【RTR025N03晶体管2.5V驱动N沟道MOS FETRTR025N03结构硅N沟道MOS FET】,IC型号RTR025N03,RTR025N03 PDF资料,RTR025N03经销商,ic,电子元器件-51电子网

RTR025N03

晶体管

2.5V驱动N沟道MOS FET

RTR025N03

结构

硅N沟道MOS FET

外形尺寸

（单位：毫米）

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特点

1）低导通电阻。

2 ）节省空间的小型表面贴装封装（ TSMT3 ）。

3 ）低电压驱动（ 2.5V驱动器）。

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应用

开关

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包装规格和h

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内部电路

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绝对最大额定值

（ TA = 25℃ ）

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热阻

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RTR025N03

晶体管

电气特性

（ TA = 25℃ ）

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体二极管的特性

（源极 - 漏极）（TA = 25℃ ）

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附录

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Appendix1-Rev1.1

RTR025N03

晶体管

2.5V驱动N沟道MOS FET

RTR025N03

结构

硅N沟道MOS FET

外形尺寸

（单位：毫米）

òì

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特点

1）低导通电阻。

2 ）节省空间的小型表面贴装封装（ TSMT3 ）。

3 ）低电压驱动（ 2.5V驱动器）。

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应用

开关

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内部电路

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RTR025N03

晶体管

电气特性

（ TA = 25℃ ）

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附录

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Appendix1-Rev1.1

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9850

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地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

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RTR025N03

ROHM

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21518

SOT23

原装正品，支持实单

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ROHM/罗姆

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5000

SOT23

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ROHM/罗姆

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