【RQK0605JGDQA硅N沟道MOS FET电源开关REJ03G1278-0400Rev.4.00】,IC型号RQK0605JGDQA,RQK0605JGDQA PDF资料,RQK0605JGDQA经销商,ic,电子元器件-51电子网

RQK0605JGDQA

硅N沟道MOS FET

电源开关

REJ03G1278-0400

Rev.4.00

2006年6月15日

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 82 m典型值（V

= 10 V，I

= 1.5 A)

低驱动电流

高速开关

4.5 V门极驱动

概要

瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A

（包名称： MPAK ）

1.源

2.门

3.排水

注意：

标记为“ JG ” 。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

符号

漏源极电压

DSS

栅极至源极电压

GSS

漏电流

Note1

漏电流峰值

D（脉冲）

体 - 漏二极管的反向漏电流

散热通道

PCH

Note2

通道温度

总胆固醇

储存温度

TSTG

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40

1 mm)

评级

±20

3.1

4.5

3.1

0.8

150

-55到+150

单位

°C

Rev.4.00 2006年6月15日第1页6

RQK0605JGDQA

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

漏极至源极漏电流

门源截止电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开 - 延迟时间

上升时间

打开 - 关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

身体 - 漏极二极管的正向电压

注： 3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

民

±20

—

1.0

—

3.6

—

典型值

—

405

3.7

6.9

0.9

0.8

最大

—

±10

2.0

103

131

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±16

V, V

= 0

= 60 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 1.5 A，V

= 10 V

Note3

= 1.5 A，V

= 4.5 V

Note3

= 1.5 A，V

= 10 V

Note3

= 10 V, V

= 0,

F = 1 MHz的

= 1 A，V

= 10 V,

= 10

RG = 4.7

= 10 V, V

= 10 V,

= 3.1A

= 1.5 A，V

= 0

Note3

Rev.4.00 2006年6月15日第2页6

RQK0605JGDQA

主要特点

最大信道功率

耗散曲线

1.2

100

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

(A)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

100

0.1

TIO

100

125

150

0.01

TC = 25°C

0.1

100

环境温度Ta （C ）

*当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40

1 mm)

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

5,7,9,10 V

典型的传输特性

(1)

= 10 V

脉冲测试

2.5 V

漏电流I

(A)

2.6V

2.3 V

脉冲测试

TC = 25

2.2V

漏电流I

(A)

2.4 V

TC = 75℃

25°C

–25°C

2.1 V

2.0 V

= 0 V

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

门源截止电压主场迎战

门源截止电压

GS （ OFF ）

(V)

典型的传输特性

(2)

= 10 V

脉冲测试

外壳温度

2.5

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

(A)

TC = 75℃

2.0

0.1

1.5

= 10毫安

1毫安

0.01

25°C

–25°C

1.0

0.1毫安

0.001

0.0001

0.5

1.5

2.5

0.5

–25

100 125

150

栅极至源极电压V

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.4.00 2006年6月15日第3页6

RQK0605JGDQA

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

（毫伏）

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

脉冲测试

TC = 25°C

300

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

()

400

1.0

脉冲测试

TC = 25°C

0.3

= 4.5 V

10 V

200

= 1.5 A

1.0 A

0.5 A

0.1

100 0.2 A

0.03

0.1 A

0.01

0.1

0.3

栅极至源极电压V

(V)

漏电流I

(A)

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(m)

200

脉冲测试

= 4.5 V

0.5 A

100

0.2 A

= 1.5 A

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(m)

200

脉冲测试

= 10 V

150

= 1.5 A

100

0.5 A

0.2 A

–25

100 125 150

–25

100 125 150

壳温度（ ° C）

100

脉冲测试

= 10 V

–25°C

25°C

TC = 75℃

零栅极电压漏极电流I

DSS

（ nA的）

正向转移导纳主场迎战

漏电流

零栅极电压漏极电流与

外壳温度

10000

脉冲测试

= 0 V

= 60 V

正向转移导纳| YFS | （ S）

1000

100

0.1

漏电流I

(A)

–25

100 125 150

壳温度（ ° C）

Rev.4.00 2006年6月15日第4 6

RQK0605JGDQA

动态输入特性

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

100

= 1.5 A

TC = 25°C

= 10 V

25 V

50 V

= 50 V

25 V

10 V

1000

= 10 V

RG = 4.7

= 5

TC = 25°C

TD （关闭）

开关特性

开关时间t（ NS ）

100

TD （上）

0.01

0.1

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

= 0 V

F = 1 MHz的

650

输入电容与

栅极至源极电压

= 0 V

F = 1 MHz的

西塞，科斯，的Crss （PF ）

1000

西塞

600

西塞（PF ）

550

100

科斯

CRSS

500

450

400

–10

–5

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

体漏二极管的正向电压 -

外壳温度

1.0

= 0

0.8

脉冲测试

TC = 25°C

= 5 V

体漏二极管的正向电压V

SDF

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

(A)

10 V

0.6

= 10毫安

0.4

1毫安

0.2

–25

–5 V, –10 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

100 125 150

源极到漏极电压V

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.4.00 2006年6月15日第5 6

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