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RN1910FE,RN1911FE
东芝三极管
NPN硅外延式（ PCT程序） （偏置电阻内置晶体管）
RN1910FE,RN1911FE
开关，逆变电路，接口电路和
驱动器电路应用
两个设备被结合到一个极端，超小型（6针）
封装。
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
减少零件数量使得能够更加制造
紧凑型设备，降低装配成本。
补充RN2910FE ， RN2911FE
单位：mm
等效电路和偏置电阻值
C
B
R1
JEDEC
E
―
―
2-2N1G
JEITA
东芝
重量：0.003克（典型值）。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
（ Q1 ， Q2常见）
等效电路
（ TOP VIEW ）
等级
50
50
5
100
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1
2
3
Q1
Q2
6
5
4
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
（注1 ）
T
j
T
英镑
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障率，
等）。
注1 ：总的评价
1
2007-11-01
RN1910FE,RN1911FE
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
输入电阻
RN1910FE
RN1911FE
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
R1
测试条件
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
EB
=
5 V，I
C
=
0
V
CE
=
5 V，I
C
=
1毫安
I
C
=
5毫安，我
B
=
0.25毫安
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
120
3.29
7
典型值。
0.1
250
3
4.7
10
最大
100
100
700
0.3
6
6.11
13
V
兆赫
pF
kΩ
单位
nA
nA
2
2007-11-01
RN1910FE,RN1911FE
Q1 ， Q2通用
RN1910FE
（MA ）
RN1910FE
RN1911FE
（MA ）
RN1911FE
3
2007-11-01
RN1910FE,RN1911FE
Q1 ， Q2通用
RN1910FE
RN1910FE
RN1911FE
RN1911FE
4
2007-11-01
RN1910FE,RN1911FE
型号名称
记号
型号名称
RN1910FE
XK
型号名称
RN1911FE
XM
5
2007-11-01
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单价/备注
操作
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    RN1911FE
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