雪崩波形
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品,设备或装置需要相当高的水平
可靠性和故障,其中将直接危及人的生命(如医疗
仪器仪表,交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器
和其他安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
这是我们的首要任务,以提供产品以最大的质量和可靠性。然而,总有一个机会
失败是由于意外因素。因此,请考虑降容特性,并允许
供足够的安全功能,如额外的裕度,抗燃性,和故障保护措施的设计在当
为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾,造成部件故障的。 ROHM
可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失
一系列的规范或因不遵守本产品目录中规定的注意事项。
感谢您的访问,以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以,请联系您最近的销售办事处。
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:153461020 复制

电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
R5007ANJ
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20+
150000
SMDDIP
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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ROHM/罗姆
150000
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
R5007ANJ
ROHM
24+
27200
TO-263
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
R5007ANJ
ROHM
21+22+
27000
TO-263
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
R5007ANJ
ROHM
1932+
319
TO-263
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
R5007ANJ
ROHM/罗姆
22+
33000
SMDDIP
百分百进口正品原装现货 支持实单!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
R5007ANJ
ROHM/罗姆
24+
21000
SMDDIP
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
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