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RT9619/A
同步整流降压MOSFET驱动器
概述
该
RT9619 / A是一种高频率，双MOSFET驱动器
专门设计用于驱动两个功率N沟道
在同步整流降压转换器的MOSFET
拓扑结构。该驱动程序再加上立锜的系列
多相降压PWM控制器，形成一个完整的核心 -
先进的微型处理器电压稳压器解决方案。
该RT9619 / A驱动器中的两个下/上闸
同步整流桥12V 。该驱动电压
灵活性提供了优化的应用程序的优势
包括开关损耗之间权衡
传导损耗。
RT9619A具有较长的UGATE / LGATE死区时间从而可以
驾驶大型门RC值的MOSFET ，避免了
直通现象。 RT9619是针对开车
低栅极RC MOSFET和执行的效率。
在RT9619 / A能有效地切换输出驱动器
功率MOSFET在频率高达500kHz 。开关
频率高于500kHz的要考虑到
SOP- 8封装的散热。 RT9619 / A是
能够驱动3nF的负载30ns的上升时间。
RT9619 / A实现引导与上部门
一个外部电容器和一个嵌入式二极管。这
减少
实现的复杂性，并且允许使用更高的
性能，成本效益N沟道MOSFET 。自适应
击穿保护集成，以防止这两个
MOSFET同时导通。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
嵌入式引导绑二极管
支持高开关频率
快速输出上升时间
小型SOP- 8封装
三态输入的大桥关闭
电源欠压保护
上MOSFET直接短路保护
符合RoHS标准， 100 ％无铅（Pb ） - 免费
应用
核心电压供应的桌面，主板CPU
高频超薄型DC-DC转换器
高电流低压DC -DC转换器
订购信息
RT9619/A
套餐类型
S： SOP - 8
工作温度范围
P：无铅与商业标准
G：绿色（无卤素与商业用
CIAL标准）
龙死区时间
总之死区时间
注意：
立锜无铅和绿色的产品有：
符合RoHS标准，电流要求兼容
IPC / JEDEC J- STD- 020的求。
适用于锡铅或无铅焊接工艺。
100 ％雾锡（ Sn）镀层。
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
BOOT
PWM
NC
VCC
2
3
4
8
7
6
5
UGATE
相
保护地
LGATE
SOP-8
DS9619 / A- 2007年3月4日
www.richtek.com
1
www.richtek.com
2
L1
2.2uH
V
IN
C9
10uF
C2
1uF
C10
1000uF
C11
1000uF
C12
1000uF
C13
10uF
C14
10uF
D1
RT9619/A
典型应用电路
ATX_12V
C8
10uF
R2
1
1
BOOT
R3
2.2
Q1
L2
1uH
+
ATX_12V
UGATE
C1
1uF
RT9619/A
3
NC
PWM
LGATE
保护地
6
5
R4
0
PWM
2
Q2
相
7
R5
2.2
C3
3.3nF
R1
10
4 VCC
8
V
CORE
+
+
+
C4
2200uF
C5
2200uF
C6
10uF
C7
10uF
DS9619 / A- 2007年3月4日
RT9619/A
功能引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
BOOT
PWM
NC
VCC
LGATE
保护地
相
UGATE
引脚功能
浮动自举电源引脚上的栅极驱动。
输入的PWM信号，用于控制所述驱动器。
无连接引脚。
+ 12V的电源电压。
更低的栅极驱动输出。连接到低压侧功率N沟道MOSFET栅极。
共同点。
连接该引脚为高侧MOSFET的源极和低侧的漏
MOSFET。
上栅极驱动输出。连接到高压侧功率N沟道MOSFET栅极。
功能块图
VCC
国内
5V
POR
R
PWM
R
关闭检测
VCC
SHOOT - THROUGH
保护
LGATE
保护地
相
三州
检测
SHOOT - THROUGH
保护
BOOT
UGATE
时序图
PWM
LGATE
t
pdlLGATE
90%
2V
t
pdlUGATE
2V
90%
2V
UGATE
t
PDHUGATE
t
PDHLGATE
2V
DS9619 / A- 2007年3月4日
www.richtek.com
3
RT9619/A
绝对最大额定值
（注1 ）
电源电压，V
CC
-------------------------------------------------------------------------------------
0.3V
至15V
引导到相----------------------------------------------- ------------------------------------------
0.3V
至15V
引导至GND
DC ------------------------------------------------------------------------------------------------------------
0.3V
到V
CC
+ 15V
< 200ns的-----------------------------------------------------------------------------------------------------
0.3V
至42V
相对于GND
DC ------------------------------------------------------------------------------------------------------------
5V
至15V
< 200ns的-----------------------------------------------------------------------------------------------------
10V
至30V
LGATE
DC ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ GND
0.3V至V
CC
+ 0.3V
< 200ns的-----------------------------------------------------------------------------------------------------
2V
到V
CC
+ 0.3V
UGATE ------------------------------------------------------------------------------------------------------ V
相
0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
< 200ns的----------------------------------------------------------------------------------------------------- V
相
2V至V
BOOT
+ 0.3V
PWM输入电压----------------------------------------------- --------------------------------------- GND
0.3V至7V
功耗，P
D
@ T
A
= 25°C
SOP- 8 ------------------------------------------------------------------------------------------------------- 0.625W
封装热阻（注4 ）
SOP-8,
θ
JA
-------------------------------------------------------------------------------------------------
引线温度（焊接， 10秒） ----------------------------------------- ---------------------
存储温度范围----------------------------------------------- ----------------------------
ESD易感性（注2 ）
HBM （人体模式） -------------------------------------------- ---------------------------------
MM （机器模式） --------------------------------------------- ----------------------------------------
160°C/W
260°C
40 ℃150 ℃的
2kV
200V
推荐工作条件
（注3）
电源电压，V
CC
------------------------------------------------------------------------------------- 12V
±10%
结温范围----------------------------------------------- ---------------------------- 0 ° C至125°C
环境温度范围----------------------------------------------- ---------------------------- 0 ° C至70℃
电气特性
（推荐工作条件，T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
V
CC
电源电压
电源电压
V
CC
电源电流
电源电流
上电复位
POR阈值
迟滞
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
CC
I
VCC
V
BOOT
= 12V， PWM = 0V
7.3
--
13.5
V
--
1
2.5
mA
V
VCCrth
V
VCChys
V
CC
升起
5.5
--
6.4
2.2
7.3
--
V
V
待续
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4
DS9619 / A- 2007年3月4日
RT9619/A
参数
PWM输入
最大输入电流
PWM浮置电压
PWM上升阈值
PWM下降阈值
定时
UGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE上升时间
LGATE下降时间
RT9619
RT9619A
传播延迟
RT9619/A
t
pdlUGATE
t
PDHLGATE
t
pdlLGATE
关闭窗口
产量
UGATE驱动源
UGATE驱动吸收
LGATE驱动源
LGATE驱动吸收
R
UGATEsr
R
UGATEsk
R
LGATEsr
R
LGATEsk
V
BOOT
– V
相
= 12V
V
BOOT
– V
相
= 12V
V
CC
= 12V
V
CC
= 12V
--
--
--
--
1.9
1.4
1.9
1.1
3
3
3
2.2
Ω
Ω
Ω
Ω
见时序图
t
的Rugate
t
富盖特
t
RLGATE
t
FLGATE
t
PDHUGATE
V
CC
= 12V， 3nF的负载
V
CC
= 12V， 3nF的负载
V
CC
= 12V， 3nF的负载
V
CC
= 12V， 3nF的负载
V
BOOT
V
相
= 12V
见时序图
--
--
--
--
--
--
--
--
--
1.5
27
32
35
27
20
90
15
20
8
--
35
45
45
38
--
--
--
--
--
3.2
V
ns
ns
ns
ns
ns
I
PWM
V
PWMfl
V
PWMrth
V
PWMfth
PWM = 0V或5V
V
CC
= 12V
--
--
3.2
1.1
300
2.4
3.6
1.3
--
--
3.9
1.5
μA
V
V
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注： 1 。
列为上述应力
“绝对
最大额定值“，可能对器件造成永久性损坏。这些是
压力等级。该设备在这些或超出在操作指示的任何其他条件的功能操作
规格部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会
仍然可能影响器件的可靠性。
注2 。
设备是ESD敏感。处理防范建议。
注3 。
该设备是不能保证超出其工作条件下运行。
注4 。
θ
JA
是在T测定在自然对流
A
= 25℃上的一个低的有效热导率测试板
JEDEC 51-3的热测量标准。
DS9619 / A- 2007年3月4日
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RHFL4913KP15-01V
RCR300BY8
RXD-418-KH
R602
RDEF-25SE-LNA(4-40)
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